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[发明专利]一种紫外器件封装结构及制作方法-CN202210780387.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：芯片设置于透镜的聚光型的容置孔内，芯片能够利用第一导通元件与外部元件导通，基板封堵容置孔，将芯片封装于封装腔体内，且封装腔体内填充有保护气体，保护气体可选择氮气等惰性气体，避免芯片受到大气影响，从而提高深紫外发光二极管辐射能量，增强提高深紫外发光二极管的杀菌消毒效果。与此同时，本发明还提供一种上述紫外器件封装结构的制作方法，利用共晶炉将保护气体进入基板与透镜之间，并使第一导通元件与透镜实现共晶焊接，将芯片和保护气体封装在封装腔体内，从而有效避免大气对芯片的影响，提高深紫外发光二极管的性能
一种紫外器件封装结构制作方法

[发明专利]用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备及方法-CN202211634944.5在审
发明人：吴彦飞;张晓明;李玲玲;丁亚国;顾彦滨;王浩;马全森 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度本申请还提供一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀方法。
用于具有高深小孔产品刻蚀设备方法

[发明专利]微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法-CN202211461580.5在审
发明人：王晓红;李张善昊;许明豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明提供一种微型超级电容器高深宽比多孔钛电极成型方法，包括：光刻步骤，即通过光刻在基片上形成相互粘连的第一光刻胶层和第二光刻胶层，沿平行于基片的方向，第一光刻胶层的截面积小于第二光刻胶层的截面积；溅射步骤，即将钛基合金进行物理气相沉积，形成钛基合金电极；刻蚀步骤，即利用刻蚀剂对钛基合金电极进行选择性刻蚀，以去除钛基合金电极中除钛之外的其他元素，形成高深宽比多孔钛电极。该方法能够实现微型超级电容器的高深宽比多孔钛电极及其图形化，进而提升微型超级电容器的电容密度和频率性能，同时为后续可能的赝电容修饰材料提供了可观的生长点位。该方法成本较低，且具备大规模生产的潜力。
微型超级电容器高深多孔电极成型方法

[发明专利]一种形成具有高深宽比图形的结构的方法-CN201810941652.3有效
发明人：冯奇艳;刘鹏;唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成具有高深宽比图形的结构的方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的上表面依次覆盖有一刻蚀停止层、一注入阻挡层和一图形化的掩膜层；步骤S2：对所述注入阻挡层进行各向异性刻蚀，各向异性刻蚀停止于所述刻蚀停止层，形成沟槽；步骤S3：使用原子层沉积在所述沟槽的上表面和侧壁形成一薄膜层，通过所述薄膜层缩小所述沟槽的开口，调节所述沟槽的深宽比，进而形成具有高深宽比图形的结构。其优点在于，使用ALD技术在传统的薄膜结构上的沟槽的上表面和侧壁形成一薄膜层，通过调节薄膜层的厚度来调节沟槽的开口，形成具有高深宽比图形，解决传统的光刻工艺的深宽比较小以及多层光刻技术导致的形貌问题。
一种形成具有高深图形结构方法

[发明专利]无转移圆片的三维集成电路实现方法-CN200710179533.0有效
发明人：王喆垚;宋崇申;蔡坚;陈倩文;刘理天 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向上的电镀方法填充高深宽比盲孔，最后键合后减薄圆片实现高深宽比的穿透衬底的三维互连
转移三维集成电路实现方法

[发明专利]一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法-CN201911117091.6有效
发明人：徐天彤;李海旺;陶智;夏靖超;朱凯云;方卫东 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法，属于填充方法技术领域。解决了现有的填充方法无法填充硅基上高深宽比微纳通孔的问题。该填充方法可以实现硅基上高深宽比微纳通孔的电镀填充，深宽比可达40以上，通孔直径可达50μm以下。
一种硅基上高深微纳通孔填充方法

[发明专利]光刻方法-CN202110446871.6有效
发明人：李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，该高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；在光阻上覆盖收缩材料本申请在光刻过程中，在显影形成高深宽比光阻图形后，在光阻图形中填充收缩材料且将晶圆放置于具有上下加热板的烘烤设备中进行烘烤，由于上下加热板的设置能够设置烘烤的加热梯度，从而能够通过加热收缩材料修正光阻图形的形貌缺陷
光刻方法

[实用新型]一种大负荷容量深沟球轴承-CN201620688059.9有效
发明人：刘开成 -专利权人：滁州品之达电器科技有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： F16C19/18 文献下载
摘要：本实用新型，改变外圈和内圈之间的受力方向，使两组沟槽上的钢珠平均分摊受力，提高深沟球轴承的承载能力；减少深沟球轴承内部的摩擦力，提高深沟球轴承的承载能力，提高深沟球轴承的使用寿命。
一种负荷容量深沟球轴承

[实用新型]一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED-CN202021905263.4有效
发明人：蔡端俊;黄生荣 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；n型接触层接引有第一电极；复合金属电极层接引有第二电极；复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层该欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，通过高功函数金属薄层与p型电导层接触，以获得低电阻的欧姆接触；通过在高功函数金属薄层上沉积高深紫外反射率金属层，增强对深紫外光的反射；通过在高深紫外反射率金属层上沉积保护金属层
一种欧姆接触反射电极结构深紫 led

[实用新型]一种多隔层的耐低温深海电缆-CN202220777950.5有效
发明人：吴仁和;陈卫华;徐健 -专利权人：江苏全兴电缆有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01B7/14 文献下载
摘要：防腐蚀外层的内侧安装有编织层，编织层的内侧安装有耐低温层，耐低温层的内侧安装有铠装层，铠装层的内侧安装有抗压机构，抗压机构的内侧安装有隔温层，隔温层的内侧安装有导体屏蔽层，本实用新型的有益效果是：通过设置的防腐蚀外层和编织层提高深海电缆的耐腐蚀性和韧性，通过设置的耐低温层和隔温层提高深海电缆的耐低温性能，通过设置的抗压机构、加强框和加固筋，从而提高深海电缆的抗压性能，通过设置的抗压机构、加强框、加固筋和保护垫配合，从而能够保护导体，防止因外部压力大而损坏导体
一种隔层低温深海电缆

[实用新型]一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置-CN202221359484.5有效
发明人：赵珉;刘桂英;朱齐媛 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体、用于承载待处理微纳器件进行工艺处理的器皿、用于对器皿中待处理微纳器件进行辅助加热的加热装置通过本实用新型所述的装置，在高深宽比密集结构的下端之间、火下端之间都产生静电排斥力，有效防止了高深宽比密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。
一种防止高深密集微纳抗蚀剂结构粘连倒塌装置

[发明专利]干燥高深宽比特征-CN201780046110.3有效
发明人：艾里克·J·伯格曼;约翰·L·克洛克;保罗·麦克休;斯图亚特·拉奈;理查德·W·普拉维达尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
干燥高深特征

[发明专利]干燥高深宽比特征-CN201780084023.7有效
发明人：艾里克·J·伯格曼;约翰·L·克洛克;保罗·麦克休;斯图亚特·拉奈;理查德·W·普拉维达尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：干燥半导体基板的方法可包括施加干燥剂至半导体基板，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂的液相从半导体基板蒸发。
干燥高深特征

[实用新型]一种高深汤锅-CN200920210866.X无效
发明人：徐红卫;谢伟城 -专利权人：宁波成誉电器模具有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： A47J27/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高深汤锅，包括锅，其特性在于：所述的锅底面为圆形，锅身为圆柱形，其顶部有一圈弧形边缘，锅身与锅底之间有连接圆弧。所述的锅身两边、靠近顶部对称位置分别有一个手柄。
一种高深汤锅

[发明专利]火星探测天地协同导航地面验证系统及方法-CN202111016257.2在审
发明人：朱新波;谢攀;王森;李海洋;郑永艾;秦冉冉;张红英;李青;印兴峰 -专利权人：上海卫星工程研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明的应用取得降低试验成本、提高深空导航系统设计效率、提高深空探测器导航性能等有益效果。
火星探测天地协同导航地面验证系统方法