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[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200710075055.9有效
发明人：许志杰;颜硕廷 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，该薄膜晶体管基板包括一基底；一形成在该基底上的栅极；一形成在该栅极和该基底上的栅极绝缘层；一形成在该栅极绝缘层上的非晶硅图案；一形成在该非晶硅图案上的重掺杂非晶硅图案；和形成在该重掺杂非晶硅图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极；其中，该非晶硅图案包括一高电阻部分，其电阻高于该非晶硅图案其它部分的电阻。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]多晶硅层及其制造方法-CN200610095644.9有效
发明人：林炯暐;李圣琦;陈易良;黄瑞成;邓德华 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制造方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板，并在基板上形成一非晶硅层。在非晶硅层上形成一图案化金属层。然后，进行一脉冲模式快速升温退火处理制程，以在图案化金属层与非晶硅层之间形成一金属硅化物，且图案化金属层与金属硅化物将热能传导至非晶硅层，以使非晶硅层转换成一多晶硅层。最后，移除图案化金属层。因此，此多晶硅层较不易产生金属污染的现象。
多晶及其制造方法

[发明专利]多晶硅层的制作方法-CN200710181131.4有效
发明人：蔡依芸;丘绍裕;马佳萱;游培甄 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制作方法。首先，提供基板。接着，于基板上形成非晶硅层。再来，提供图案化光掩模，此图案化光掩模包括透光区与遮光区，且以图案化光掩模为罩幕，对非晶硅层照射一光线，其中，对应透光区的非晶硅层转变为亲水性的非晶硅层，而对应遮光区的非晶硅层为疏水性的非晶硅层。继而，提供亲水性金属催化剂，配置在亲水性的非晶硅层上。之后，进行退火制程，使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层，并且，经由金属催化剂层的作用使非晶硅层转变为多晶硅层。
多晶制作方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110333182.4在审
发明人：张权;董金文;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：制备方法包括：提供半导体器件，其中，所述半导体器件上设有非晶硅层；透过所述非晶硅层识别被所述非晶硅层覆盖的布线以进行曝光对准，图案化所述非晶硅层；在图案化后的所述非晶硅层的侧壁形成间隔层；去除图案化后的所述非晶硅层
半导体器件及其制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制造方法、TFT、阵列基板及显示装置-CN201410281754.9在审
发明人：王志强;康峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制造方法、TFT、阵列基板及显示装置。所述低温多晶硅薄膜的制造方法，包括在衬底上形成非晶硅层，利用掩膜板保护非晶硅层上源电极和漏电极所在区域，经干刻形成图案，再经晶化处理后形成低温多晶硅层。本发明通过在原工艺中，非晶硅层晶化之前对其进行预处理，使其形成特定的图案，从而使得在晶化过程中图案下的非晶硅层接近完全熔融，而其他部分完全熔融，硅沿着图案下的籽晶生长，可以提高区域晶粒生长的均匀性。
低温多晶薄膜制造方法 tft 阵列显示装置

[发明专利]图像传感器结构及其制造方法-CN200610143308.7无效
发明人：陈宥先;黄明山;汪嘉将 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器结构的制造方法，包括：提供基板；在上述基板上形成图像传感器电路结构；在上述图像传感器电路结构上形成图案化停止层；顺应性地在上述图案化停止层上和未被上述图案化停止层覆盖的上述图像传感器电路结构上依次形成电极层、第一掺杂非晶硅层和第一未掺杂非晶硅层；以及进行平坦化步骤，以移除部分上述第一未掺杂非晶硅层、上述第一掺杂非晶硅层以及上述电极层直至上述图案化停止层，使剩余的上述电极层、上述第一掺杂非晶硅层和上述第一未掺杂非晶硅层被该图案化停止层分隔
图像传感器结构及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板制造方法-CN200610060411.5有效
发明人：林耀楠 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；在一道光罩制造过程中，形成预定图案的栅极及像素电极；又一道光罩制造过程中，形成掺杂非晶硅图案、非晶硅图案与栅极绝缘层图案；在掺杂非晶硅层上对应该栅极形成一光阻层图案；在该绝缘基底、掺杂非晶硅层、光阻层图案及像素电极上沉积一源/漏极金属层；移除该光阻层图案形成源/漏极金属层图案，并进一步蚀刻该掺杂非晶硅层对应该光阻层图案的部分形成一沟槽；以另一道光罩制造过程形成钝化层图案
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制作方法-CN201710155595.1有效
发明人：张振刚;孙宏;宋江;赵崇亮;王海清;萧生刚 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其中，该背接触异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，载流子收集层包括设置在第一钝化层上的第一层和设置在第一层上的第二层；第一层由n型非晶硅和p型非晶硅间隔设置形成；第二层为设置在第一层的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者第二层为设置在第一层的p型非晶硅上的n型非晶硅。本发明的技术方案中，在已经形成的p型或n型非晶硅图案上，全表面覆盖一层n型或p型非晶硅，只需要做一次图案形成，省略了第二次的非晶硅图案形成，不存在两次图案之间的定位问题，极大简化了生产工艺，有利于背接触异质结电池的量产
接触异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置-CN201810837809.8有效
发明人：杜建华;王鑫;强朝辉;高宇鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，利用导电层焦耳热诱导非晶硅转化为多晶硅，不需要ELA设备，可降低成本、简化工艺。该制备方法包括：提供衬底基板；衬底基板的表面包括至少一个预设区域；在表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层，在表面上的正投影均覆盖预设区域；对非晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个非晶硅图案；在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案；或者，在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导非晶硅层位于预设区域内的部分转化为多晶硅层；对多晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个多晶硅图案
显示及其制备方法显示装置

[发明专利]低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板-CN201910995575.4在审
发明人：聂晓辉 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板。本发明的低温多晶硅基板的制作方法，先在衬底基板上依次沉积形成缓冲层和非晶硅层，在非晶硅层和缓冲层上图案化形成多条沟槽，该多条沟槽将所述非晶硅层分隔成多个相互独立的单元格，然后再对所述非晶硅层进行退火处理以结晶形成多晶硅层，最后对该多晶硅层进行图案化处理，每一单元格对应形成一个有源层图案；本发明通过在非晶硅层和缓冲层上设置沟槽，在非晶硅层退火结晶形成多晶硅层的过程中为晶粒横向生长提供空间，从而能够降低多晶硅层的薄膜应力，避免多晶硅薄膜凸起，提高低温多晶硅制程的可靠性，进而提高TFT器件的电学性能。
低温多晶硅基板制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法-CN201510713860.4有效
发明人：孟林 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：提供基板；在基板上形成缓冲层；对缓冲层进行湿蚀刻；在湿蚀刻后的缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行干蚀刻，形成由至少一个沟道构成的非晶硅图案；将缓冲层部分蚀刻；将非晶硅图案进行处理使其中的非晶硅转变为多晶硅以形成多晶硅图案；对沟道进行掺杂；在缓冲层和多晶硅图案上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成第一金属层。通过上述方式，本发明能够使低温多晶硅薄膜晶体管的沟道宽度值明显变小，薄膜晶体管之间的线距变大，更利于低温多晶硅薄膜晶体管的散热。
缓冲层低温多晶硅薄膜晶体管沟道多晶硅图案非晶硅图案非晶硅层栅绝缘层湿蚀刻基板蚀刻薄膜晶体管第一金属层多晶硅非晶硅干蚀刻散热变小线距制造掺杂

[发明专利]LTPS薄膜及薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201210478997.2有效
发明人：田雪雁;龙春平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜制备方法，包括：提供一基板；在基板上依次形成导热绝缘层、缓冲层和非晶硅层；其中，导热绝缘层具有规则分布的图案；对非晶硅层进行高温处理和激光退火，使非晶硅层形成多晶硅薄膜。本发明还公开了所制得的低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。本发明通过在基板上增加一层图案状的导热绝缘层，使得非晶硅层进行激光退火时，非晶硅薄膜中的导热状况发生变化，产生温度梯度。激光退火时，非晶硅薄膜在有导热绝缘层图案的区域，由于热量被快速吸收，这些区域会比其它区域冷却得更快，能够先行形成结晶核，经过退火过程，结晶核再继续向周围生长，一直到生长为大的多晶硅晶粒，并且分布均匀。
ltps 薄膜薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]非晶硅层的结晶方法及其光掩模-CN200610151610.7无效
发明人：朱芳村;林家兴 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种非晶硅层的结晶方法，包括下列(A)～(E)的步骤。(A)提供已形成非晶硅层的基板。(B)提供光掩模，其具有光掩模图案，光掩模图案包括彼此成镜像对称的第一区域图案与第二区域图案。(C)选取第一区域图案为第一照射区域，并往第一方向移动基板，以使激光束通过第一区域图案而照射在沿着第一方向上的非晶硅层上。(D)选取第二区域图案为第二照射区域，并往与第一方向相反的第二方向移动基板，以使激光束通过第二区域图案而照射在沿着第二方向上的非晶硅层上。(E)重复(C)、(D)步骤，使基板上的非晶硅层完全转变为多晶硅层。
非晶硅层结晶方法及其光掩模

[发明专利]多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法-CN200610172718.4有效
发明人：殷华湘;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。
多晶图案形成方法多层交叉点电阻存储器制造

[发明专利]驱动背板的激光退火工艺及掩膜版-CN201910107922.5在审
发明人：关峰;王治;许晨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：其中，驱动背板的激光退火工艺包括以下步骤：在驱动背板形成非晶硅层；利用激光源通过掩膜版的透光区照射非晶硅层的部分区域，以对暴露在透光区的非晶硅层的部分区域退火形成多晶硅图案；移动掩膜版和激光源，对暴露在透光区的非晶硅层的其他区域退火形成多晶硅图案
非晶硅层驱动背板激光退火透光区掩膜版退火多晶硅图案激光源暴露掩膜照射移动

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