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[实用新型]一种硅基异质结太阳电池-CN201020102974.8无效
发明人：倪开禄;彭德香;陶然;张正权;沈文忠;司新文;张剑;孟凡英;彭铮;李长岭;高华;李正平;周红芳 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应
一种硅基异质结太阳电池

[发明专利]P型单晶硅HIT光伏电池及其制造方法-CN201811039122.6有效
发明人：管先炳 -专利权人：山西潞阳光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型单晶硅HIT光伏电池的制造方法，该方法包括以下步骤：对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理，在所述P型单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；在所述P型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；在所述P型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层以及第四P型非晶硅层；在所述第四N型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。
单晶硅 hit 电池及其制造方法

[实用新型]一种非晶硅太阳能电池组件-CN200920120616.7无效
发明人：孙龙学 -专利权人：孙龙学
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种非晶硅太阳能电池组件，包括非晶硅太阳能电池板、覆盖在所述非晶硅太阳能电池板上的EVA膜、覆盖在所述EVA膜上的玻璃背板以及接线盒，所述的非晶硅太阳能电池板由三组非晶硅太阳能电池并联而成，每组非晶硅太阳能电池由13块单块非晶硅太阳能电池串联而成，每块单块非晶硅太阳能电池的宽度为15.5mm。本实用新型在单个非晶硅电池宽度不变的情况下实现低压大电流高功率电池组件。
一种非晶硅太阳能电池组件

[实用新型]P型硅衬底异质结电池-CN201320194906.2有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬;杨同春 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。
衬底异质结电池

[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及阵列基板-CN201811586415.6在审
发明人：杨凤云;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。本发明通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。
非晶硅层阵列基板沉积制备栅极绝缘层主动开关掺杂型金属层两层衬底基板图像残留制备装置图形化

[发明专利]非晶硅薄膜退火方法和装置-CN202310283197.3在审
发明人：孟子博;李宏伟;杨广涛;张学玲;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜退火方法及装置。非晶硅薄膜退火方法包括：将完成非晶硅薄膜的制备的待处理件放置于工艺腔内；向工艺腔内通入保护气体，同时排出工艺腔内的气体，直至工艺腔内的氧气被全部排出；周期性地向非晶硅薄膜加载微波功率，以对非晶硅薄膜进行微波退火，并控制加载微波功率的总时长以及每个周期中的功率加载时段和功率停止时段，以获得具有低缺陷密度非晶硅层的非晶硅薄膜。通过控制加载微波功率的总时长以及每个周期中的功率加载时段和功率停止时段，使得非晶硅薄膜的温度升高至可以降低其非晶硅层的缺陷密度，但又不会改变其非晶硅层的晶体形态。
非晶硅薄膜退火方法装置

[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法-CN201610232185.8在审
发明人：黄广明 -专利权人：黄广明
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池从上而下依次为：电池的正极1、减反射膜2、透明导电前电极3、非晶硅P层4、非晶硅本征层5、微晶硅N层6、微晶硅P层7、非晶硅I层8、N型硅衬底9、非晶硅I层10、非晶硅N层11、透明导电背电极12、电池的负极13。
一种晶体非晶硅双节太阳能电池及其制造方法

[发明专利]全背型异质结太阳电池及其制备方法-CN201610028152.1有效
发明人：包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-01-16 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。
接触异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201210531450.4有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底表面形成第一掺杂类型微晶硅层，所述第一掺杂类型微晶硅层受到应力作用；在所述第一掺杂类型微晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基板下表面形成第二电极所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。
非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811523260.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本发明采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池电极结构导电膜晶硅制备光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构-CN201822090103.8有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本实用新型采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池本实用新型导电膜晶硅光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[发明专利]一种异质结电池的制备方法-CN202210306227.3有效
发明人：周肃;龚道仁;徐晓华;张良;张景 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底层，在所述半导体衬底层至少一侧形成掺杂非晶硅膜；对所述掺杂非晶硅膜在富氧条件下进行晶化处理，使所述掺杂非晶硅膜形成掺杂微晶硅膜本发明的异质结电池的制备方法中，掺杂微晶硅膜由掺杂非晶硅膜晶化后形成，采用沉积非晶硅膜而后再微晶化的方式，其设备成本相对于直接沉积微晶硅膜的设备成本较低，且非晶硅膜晶化工艺简单，可显著降低生产成本。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[发明专利]非晶硅半导体TFT背板结构-CN201510586074.2有效
发明人：吕晓文;苏智昱;蒙艳红;梅文淋 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅半导体TFT背板结构，其半导体层(4)为多层结构，包括接触栅极绝缘层(3)的底层非晶硅层(41)、接触源级(6)与漏极(7)的N型重掺杂非晶硅层(42)、夹设于底层非晶硅层(41)与N型重掺杂非晶硅层(42)之间的至少两层N型轻掺杂非晶硅层(43)、将每相邻两层轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第一中间非晶硅层(44)、及将N型重掺杂非晶硅层(42)与最靠近该N型重掺杂非晶硅层(42)的轻掺杂非晶硅层(43)间隔开的第二中间非晶硅层(45)；这种结构进一步降低了源漏极和半导体层之间的能量势垒，使电子注入更加容易，保证了开态电流不会降低，同时可以提高空穴传输的势垒，降低漏电流，提高TFT
非晶硅层非晶硅半导体半导体层背板结构轻掺杂两层电学稳定性栅极绝缘层电子注入多层结构开态电流空穴传输能量势垒漏电流源漏极夹设漏极势垒源级保证

[实用新型]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池-CN201220507911.X有效
发明人：高艳涛;姜庆堂;邢国强;陶龙忠;张斌;何恬 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，所述电池从上而下依次为：电池的正极、透明导电电极、非晶硅P层、非晶硅本征层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电电极、电池的负极；该电池充分的利用了太阳的光谱，并具有双面发电的优势，本实用新型最大限度的提高晶体硅的有效少子寿命；提高电池的转化效率；再则，整个制造过程采用薄膜电池的制备工艺和设备，制造成本较低。
一种晶体非晶硅双节双面电池