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[发明专利]一种高浓度盐酸生产装置-CN201410371768.X有效
发明人：王荣欣;王凯 -专利权人：河南永银化工实业有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明公开一种高浓度盐酸生产装置，包括用于合成HCL气体的合成炉、用于储存高纯度盐酸的高纯度盐酸中间罐，还包括高浓度盐酸吸收塔和用于储存高浓度盐酸的高浓度盐酸中间罐，高浓度盐酸吸收塔与高纯度盐酸中间罐之间设有高纯度盐酸输送管，高纯度盐酸输送管上设有用于将高纯度盐酸由高纯度盐酸中间罐输送至高浓度盐酸吸收塔的高浓度盐酸吸收泵，高浓度盐酸吸收塔与合成炉之间设有用于向高浓度盐酸吸收塔内输送HCL气体的气体输送管，高浓度盐酸吸收塔的底部设有排放管，高浓度盐酸吸收塔与高浓度盐酸中间罐之间通过排放管连接。本发明对传统二合一炉法生产高纯盐酸装置进行工艺设备进行改进，使生产高纯盐酸的生产装置同时可以生产高纯盐酸和高浓度盐酸两个产品。本发明与传统的生产装置相比，工艺简单，投资低，生产成本大大降低。
一种浓度盐酸生产装置

[实用新型]高浓度盐酸生产装置-CN201420427824.2有效
发明人：王荣欣;王凯 -专利权人：河南永银化工实业有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高浓度盐酸生产装置，包括用于合成HCL气体的合成炉、用于储存高纯度盐酸的高纯度盐酸中间罐，还包括高浓度盐酸吸收塔和用于储存高浓度盐酸的高浓度盐酸中间罐，高浓度盐酸吸收塔与高纯度盐酸中间罐之间设有高纯度盐酸输送管，高纯度盐酸输送管上设有用于将高纯度盐酸由高纯度盐酸中间罐输送至高浓度盐酸吸收塔的高浓度盐酸吸收泵，高浓度盐酸吸收塔与合成炉之间设有用于向高浓度盐酸吸收塔内输送HCL气体的气体输送管，高浓度盐酸吸收塔的底部设有排放管，高浓度盐酸吸收塔与高浓度盐酸中间罐之间通过排放管连接。本实用新型对传统二合一炉法生产高纯盐酸装置进行工艺设备进行改进，使生产高纯盐酸的生产装置同时可以生产高纯盐酸和高浓度盐酸两个产品。本实用新型与传统的生产装置相比，工艺简单，投资低，生产成本大大降低。
浓度盐酸生产装置

[发明专利]一种生产磷酸法活性炭的含磷废水回收利用方法-CN202111145846.0在审
发明人：程祥武;陈卫群;方世国;曹阳 -专利权人：南平元力活性炭有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C01B25/222 文献下载
摘要：本发明提供一种生产磷酸法活性炭的含磷废水回收利用方法，属于含磷废水资源回收技术领域；其方法是将含磷废水收集后经多级净化、浓缩，得到高浓度含磷水和净化后的工业用水，高浓度含磷水与硫酸钙滤饼经沉淀反应生产磷酸氢钙沉淀，再经浓硫酸置换反应、过滤，滤液即为得到高纯度磷酸，硫酸钙滤饼经洗涤循环回用，梯度洗涤水再次配磷酸氢钙浆料进行循环回用。
一种生产磷酸活性炭废水回收利用方法

[发明专利]硅控整流器型ESD保护结构及实现方法-CN201810768339.4在审
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅控整流器型ESD保护结构及实现方法，该结构包括：生成于半导体基体中的N阱和P阱；置于N阱上部的高浓度P型掺杂22、N阱和基体/P阱构成等效PNP三极管结构；高浓度N型掺杂26、高浓度P型掺杂28置于P阱上部，N阱、基体/P阱和高浓度N型掺杂26构成等效NPN三极管结构；高浓度N型掺杂24置于N阱与P阱分界处上部，高浓度N型掺杂26和高浓度P型掺杂28之间用STI隔离，高浓度P型掺杂22左侧和高浓度P型掺杂28右侧分别放置STI，高浓度N型掺杂24与高浓度N型掺杂26之间的P阱上方放置N型栅极。本发明中高浓度N型掺杂24兼具加强型保护环和N阱接触点的作用，降低了寄生PNP三极管的电流增益，可以进一步提高维持电压。
硅控整流器半导体基体电流增益维持电压寄生PNP 分界处接触点三极管

[实用新型]溴甲烷浓度检测装置-CN202021682946.8有效
发明人：陈高翔;王镭;刘雨;余建辉 -专利权人：深圳市英宝硕科技有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01N21/3518 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种溴甲烷浓度检测装置，包括：壳体、高浓度检测模块、低浓度检测模块和控制模块，所述高浓度检测模块、所述低浓度检测模块和所述控制模块均设于所述壳体；所述高浓度检测模块用于进行高浓度溴甲烷气体检测，所述低浓度检测模块用于进行低浓度溴甲烷气体检测；所述控制模块用于控制所述高浓度检测模块和所述低浓度检测模块同时工作，或者，控制所述高浓度检测模块和所述低浓度检测模块之一单独工作。本实用新型实施例提供的溴甲烷浓度检测装置，高浓度检测模块、低浓度检测模块和控制模块均设于同一壳体内，使得高浓度溴甲烷气体的检测和低浓度溴甲烷气体的检测可由一台检测装置实现。
溴甲烷浓度检测装置

[发明专利]浆料除泡方法及其设备-CN200710135965.1无效
发明人：宫下晃一;市川结辉人 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：一种能够有效优化浆料除泡和浆料粘度、并显著缩短除泡时间的浆料除泡设备，包括：定量给料器(1)，用于装载预定量的浆料(2)，其中浆料(2)包括液体和在液体中搅拌并分散的高浓度的固体材料，并含有需要从中除去的气泡；除泡单元(20)，设置在定量给料器1的下游，它具有设置在定量给料器(1)下游的、用于将含有需要从中除去气泡的浆料(2)以许多非接触形的细丝或细条的形式排出的除泡板(10)；浆料箱(3)，连接在除泡单元(20)的下游；真空单元(30)，用于当使用除泡单元(20)时将浆料箱(3)抽成真空；引导气体的气体引导单元(40)，用于将容器箱(3)中已经除泡的浆料(6)在压力作用下从除泡单元(20)传送到外部。
浆料方法及其设备

[发明专利]一种高浓度石墨烯浓缩分散液的制备方法-CN201910761950.9有效
发明人：王惠;白晋涛;聂婷 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：一种高浓度石墨烯浓缩分散液的制备方法，它涉及一种石墨烯浓缩分散液的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法无法得到高浓度、均一且稳定的石墨烯分散液的问题。方法：一、将石墨烯加入到溶剂中，得到预混溶液；二、搅拌、超声，得到混合液；三、将混合液加入到高压均质机料斗中破碎；四、制备浓度为1％的高浓度石墨烯浓缩分散液；五、制备浓度为2％的高浓度石墨烯浓缩分散液；六、制备浓度为3％的高浓度石墨烯浓缩分散液；七、制备浓度为4％的高浓度石墨烯浓缩分散液；八、制备浓度为5％的高浓度石墨烯浓缩分散液。本发明适用于制备高浓度石墨烯浓缩分散液。
一种浓度石墨浓缩分散制备方法

[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464516.1有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
硅控整流器衬底半导体浅沟道隔离分界处隔离

[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464508.7有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
硅控整流器衬底半导体分界处

[发明专利]晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺-CN201010285108.1无效
发明人：穆汉;朱敏杰;马跃 -专利权人：江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺，硅片去损伤制绒后，进行低浓度磷掺杂制结，同时形成扩散阻挡层；在发射极上根据正面金属化图形区域丝网印刷腐蚀阻挡浆料并清洗烘干，再进行高浓度磷掺杂；将上述带有高低浓度磷扩散的晶体硅片去除磷硅玻璃，沉积表面钝化膜，印刷背面电极，印刷铝背场，在正面高浓度磷扩散区域形成正面金属化电极，烧结成晶体硅选择性发射极太阳电池成品。在形成高、低浓度掺杂过程中，由于只有两次进炉管过程，工艺简单本发明生产效率高，产能大，能耗低，适于工业化大规模生产。
晶体选择性发射极太阳电池制造工艺

[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN202011196327.2在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，高浓度P型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方，高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分，在高浓度P型掺杂(20)下方设置N型轻掺杂(30)，降低寄生PNP三极管的电流增益。
无回滞效应整流器 esd 保护结构及其实现方法

[发明专利]半导体静电保护电路器件-CN201711143784.3有效
发明人：森下泰之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体静电保护电路器件，包括：衬底、元件隔离绝缘膜、多个第一高浓度第一导电类型区、多个第一高浓度第二导电类型区和第二高浓度第一导电类型区。每个第一高浓度第二导电类型区形成在衬底上方的多个第二第一导电类型阱中的相应一个中；每个第一高浓度第一导电类型区形成在衬底上方的第二导电类型阱中；每两个相邻的第一高浓度第一导电类型区被一个第一高浓度第二导电类型区分开；器件的横截面中，元件隔离绝缘膜将多个第一高浓度第一导电类型区与多个第一高浓度第二导电类型区分开；多个第一高浓度第一导电类型区耦合到地电位；多个第一高浓度第二导电类型区耦合到I/O焊盘并连接到内部电路；第二高浓度第一导电类型区连接到触发器元件。
半导体静电保护电路器件

[发明专利]一种内嵌硅控整流器的PMOS型ESD器件及其实现方法-CN202110209117.0在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌硅控整流器的PMOS型ESD器件及其实现方法，该ESD器件包括：半导体衬底；生成于衬底中的N阱；高浓度P型掺杂(22)、高浓度N型掺杂(30)、高浓度P型掺杂(24)置于N阱上部，其下方设置P型ESD掺杂；高浓度P型掺杂(20)与高浓度P型掺杂(22)间的N阱上方放置P型栅；在高浓度N型掺杂(32)、高浓度P型掺杂(20)上方分别生成金属硅化物并引出电极相连组成阳极；在高浓度N型掺杂(30)和高浓度P型掺杂(24)上方分别生成金属硅化物并引出电极相连作为阴极，于该阳极与阴极之间设置RC延时电路调节P型栅的栅极电压。
一种内嵌硅控整流器 pmos esd 器件及其实现方法

[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201910969256.6有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，高浓度P型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上部,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分，并在该部部分N阱(60)的上方生成一N型栅(32)。
无回滞效应整流器 esd 保护结构及其实现方法

[发明专利]高浓度碳化生产球形纳米碳酸钙的方法-CN201210205921.2无效
发明人：刘润静;高彦中;高苍竹;高士雄 -专利权人：石家庄市红日钙业有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：一种高浓度碳化生产球形纳米碳酸钙的方法，特点：一、在石灰石的煅烧过程中，控制煅烧温度，并通过调节鼓风量使排出的石灰窑烟气含二氧化碳达30％以上；二、在二氧化碳碳化Ca(OH)2悬浮液前，配制浓度达10～13％、温度为30～50℃的高浓度Ca(OH)2悬浮液，然后加入晶形控制剂，均混后再送入碳化塔；三、在二氧化碳碳化Ca(OH)2悬浮液的过程中，通入经洗涤含二氧化碳达30％以上的石灰窑烟气，并通过控制通入石灰窑烟气的温度使二氧化碳碳化Ca(OH)2的反应在65℃以下进行，反应结束，对制得的球形纳米碳酸钙浆料进行脱水、烘干、解聚、筛分，即得成品球形纳米碳酸钙粉体。本发明以高温高浓度Ca(OH)2悬浮液为原料、用现有的普通碳酸钙生产设备，即生产出优质的球形纳米碳酸钙产品。
浓度碳化生产球形纳米碳酸钙方法