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[发明专利]一种对表面电荷低敏感的高压半导体器件终端-CN202011247049.9有效
发明人：李伟;何文牧 -专利权人：杭州钪赛铂电子有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种对表面电荷低敏感的高压半导体器件终端，包括半导体器件本体、外壳、通槽、齿纹、金属片、散热片、第一容纳槽、限位块、弹簧、卡块、第三容纳槽、第二接线柱、卡槽、引脚、弹片、第三通孔、螺丝、螺纹孔和垫块，本发明相较于现有的高压半导体器件终端，设计有散热片，可对半导体器件终端进行散热，防止过热损坏，本发明设计有可更换的底座，可在引脚断裂后进行更换，环保节约，该底座还可以进行旋转，对半导体器件终端和引脚进行分开检测，方便对电路故障进行排查，本发明设计有静电屏蔽功能，能够屏蔽外电场和半导体器件终端所产生的电场，降低元件间的电场干扰，同时防止静电击穿。
一种表面电荷敏感高压半导体器件终端

[发明专利]改善高压均匀性之高压半导体器件制备方法和其高压半导体器件-CN202310072763.6在审
发明人：许国杰;沈涛;王震宇 -专利权人：深圳市芯辰达电子科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本专利申请提供了一种改善高压均匀性之高压半导体器件制备方法和其高压半导体器件。本改善高压均匀性之高压半导体器件制备方法中，将基区Ⅰ窗口和划片道窗口一次光刻形成，保证了耗尽层宽度固定和一致性，在后序制造流程中不再发生改变，从而获得一种击穿电压BVcbo
改善高压均匀半导体器件制备方法

[发明专利]BCD器件及其制造方法-CN201510687905.5有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种BCD器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；多个N型掺杂的高压阱，分布于所述高压器件区和低压器件区内；其中，所述高压器件的至少部分组成结构形成于所述高压器件区中的高压阱内，至少部分低压器件形成于所述低压器件区中的高压阱内。
bcd 器件及其制造方法

[实用新型]BCD器件-CN201520818224.3有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种BCD器件，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；多个N型掺杂的高压阱，分布于所述高压器件区和低压器件区内；其中，所述高压器件的至少部分组成结构形成于所述高压器件区中的高压阱内，至少部分低压器件形成于所述低压器件区中的高压阱内。
bcd 器件

[实用新型]高压器件与半导体器件-CN201821489505.9有效
发明人：许文山;孙超;田武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压器件与半导体器件，该高压器件半导体衬底；氧化层；栅极，位于氧化层上；以及源区与漏区，位于半导体衬底中，并分别位于栅极两侧，其中，漏区的掺杂深度由漏区的中心向边缘递减。通过掺杂深度由中心向边缘递减的漏区，减小了漏区边缘的电场，从而提高了器件的耐高电压性能。
漏区高压器件半导体器件氧化层衬底递减半导体掺杂电场漏区边缘耐高电压减小源区申请

[发明专利]半导体结构-CN202111645421.6在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的集成度和空间利用率较低的技术问题，该半导体结构包括：具有隔离设置的高压器件区和光敏结构区的衬底；设置在衬底的第一表面且位于高压器件区内的高压器件；设置在衬底的第二表面且位于光敏结构区的光敏结构，第二表面与第一表面相对设置，高压器件在衬底上的正投影与光敏结构在衬底上的正投影至少部分重合；位于光敏结构区的连接结构，连接结构的一端与光敏结构电连接，连接结构的另一端暴露于第一表面通过将高压器件和光敏结构沿垂直于衬底的方向排布，并通过连接结构将光敏结构引出至第一表面，提高了半导体结构的集成度和空间利用率，同时便于布线。
半导体结构

[发明专利]一种集成型高压隔离电容及数字电容隔离器-CN202110971795.0在审
发明人：唐逢杰 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成型高压隔离电容及数字电容隔离器，该集成型高压隔离电容包括：衬底及半导体元器件；位于衬底及半导体元器件一侧的走线层，走线层具有结合部；位于走线层背离衬底及半导体元器件一侧的隔离电容单元，隔离电容单元在衬底及半导体元器件的垂直投影与结合部在衬底及半导体元器件的垂直投影无交叠；沿衬底及半导体元器件指向走线层方向，隔离电容单元包括层叠设置的下极板、电介质结构层和上极板。该集成型高压隔离电容中电介质结构层的厚度不依赖于走线层内金属层数，在不同金属层数的走线层上所得到的隔离电容单元可以具有良好的一致性。
一种集成高压隔离电容数字隔离器

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201310122105.X有效
发明人：马旭;周维;曹亚民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一：提供一衬底，衬底包括高压器件区域和低压器件区域，高压器件区域和低压器件区域由浅沟槽隔开，在所述衬底上形成覆盖高压器件区域和低压器件区域的衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层和浅沟槽上形成硬掩膜层；步骤二：采用干法刻蚀去除高压器件区域上的部分硬掩膜层；步骤三：采用第一清洗液去除高压器件区域和浅沟槽交叠部分的部分厚度的浅沟槽，以使残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层暴露出来；步骤四：采用第二清洗液去除残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层采用上述半导体器件的制造方法，可以有效改善了高压器件栅氧层的形貌，从而提高高压半导体器件的可靠性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]高压半导体器件及其制造方法-CN201010231042.8有效
发明人：胡林辉;姜艳;刘先锋;黄海涛;徐旭 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，所述高压半导体器件包括：基底；形成于基底中的第一阱区和第二阱区；形成于第一阱区和第二阱区中的场注入区，场注入区与第一阱区和第二阱区均交叠；形成于第一阱区中的源区高压半导体器件中第二阱区和场注入区共同构成该高压半导体器件的漂移区。当漏端加高压时，与第一阱区交叠部分的场注入区将会耗尽，因此，改善了鸟嘴附近的电场分布，提高半导体器件的击穿电压。在不改变工艺流程和增加制造成本的前提下，最大限度的提高了器件的击穿电压。
高压半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610633429.3有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括低压器件区、高压器件区和核心器件区，在低压器件区、高压器件区和核心器件区形成虚拟栅极氧化层和虚拟栅极，以及包围虚拟栅极氧化层和虚拟栅极的层间介电层；去除高压器件区中的虚拟栅极以形成第一开口，并在第一开口中的虚拟栅极氧化层上形成附加氧化层；去除低压器件区和核心器件区中的虚拟栅极以分别形成第二开口和第三开口；去除第三开口中的虚拟栅极氧化层，并在第三开口中形成界面层该制作方法可以提高器件性能。该半导体器件和电子装置具有较高的性能。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]三电平集成式中、高压变频器-CN200610038466.6无效
发明人：杨志;吴济安;郭效军;赵争鸣;杨志勇;钱诗宝;白华 -专利权人：国电南京自动化股份有限公司;清华大学
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H02M5/451 文献下载
摘要：本发明涉及一种三电平集成式中、高压变频器。属于电力电子技术领域。它包括至少一套三分裂降压变压器；至少一套12脉冲整流单元；至少一套整流吸收单元；母线功率半导体开关器件快速保护单元；至少一套集成了功率半导体开关器件自动均压功能的三电平逆变单元；一套集成滤波升压单元。本发明解决使用IGBT器件级联方式作为主电路的中高压变频器，功率半导体开关器件数目较多、可靠性低的问题；解决了传统三电平方式中高压变频器缺少母线功率半导体开关器件快速保护单元问题，扩大了中高压变频器的应用领域
电平集成高压变频器

[实用新型]三电平集成式中、高压变频器-CN200620069534.0无效
发明人：杨志;吴济安;郭效军;赵争鸣;杨志勇;钱诗宝;白华 -专利权人：国电南京自动化股份有限公司清华大学
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H02M5/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三电平集成式中、高压变频器。属于电力电子技术领域。它包括至少一套三分裂降压变压器；至少一套12脉冲整流单元；至少一套整流吸收单元；母线功率半导体开关器件快速保护单元；至少一套集成了功率半导体开关器件自动均压功能的三电平逆变单元；一套集成滤波升压单元。本实用新型解决使用IGBT器件级联方式作为主电路的中高压变频器，功率半导体开关器件数目较多、可靠性低的问题；解决了传统三电平方式中高压变频器缺少母线功率半导体开关器件快速保护单元问题，扩大了中高压变频器的应用领域
电平集成高压变频器

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202210109202.4在审
发明人：李劲昊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，衬底包括高压器件区以及低压器件区，低压器件区位于高压器件区的一侧，阻挡层位于高压器件区上，第一凹槽位于低压器件区中，第一氧化层位于阻挡层的远离高压器件区的表面上，第二氧化层覆盖第一凹槽的侧壁，且第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度；去除第一氧化层以及部分的第二氧化层，以使得阻挡层裸露；去除阻挡层后本申请的半导体制作方法不影响有源区关键尺寸，保证了器件的性能较好。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201110038149.5有效
发明人：羽野光隆 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够实现具备自举二极管的半导体装置的节能化的半导体装置。该半导体装置对图腾柱连接的高压侧功率器件和低压侧功率器件的驱动进行控制，其特征在于具备：高压侧驱动电路，具有电路负载，控制该高压侧功率器件；低压侧驱动电路，控制该低压侧功率器件；VCC端子，与该低压侧驱动电路连接，向该低压侧驱动电路供给作为该低压侧驱动电路的电源电位的VCC电位；自举二极管，阳极与该VCC端子连接，阴极与该高压侧驱动电路连接，用于作为该高压侧驱动电路的电源电位的VB电位的充电；以及在该VB电位变得比该
半导体装置

[发明专利]换流臂、串联高压直流变压器及控制方法-CN201911130085.4有效
发明人：谢晔源;王宇;杨晨;张中锋;田杰 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本申请提供换流臂、串联高压直流变压器及控制方法。换流臂的首端连直流正极，尾端连直流负极，中点引出作为换流臂的交流端，换流臂包括至少一个耗能单元和至少一个均压单元；均压单元包括第一直流电容、第一功率半导体器件及串联连接的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件，第三功率半导体器件另一端连接相邻均压单元的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点或耗能单元；第一直流电容一端连接第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点，第一功率半导体器件一端连接第一直流电容另一端，第一功率半导体器件另一端连接第四功率半导体器件另一端，所有均压单元的第一功率半导体器件同向依次串联。
换流串联高压直流变压器控制方法