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- [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464516.1有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2017-12-28
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2019-10-25
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H01L27/02
- 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
- 硅控整流器衬底半导体浅沟道隔离分界处隔离
- [发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201711464508.7有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2017-12-28
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2019-10-25
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H01L27/02
- 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。
- 硅控整流器衬底半导体分界处
- [发明专利]一种新型ESD保护结构及其实现方法-CN201710420095.6有效
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朱天志
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上海华力微电子有限公司
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2017-06-06
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2019-11-22
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H01L27/02
- 本发明公开了一种新型ESD保护结构及其实现方法，该ESD保护结构包括：半导体基体；生成于所述半导体基体中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，高浓度P型掺杂(28)、高浓度N型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(22)设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述高浓度N型掺杂(22)下方，该高浓度N型掺杂(20)浮接，其与该高浓度P型掺杂(28)间隔距离S，该高浓度N型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(22)之间隔离设置，所述高浓度P型掺杂(28)、第一N阱(60)、ESD植入层(40)、高浓度N型掺杂(22)构成该硅控整流器，通过本发明，可增加
- 一种新型esd保护结构及其实现方法
- [发明专利]静电放电保护元件-CN03142360.4无效
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东贤一;阿尔贝托·O·阿丹
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夏普株式会社
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2003-06-10
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2004-01-28
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H01L23/60
- 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并与电阻相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并与电阻相连。
- 静电放电保护元件
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