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[发明专利]用电场控制马约拉纳零能模移动的方法-CN201911131737.6有效
发明人：马海洋;贾金锋 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：一种用电场控制马约拉纳零能模移动的方法，采用磁电层构建由电场控制的局域磁场阵列，通过局域磁场阵列束缚或者直接在拓扑超导体上产生负载MZM的磁通涡旋，进一步通过移动磁场实现马约拉纳零能模移动以及编织操作。相比于当前方法速度快，能简便控制及移动马约拉纳零能模移动，能够大规模集成。
用电控制马约拉纳零能模移动方法

[发明专利]量子比特电路、量子计算机以及量子比特电路的制造方法-CN202080107411.4在审
发明人：大伴真名步;河口研一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种量子比特电路，具有：具备第一边缘且沿第一方向延伸的第一马约拉纳载体；以及具备第二边缘且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二马约拉纳载体，所述第一马约拉纳载体在所述第一边缘的俯视观察时与所述第二边缘重叠的部分包含能够存在马约拉纳粒子的第一区域，所述第二马约拉纳载体在所述第二边缘的俯视观察时与所述第一边缘重叠的部分包含能够存在马约拉纳粒子的第二区域，所述第一区域的马约拉纳粒子与所述第二区域的马约拉纳粒子能够交换。
量子比特电路计算机以及制造方法

[发明专利]用于原位制造“马约拉纳材料-超导体”混合网络的方法以及通过该方法制造的混合结构-CN201880012815.8在审
发明人： P.舒菲尔根;D.罗森巴赫;D.格吕茨马赫;T.谢佩斯 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造马约拉纳材料‑超导体混合结构的方法，其中在荫罩的辅助下在马约拉纳材料上施加超导材料，并且其中在衬底（1）上首先产生第一掩模（2,3），用于结构化地施加马约拉纳材料（6），以及产生其他掩模（荫罩）（4,5），用于超导材料（7）的结构化生长，第一掩模和其他掩模相对彼此对准，并且其中马约拉纳材料和超导层的施加在没有在惰性氛围中的中断的情况下优选在真空中并且特别有利地在超高真空中来进行。所制造的混合结构包括至少一个结构化的马约拉纳材料和至少一个在其上布置的超导材料以及钝化层，其中结构化的马约拉纳材料具有线形构型，其具有0.1至100μm之间的长度、10和200nm之间的宽度和具有12至结构化的马约拉纳材料和至少一个在其上布置的超导材料之间的界面有利地是无污染的。结构化的马约拉纳材料的表面完全地要么由优选超导的材料要么由钝化层覆盖。
结构化超导材料掩模混合结构优选超导体钝化层施加制造荫罩超高真空惰性氛围混合网络结构化地层厚度超导层衬底构型对准中断生长覆盖

[发明专利]基于拓扑半金属纳米结构的拓扑量子比特装置及实现方法-CN202110952523.6有效
发明人：廖志敏;初纯光;王安琦;李娜 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明在拓扑半金属单晶纳米结构和超导层的异质结中形成拓扑超导体，通过顶栅和背栅的双栅电压调控载流子迁移率，从而调控量子限制效应，使纳米结构的电子能带结构的拓扑性质发生变化，在拓扑能带区间的两端各形成一个马约拉纳量子态，并通过栅压调控拓扑相变对马约拉纳量子态进行编织操作，以物理构筑拓扑量子比特；本发明基于拓扑半金属纳米结构的拓扑相变，构建马约拉纳量子态，保证马约拉纳量子态不会因波函数重叠而退相干，提高了拓扑量子比特器件的鲁棒性；马约拉纳量子态的编织操作只需纯电学调制，无需外加磁场，操作简单，有利于拓扑量子比特的集成和应用。
基于拓扑金属纳米结构量子比特装置实现方法

[发明专利]在悬浮的马约拉纳费米子设备中的离子注入限定的纳米棒-CN202080080387.X在审
发明人： S·霍姆斯;D·萨达纳;S·哈特;P·古曼;S·比德尔;李宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。
悬浮马约拉纳费米设备中的离子注入限定纳米

[发明专利]基于马约拉纳的仅测量表层编码架构-CN202180016058.3在审
发明人： R·B·鲍尔;P·邦德森;A·D·德兰 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：一种量子设备，包括使用多个马约拉纳量子比特岛实现纠错码的校正子测量电路。校正子测量电路适于通过执行仅测量操作的序列来实现校正子测量，其中每个仅测量操作涉及最多两个马约拉纳量子比特岛。
基于马约拉纳测量表层编码架构

[发明专利]小马约拉纳费米子代码-CN201880014373.0有效
发明人： M·黑斯廷斯 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06N10/80 文献下载
摘要：在特定实施例中，公开了具有少量模式和距离的马约拉纳费米子稳定器代码。特定实施例具有距离4代码的逻辑量子位数的上限，并且构造了使该界限饱和的马约拉纳费米子代码。还公开了其他距离4和6代码。
小马约拉纳费米代码

[发明专利]形成用于制造图案化结构的遮蔽壁的方法-CN202080100066.1在审
发明人： J·P·H·荣格;R·L·M·奥普·海特·维尔德 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：在实施例中，第二材料可以是半导体并且沉积材料可以是超导体，并且该方法可用以形成用于引发马约拉纳零能模的一个或多个半导体‑超导体纳米线，以作为量子计算设备的一部分。
形成用于制造图案结构遮蔽方法

[发明专利]半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件-CN201980102748.3在审
发明人： P·克罗格斯拉普·杰普森;S·瓦伊缇克纳斯;C·M·马库斯 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：所述器件对于生成马约喇纳零模式是有用的，所述马约喇纳零模式对于量子计算是有用的。还提供了一种制造所述器件的方法以及在所述器件中诱发拓扑行为的方法。
半导体绝缘体超导体混合器件

[发明专利]通过探测拓扑简并度来校准马约拉纳量子位-CN202180059467.1在审
发明人： T·卡尔齐格;R·M·鲁钦;J·I·瓦里南;R·B·鲍尔 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：该方法可以包括设置针对量子位架构的多个设备参数，该量子位架构包括多个马约拉纳零模式(MZM)。该方法还可以包括至少部分地通过确定多个MZM是否呈现基态简并度来校准多个设备参数。
通过探测拓扑校准马约拉纳量子

[发明专利]半导体-超导体纳米线和基于其的量子设备的形成和制造-CN201980048403.4在审
发明人： M·H·弗里德曼;B·范海克;G·W·温克勒;T·卡基格;R·卢奇;P·克罗格斯拉普·杰普森;C·纳雅克;C·M·马库斯;S·瓦伊缇克纳斯 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：在第一方面中，纳米线中的至少一些纳米线是全壳纳米线，其中超导体材料沿着线的长度中的一些或全部长度围绕半导体材料的整个周边被涂覆，其中设备可操作以在全壳纳米线的一个或多个有源纳米线中诱发至少一个马约拉纳零模
半导体超导体纳米基于量子设备形成制造

[发明专利]经由测量的鲁棒马约拉纳神奇门-CN201980085105.2在审
发明人： T·卡基格 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：所公开的技术的实施例涉及一种用于在量子计算设备中实现π/8相位门的方法。在某些实施例中，量子电路使用混合测量方案被从初始态向目标态演化。混合测量方案可以包括向量子电路应用一个或多个测量，该一个或多个测量朝向目标态投影量子电路；以及应用一种或多种绝热或者非绝热技术，该一种或多种绝热或者非绝热技术朝向目标态绝热地演化量子电路。
经由测量鲁棒马约拉纳神奇

[发明专利]一种可饱和吸收体的制备方法及多模光纤激光器-CN202011329220.0有效
发明人：罗爱平;吴家文;罗智超;林旭斌;徐文成 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种可饱和吸收体的制备方法及多模光纤激光器。通过熔融拉锥法将普通多模光纤拉锥成微纳光纤，然后再使用光学沉积法将石墨烯沉积到多模微纳光纤表面上，从而制备成石墨烯包覆多模微纳光纤可饱和吸收体；同时，提供了基于该可饱和吸收体的全光纤结构多模光纤激光器，实现了脉冲能量为311.0nJ的高能量调Q锁模脉冲输出；本发明的多模光纤激光器具有全光纤结构、输出脉冲能量高和体积小等优点，而激光腔中使用的石墨烯包覆多模微纳光纤则具有饱和功率高、调制深度高、制作简单和成本低等优点
一种饱和吸收体制备方法光纤激光器

[发明专利]一种氟雷拉纳有关物质及其制备方法-CN202310254140.0在审
发明人：陈强;陈琰;郭畅;韩丙星;李建国;杨申永;方军;王玲 -专利权人：艾美科健（中国）生物医药有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07D273/08 文献下载
摘要：本发明公开了氟雷拉纳有关物质及其制备方法，涉及医药中间体合成技术领域，一种氟雷拉纳有关物质，作为测定氟雷拉纳纯度的标准品，能够保证氟雷拉纳有关物质的结构鉴定和杂质限量的控制，保证氟雷拉纳药品质量和安全性；本发明的氟雷拉纳的制备方法，反应条件温和，合成难度低，绿色环保，总收率能达到40%以上，具有广泛的应用前景。
一种氟雷拉纳有关物质及其制备方法

[发明专利]用于圆筒形金属零件一次性拉深成型的模具-CN201410713549.5有效
发明人：张孟孙;杨卫宾 -专利权人：陕西宝成航空仪表有限责任公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：提供一种用于圆筒形金属零件一次性拉深成型的模具，具有上模和下模，所述弹性卸料装置的中心孔内设有凹凸模且凹凸模固定在上模下端面上，所述凹凸模轴向下端制有拉深成形孔，所述凹模上端面设有零件毛坯且零件毛坯通过上模的下移使弹性装置压紧后由拉深成形孔与拉深凸模上端配合拉深成圆筒形零件，所述上模下移至凹凸模插入凹模的中心孔位置时通过凹凸模与凹模的配合将零件毛坯外圆剪切，所述上模下移至圆筒形零件拉深成形后由制于拉深凸模上的剪切凸台和拉深成形孔下端相互作用将零件剪切。本发明结构简单，操作方便，圆筒形零件一次成形，无需对其进行二次加工，降低了圆筒形零件的制造成本，缩短了加工周期。
用于圆筒金属零件一次性成型模具

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