专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9784509个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]高密集成电路之存储-CN99114948.3无效
  • 张世熹 - 张世熹
  • 1999-06-22 - 2001-01-03 - G11C5/00
  • 本发明对高密集成电路,尤其对高密集成电路的存储的操作模式和周边电路做了进一步完善和提高。除了汲取了当今SRAM、DRAM和其它一些只读存储的技术外,本发明还提供了静态操作模式、动态操作模式、位线分组、读出放大器反馈、互补存储亚元对、参照哑元、数据就绪哑元、极性元、多存储块等方法来缩短访问时间,以提高高密集成电路的存储的性能。
  • 高密度集成电路存储器
  • [发明专利]高密集成电路之存储-CN200410063043.0无效
  • 张世熹 - 张世熹
  • 1999-06-22 - 2005-01-12 - G11C17/06
  • 本发明对高密集成电路,尤其对高密集成电路的存储的操作模式和周边电路做了进一步完善和提高。除了汲取了当今SRAM、DRAM和其它一些只读存储的技术外,本发明还提供了静态操作模式、动态操作模式、位线分组、读出放大器反馈、互补存储亚元对、参照哑元、数据就绪哑元、极性元、多存储块等方法来缩短访问时间,以提高高密集成电路的存储的性能。
  • 高密度集成电路存储器
  • [发明专利]用于测量高速存储汇流排的装置-CN02145869.3有效
  • 李良珉;刘俊廷 - 威盛电子股份有限公司
  • 2002-10-16 - 2003-03-19 - G01R31/28
  • 一种用于测量高速存储汇流排的模块装置,包括多个存储芯片和多个高密连接头,这些存储芯片焊接在一块多层电路板的正面,而高密连接头则焊接在同一块多层电路板的背面。存储芯片可以接收和产生多个存储汇流排信号,而这些存储汇流排信号则分成多个信号组。这些信号组电连接于可供直接连接电子测量仪器测试夹接组的上述高密连接头,以便正确地测量这些存储信号组。多层电路板具有连接存储汇流排信号的多个连接点,能在插入至主板的插槽时,使存储芯片与电脑主板之间的存储汇流排信号形成电通路。
  • 用于测量高速存储器汇流装置
  • [发明专利]缓存流数据-CN03806222.4有效
  • 肯尼思·M·基;麦国根;孙晓明 - 思科技术公司
  • 2003-04-28 - 2005-07-20 - H04L29/06
  • 本发明的技术利用高速和低速存储件的组合实现了一种新型的高速高密分组缓冲。所述新型的分组缓冲以多个FIFO队列的形式组织起来,其中的每个FIFO队列与一条特定的输入或者输出线路相关联。每个队列包括驻留在高速存储内的高速缓存部分和驻留在低速高密存储内的低速高密部分。所述高速缓存部分包含有FIFO数据,该数据含有与所述新型FIFO队列相关联的头部和/或尾部。所述低速高密部分包含未被包含在所述高速缓存部分内的FIFO数据。
  • 缓存数据
  • [发明专利]高密存储系统及其控制方法-CN201910688880.9在审
  • 阿密特·伯曼 - 三星电子株式会社
  • 2019-07-29 - 2020-06-09 - G11C16/10
  • 高密存储系统及其控制方法。一种高密存储系统包括存储装置和控制,其中,控制包括:范围分配和编程顺序块,被配置为:基于初始数据和存储装置中的干扰,确定针对存储装置的每个存储单元的每个层级的阈值电压的范围;并基于所述干扰,确定存储装置的多组存储单元被编程的顺序。控制还包括:统计单元校正块,被配置为:基于所述多组存储单元被编程的顺序和从存储装置接收的存储装置的每个存储单元的每个层级的参考信息,对针对每个存储单元的每个层级的阈值电压的范围执行统计单元校正
  • 高密度存储系统及其控制方法
  • [发明专利]高密快闪存储-CN02124730.7无效
  • 赖茂富 - 中仪科技股份有限公司
  • 2002-06-25 - 2003-12-31 - H01L27/112
  • 本发明提供一种高密快闪存储,主要利用布植及蚀刻沟渠技术,先于一晶圆上分别制作出复数个间隔排列的柱状晶体管,并令每一个柱状晶体管具有四个垂直面,其中的一垂直面用来作为该高密快闪存储单元的基体与源极间的短路面,其他三个垂直面则分别用来制作一快闪存储单元,使该等快闪存储单元的晶体管的临界截止电压,不致因该基体与源极间电压的不同而改变,此外,由于在该等快闪存储的单元布局上,彼此相隔的单元共用一条字元线,故该等快闪存储单元的汲极,需采用间隔跳接方式连线,如此,即可在每一个柱状晶体管上制作出三个快闪存储单元,以储存三个位元的数据,令所制作出的该快闪存储单元具有高密存储特性。
  • 高密度闪存

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top