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[发明专利]圆心对称型3D基板镀膜方法-CN202111486929.6在审
发明人：吴景扬;高维笛;简昆峰;周宗震 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种圆心对称型3D基板镀膜方法，包含：将一3D基板、一遮罩以及一溅镀靶材配置于一中轴线上，其中所述遮罩具有一中央开口且配置于所述3D基板与所述溅镀靶材之间，而所述3D基板具有一圆形截面；以及以所述中轴线为转轴，使所述遮罩与所述3D基板相对转动，并执行一溅镀步骤，以让所述溅镀靶材的物质溅射并通过所述中央开口而沉积到所述3D基板上。
圆心对称镀膜方法

[发明专利]一种塑料管材溅镀系统-CN202111605543.2在审
发明人：马续峰;赵坤 -专利权人：马续峰
申请日： 2021-12-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于镀膜技术领域，具体的说是一种塑料管材溅镀系统，包括溅镀箱，溅镀箱上设置有工件架；溅镀箱内设置有真空模块和靶材；溅镀箱外部设置有牵引机构；积渣模块用于对溅镀箱内壁的溅射粒子进行处理；在溅镀箱内壁位置的积渣模块中设置有回收板；回收板用于吸附溅射粒子；本发明解决了塑料管材溅镀设备在溅镀过程中一部分的溅射粒子会在溅镀箱内壁上沉积，由于溅射粒子与溅镀箱内壁的结合力较弱，当溅射粒子再次溅射到溅镀箱内壁时，容易使得之前沉积的粒子脱落形成碎渣，若这些碎渣掉落到靶材的表面会严重影响镀膜的质量的问题。
一种塑料管材系统

[发明专利]溅镀靶材和溅镀靶-CN201980006346.3有效
发明人：田尾幸树;畠英雄 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅镀靶材和溅镀靶。溅镀靶材包含锌(Zn)的氧化物、锡(Sn)的氧化物及锆(Zr)的氧化物，其中相对于氧(O)以外的所有元素，锌的含量AZn为超过0at％且50at％以下，锡的含量Sub>Zn满足下述式(1)；经测定的多个比电阻值中最大值相对于最小值的比为3以下，及所述比电阻值为5×10‑1[Ω·cm]以下；而且所述溅镀靶材不含有铟
溅镀靶材溅镀靶

[实用新型]一种快拆式溅镀阴极-CN200820140082.X无效
发明人：姚朝祯 -专利权人：钰衡科技股份有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快拆式溅镀阴极，包括有：上本体，其具有一第一中空轴心、一套设于该第一中空轴心的上支撑轴、一活动地穿设于该上支撑轴的上遮盖固定座以及一设置于该第一中空轴心上的联轴器；靶材组，其具有一内管、一设置于该内管中的第二中空轴心、一设置于该第二中空轴心一端且在内管下方的靶材下盖、一套设于该内管外部的靶材以及一设置于该靶材上端的靶材上盖；下本体，其具有一传动轴心、一套设于该传动轴心外部的下支撑轴以及一活动地穿设于该下支撑轴的下遮盖固定座；采用上述结构，本实用新型可适用于立式溅镀设备并提升溅镀阴极装卸与溅镀靶材更换的便利性。
一种快拆式溅镀阴极

[发明专利]磁控溅镀真空室及其控制方法-CN202111658487.9在审
发明人：陈立;薛闯;李俊杰;李新栓;寇立;黄乐;孙桂红;潘继峰 -专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。本发明提供的磁控溅镀真空室及其控制方法确保整个系统内均处于真空，以保证磁控溅射时的真空程度。
磁控溅镀真空及其控制方法

[发明专利]利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法-CN201110281464.0无效
发明人：杨能辉;林俊荣 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法，其是将氧化铝锌靶材于氩气及硫化氢气体中溅镀于一可供制作太阳能电池的具有铜铟镓硒层的基材上，以生成ZnO1-xSx薄膜，作为缓冲层；再将氧化铝锌靶材于氩气及氧气中溅镀于该缓冲层上，以生成高阻值的氧化铝锌薄膜，作为透光层；再将氧化铝锌靶材直接溅镀于透光层上后，以生成氧化铝锌薄膜，作为电极导电层。本发明仅需利用一种氧化铝锌靶材于同一反应腔体中，于不同气体下溅镀，即可于一太阳能电池的基材上生成不同成分的薄膜作为缓冲层、透光层及导电层，而应用于太阳能电池的制造。
利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜方法

[发明专利]一种溅镀托盘及溅镀治具-CN201911064861.5有效
发明人：周振国;程金桥;胡正华;方宁;王厦 -专利权人：环旭电子股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种溅镀托盘及溅镀治具，溅镀托盘位于溅镀腔室内的靶材正下方，其上摆放装有待溅镀产品的治具，包括：托盘本体；以及，若干支撑结构，设置在所述托盘本体上，所述支撑结构具有用于使其上摆放的所述治具朝向托盘本体的中轴线倾斜的支撑面，所述支撑面远离所述中轴线一边的高度高于靠近所述中轴线一边的高度，以增加被击落的靶材原子与治具上靠近托盘本体边缘处产品侧面的接触几率，以保证溅镀产品的膜厚均匀。
一种托盘溅镀治具

[发明专利]一种对触控面板载体玻璃进行定点溅镀导电材料的装置-CN201210127835.4无效
发明人：矣红;钟刚 -专利权人：江苏昭阳光电科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对触控面板载体玻璃进行定点溅镀导电材料的装置，对载体玻璃进行定点溅镀，包括靶材、前电极和射线发生器，射线发生器的射线轰击靶材，还包括矩阵开关板和固定装置，所述靶材和前电极连接，均设置在载体玻璃的一侧并不接触载体玻璃，矩阵开关板设置在载体玻璃的另一侧并和载体玻璃平行设置，矩阵开关板和载体玻璃通过固定装置定位；取消了机械移动电极，实现载体玻璃定点溅镀时能够定点移动迅速、准确定位和提高溅镀工作效率的有益效果。
一种面板载体玻璃进行定点导电材料装置

[实用新型]一种对触控面板载体玻璃进行定点溅镀导电材料的装置-CN201220185619.0有效
发明人：矣红;钟刚 -专利权人：江苏昭阳光电科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种对触控面板载体玻璃进行定点溅镀导电材料的装置，对载体玻璃进行定点溅镀，包括靶材、前电极和射线发生器，射线发生器的射线轰击靶材，还包括矩阵开关板和固定装置，所述靶材和前电极连接，均设置在载体玻璃的一侧并不接触载体玻璃，矩阵开关板设置在载体玻璃的另一侧并和载体玻璃平行设置，矩阵开关板和载体玻璃通过固定装置定位；取消了机械移动电极，实现载体玻璃定点溅镀时能够定点移动迅速、准确定位和提高溅镀工作效率的有益效果。
一种面板载体玻璃进行定点导电材料装置

[发明专利]一种智能玻璃阳极电致变色层镀膜材料的制备方法-CN201710211153.4在审
发明人：黄信二 -专利权人：深圳市景创科技电子有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能玻璃阳极电致变色层镀膜材料的制备方法，使用注浆成型加真空高温烧结的方式来制作相关靶材，藉由高温烧结过程中真空处理及添加第二种元素在氧化镍中，造成氧的空缺产生电载子移动性来提高材料的导电性，提高靶材均匀性及致密度，大幅降低溅镀过程中异常电弧的产生，延长靶材寿命及利用率，提高溅镀薄膜质量及性能。溅镀时使用脉冲DC,AC或是MF等电源可以获得稳定的溅镀电弧,溅镀过程中只需通入少量的氧气,不易造成落尘,同时采用阶段升温烧结的工艺及在氩气中添加其他气体，溅镀成膜速率可以提高5‑10倍左右,并提高薄膜的平坦度及大面积的均匀度
溅镀电致变色层阳极镀膜材料智能玻璃制备薄膜高温烧结过程真空高温烧结导电性电弧靶材均匀性氩气靶材寿命阶段升温异常电弧真空处理注浆成型烧结电载子均匀度平坦度氧化镍移动性脉冲靶材成膜落尘氧气电源空缺制作

[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]一种具有复合靶材的卷对卷溅镀制程与其制成品-CN201510917113.2有效
发明人：张靖郁;廖建发 -专利权人：金鸿医材科技股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种具有复合靶材的卷对卷溅镀制程，包含：自一放卷轴输出一软性高分子基材；溅镀一复合靶材至该软性高分子基材上，以形成有一贵金属薄膜与一一般金属薄膜；利用激光在该一般金属薄膜与该贵金属薄膜上分别形成一第一电极图案与一第二电极图案并提供利用具有复合靶材的卷对卷溅镀制程生产的制成品。相较于现有技术，本发明利用将多种金属分段接合所形成的复合靶材进行溅镀，能在软性基材上同时形成多种金属薄膜，具有缩短加工工时与工序以节省成本的效果。
一种具有复合卷溅镀制程与其制成品

[发明专利]一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备-CN201910998723.8在审
发明人：吴浪生 -专利权人：吴浪生
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备，其结构包括机体、真空镀膜腔体、机头、散热口，机体与机头为一体化，机头上设有用于控制真空镀膜腔体的控制面板，散热口设于机体的下方侧边，真空镀膜腔体的内部设有真空抽吸口、绝缘体、水冷口、电极发射层、溅镀气体入口、镀膜靶材层、正极基底、靶材均分板、拉杆，真空抽吸口与溅镀气体入口对称分布在真空镀膜腔体的两侧，电极发射层中携带有负极与正极基底、靶材均分板、镀膜靶材层正对，本发明靶材首先喷溅在靶材均分板上，利用集材腔、连接通杆与螺旋式均分腔，螺旋式均分腔配合转盘，在高速转动下将靶材均匀扩散在晶圆表面上，避免出现阶梯披覆合作和厚度不均的问题。
靶材真空镀膜腔均分板溅镀正极真空抽吸口电极发射气体入口螺旋式散热口镀膜基底机头绝缘体对称分布高速转动厚度不均晶圆表面均匀扩散控制面板物理镀膜负极接通杆侧边集材晶圆拉杆披覆水冷正对转盘一体化携带配合合作

[发明专利]铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜-CN202110156495.7有效
发明人：陈美涵;谢承谚;刘砚鸣 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种铟锆硅氧化物靶材，其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相。藉由控制铟锆硅氧化物靶材所包含的结晶相，可使铟锆硅氧化物靶材维持高相对密度并具有低于4×10‑3奥姆‑厘米的平均体电阻率，从而显著降低直流溅镀期间发生的电弧放电次数本发明另提供上述铟锆硅氧化物靶材的制作方法，其是将硅酸锆粉末及三氧化二铟粉末于真空环境下利用热压烧结的方式制备铟锆硅氧化物靶材，借以防止铟锆硅氧化物靶材产生双硅酸二铟结晶相。本发明亦提供一种铟锆硅氧化物薄膜，其是利用本发明的铟锆硅氧化物靶材经直流溅镀法溅镀而成。
铟锆硅氧化物及其制法薄膜

[实用新型]用于真空溅镀的平面Sn靶材-CN201120551643.7有效
发明人：朱振华;庄世雄 -专利权人：昆山全亚冠环保科技有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于真空溅镀的平面Sn靶材，包括背板和靶材基体，它还包括设置在所述背板和所述靶材基体之间的阻隔层，通过在背板上电镀或者电刷镀阻隔层，有效的防止了Cu元素的扩散，进而提高了靶材的纯度。
用于真空平面 sn 靶材