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[发明专利]一种制备微米纳米级球形氮化硅粉的方法-CN201510657967.1在审
发明人：杨乐;袁济青 -专利权人：杨乐
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯度微米纳米级氮化硅粉的方法，包括：将液态四氯化硅加入液氨和有机溶液的石英玻璃反应器中反应，随后得到酸奶状混合物；等待沉淀后，抽出上层液氨并重新加入干净的液氨后搅拌、沉淀、萃取杂质氯化铵；将反应器和二亚氨基硅移入加热炉中，搅拌烘干有机溶液，随后继续升温获得非晶态氮化硅粉；将非晶态氮化硅粉移入碳化硅或氮化硅材质的容器中，焙烧可获得晶态氮化硅粉。本发明低温反应制备了二亚氨基硅粉体，并用液氨洗涤萃取氯化铵提纯，后经多次热处理形成高纯度纳米微米级球形氮化硅粉。本发明的制备过程快速，产量、回收率高，易于控制和提高氮化硅粉的纯度并工业规模化生产。
一种制备微米纳米球形氮化方法

[发明专利]一种氮化硅粉的生产方法-CN201810207094.8在审
发明人：王亮;孟祥曼;江宏富;王敬强;李前程;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)₂固体，通过得到纯净的Si(NH)₂粉末；2）将Si(NH)₂移至高温炉中，煅烧得到非晶态氮化硅粉；3）将得到的氮化硅粉细化、压块后移入高温结晶炉中，煅烧获得晶态氮化硅粉。本发明可连续不间断地合成氮化硅前驱体，同时采用两次煅烧处理即Si(NH)₂低温分解和非晶氮化硅粉的高温结晶，灵活控制最终产品氮化硅粉的粒径、形状及相组成；整个工艺过程没有机溶剂的参与，避免产品氮化硅粉中碳杂质的产生；该产品所用原料国内已规模化生产，实现低成本生产高纯亚微米等轴氮化硅粉。
氮化硅粉煅烧氮化硅前驱体非晶态氮化硅氨气低成本生产高温结晶炉规模化生产低温分解反应合成高温结晶工艺过程灵活控制四氯化硅高温炉机溶剂碳杂质等轴非晶高纯后移晶态粒径细化压块合成生产

[发明专利]GaN外延片及其制备方法-CN201910031467.5在审
发明人：陈弘;胡巍;马紫光;贾海强;王文新;江洋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，所述GaN外延片从下至上依次包括：异质衬底；第一GaN层，所述第一GaN层的上表面具有多个位错坑；第一非晶态氮化硅颗粒，所述第一非晶态氮化硅颗粒中的至少一部分位于所述多个位错坑中GaN外延片的制备方法依次包括下列步骤：1)在异质衬底上形成第一GaN层；2)将第一GaN层的上表面进行湿法腐蚀以得到多个位错坑；3)在所述第一GaN层的上表面上沉积第一非晶态氮化硅颗粒；4)在所述第一GaN层的上表面和所述第一非晶态氮化硅颗粒上形成第二GaN层。
gan 外延及其制备方法

[发明专利]一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备-CN202110599144.3有效
发明人：王开新;赵世维;周正;周志中 -专利权人：合肥中航纳米技术发展有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备，涉及高熔点氮化物粉体制备技术领域。通入高纯氮气，通过进料仓中气旋处理，使粉体物料以均匀气流粉体形态进入等离子体反应器中；启动等离子弧发生器，形成等离子电弧焰流，在催化剂的催化作用下，高纯硅粉物料粉体气流经过等离子电弧焰流快速反应，从而获得非晶态的氮化硅粉体；最后经过管式炉进行煅烧获得高纯α相氮化硅。本发明将经过等离子体气相反应生成的非晶态氮化硅直接进行煅烧，从而获得高纯α相氮化硅。其α相含量为90％左右，β相含量约为10％左右，且制备产物的形貌规则，颗粒均匀度较好，粒径分布均匀，纯度较高。
一种高纯氮化粉末制备方法设备

[发明专利]镀膜件及其制造方法-CN201110107938.X无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;马楠 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明一种镀膜件，包括铝或铝合金基体及形成于该铝或铝合金基体上的复合防护层，所述复合防护层包括若干第一非晶态薄膜层及若干第二非晶态薄膜层，所述若干第一非晶态薄膜层和若干第二非晶态薄膜层交替排布；所述第一非晶态薄膜层为氮化铝层或氧化铝层，所述第二非晶态薄膜层为氮化硅层或二氧化硅层。
镀膜及其制造方法

[发明专利]一种微测辐射热计及其制备方法-CN202010254025.X有效
发明人：余林蔚;孙莹;董泰阁;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种微测辐射热计，包括水平分布的平面半导体晶态纳米线阵列以及从下至上依次叠层于所述平面半导体晶态纳米线阵列上方的非晶硅层和氮化硅层，所述平面半导体晶态纳米线的两端设有金属电极。本发明改变了目前常见的微测辐射热计器件的结构，采用悬空的晶态纳米线作为支撑，悬空非晶硅(敏感层)氮化硅(光敏感层)，由于悬空晶态纳米线表面对热传导的限制，使得探测岛区能够很好地获得热绝缘，同时由于纳米线具有较低的电阻率
一种辐射热及其制备方法

[发明专利]高纯氮化硅纳米粉制备技术及应用-CN202110191994.X在审
发明人：周曦东;刘兰英 -专利权人：北京纳斯特克纳米科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种高纯度、多用途的氮化硅纳米粉制备方法和应用方法，其特征在于是通过氨与有机氨基硅烷、或者四氯化硅在50℃‑300℃，在一个垂直排列的反应容器中，生产成高级氮化硅的硅二酰亚胺中间体，然后在连续烧结炉在900℃情况转化为非晶态氮化硅粉末，继续在1350～1800℃的温度下，将非晶粉末转化为高纯纳米晶体氮化硅粉末，其中包括至少90％的a‑Si3N4相使在里合成的非晶质Si‑N(H)系化合物流动。该反应过程中首先采用超临界氨对反应过程中杂质氯化氨等进行萃取，得到高纯无定形氮化硅粉末，随后在含氮惰性气体气氛下或含氨还原性气体气氛下，将无定形氮化硅粉末转化为晶体形碳化硅。该纳米粉可以在不同烧结条件生产氮化硅烧结体并用高导热型电路上基板，或者应用于多晶硅锭铸造用铸模的脱模剂。
高纯氮化纳米制备技术应用

[发明专利]氮化硅薄膜的制备方法-CN201310190716.8无效
发明人：林嘉佑 -专利权人：林嘉佑
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种氮化硅薄膜的制备方法，包括：通入Ar将SiH4气体稀释；将玻璃基底依次通过体积比为H2O：H2O2：NH3·H2O=1∶1∶5和H2O∶H2O2∶HCl=1∶1∶5的溶液中超声清洗，并用5%的稀氢氟酸漂洗，随后用去离子水洗净、烘干，置入反应室；以所述SiH4气体和纯度大于99.99%的氨气为反应气体，在所述反应室进行等离子体化学气相沉积，以获取具有氮化硅薄膜的玻璃基底。本发明所述氮化硅薄膜的制备方法可在玻璃基底上均匀的生长出优异的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜呈非晶态，氢含量低，沉积速率快。
氮化薄膜制备方法

[发明专利]具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法-CN92101118.0无效
发明人： C·J·黄;A·J·皮兹克 -专利权人：陶氏化学公司
申请日： 1992-02-18 - 公布日： 1992-09-09 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：说明书公开了一种高断裂韧性和高强度的充分致密的，自增强的氮化硅陶瓷体，该陶瓷体包括(a)平均纵横比为至少2.5的晶须形式的β-氮化硅，以及(b)一种氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相(用X射线结晶学测得一种制备上述的氮化硅陶瓷体的工艺，该工艺包括热压一种粉末混合物，该粉末混合物包括氮化硅，氧化硅，一种致密助剂，转化助剂及一种可加强β-氮化硅晶须生长的化合物，在这样的工艺条件下产生了致密化、高纵横比的β-氮化硅晶须，然后退火充分长的时间，以产生具有氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相。
具有结晶晶界相增强氮化陶瓷制备方法

[发明专利]镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀多层结构涂层的方法-CN201610399673.8有效
发明人：王周成;张东方;魏斌斌;吴正涛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀多层结构涂层的方法，涉及镁合金表面处理。包括以下步骤：1)镁合金基体前处理；2)在步骤1)经前处理后的镁合金基体上交替溅射沉积单层晶态Hf涂层与非晶态Si₃N₄涂层，完成在镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀多层结构涂层通过将非晶态Si₃N₄良好的离子阻隔性能引入金属Hf涂层，发挥两者各自性能上的优点，在镁合金样品表面制备结构可控、具有良好导电且耐腐蚀性能的以金属Hf为主、非晶态陶瓷采用磁控溅射技术在镁合金样品表面制备结构、成分可控、具有良好导电且耐腐蚀性能的以金属Hf为主、非晶态Si₃N₄为辅多层结构涂层的方法。
镁合金制备氮化导电多层结构涂层方法

[发明专利]一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法-CN201010204481.X有效
发明人：温广武;张晓东;黄小萧;孙梦;朱建东;耿欣 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： D04H1/42 文献下载
摘要：一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法，它涉及氮化硅纳米材料及其制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度为0.5~20mm，其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1~60mm。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体放置于坩埚底部，盖上坩埚盖，并置于气氛烧结炉，在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题，有优良的均匀性，纯度高，物理化学稳定性高，有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。
一种氮化纳米无纺布及其制备方法

[发明专利]一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法-CN201010541470.0有效
发明人：李延辉;王立;尹少武;杨福明 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：一种利用硅粉做添加剂实现非晶氮化硅粉体的快速晶化方法，属于超细氮化硅粉末的制备技术领域。其特征是将非晶氮化硅粉和作为添加剂的硅粉按照氮化硅粉∶硅粉＝(98～50)∶(2～50)的质量比例充分混合，再经过筛分、干燥工序后，装入高温氮气炉内进行非晶氮化硅的晶化；添加剂硅粉在有效缩短非晶氮化硅晶化时间的同时，与氮气发生燃烧合成反应生成α相氮化硅，最终产品为高α相氮化硅粉体，产品中硅含量在0.1％以下。硅粉作为晶化添加剂，可以在有效促进非晶氮化硅粉晶化过程，大大缩短晶化时间的同时，完成硅粉自身的氮化。该方法生产效率高、设备简单、操作方便、快速节能、且产物纯度高，特别适合通过非晶氮化硅粉来批量生产高α相含量的优质氮化硅粉。
一种硅粉作添加剂实现氮化粉末快速方法

[发明专利]形成用于制造集成电路器件的纳米晶态硅结构的方法-CN200910195982.3无效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种形成用于制造集成电路器件如存储器、动态随机存取存储器、闪存、只读存储器、微处理器、数字信号处理器、专用集成电路的纳米晶态硅结构的方法。该方法包括提供包括表面区域的半导体衬底。该方法形成在表面区域上面的绝缘层(例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)。在一个具体实施例中，该方法包括使用氯硅烷物种在绝缘层上面形成确定厚度少于二十纳米的非晶态硅材料。该方法包括使非晶态硅材料接受热处理工艺以造成形成由厚度少于二十纳米的非晶态硅材料获得的多个纳米晶态硅结构。
形成用于制造集成电路器件纳米晶态结构方法

[发明专利]镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层的方法-CN201610399687.X有效
发明人：王周成;张东方;魏斌斌;吴正涛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层的方法，涉及镁合金表面处理。包括以下步骤：1)镁合金首先经过机械研磨抛光、化学刻蚀等湿法前处理后放入溅射室进行烘烤，再进行离子轰击干法清洗处理除去表层氧化膜并粗糙化表面；2)采用直流、射频共溅射模式在镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层通过将微量非晶态Si₃N₄通过掺杂引入金属Hf涂层，利用Si、N原子部分取代Hf从而细化涂层晶粒尺寸，弱化柱状晶结构，提高涂层致密度，在镁合金样品表面制备结构、成分可控、具有良好导电且耐腐蚀性能，以金属Hf为主、非晶态陶瓷Si₃N₄为辅的纳米复合结构涂层的方法。
镁合金制备氮化导电纳米复合涂层方法

[发明专利]一种基于相变材料光开关的相控阵雷达系统-CN202210637947.8在审
发明人：闫培光;商镇远;陈浩;朱刚毅;杨俊波 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料光开关的相控阵雷达系统，涉及微波光子学技术领域，包括硅基底、二氧化硅埋氧层和氮化硅层；氮化硅层包括第一波导、第二波导、第三波导、第四波导、第五波导、第六波导、第七波导、第八波导、第九波导、第十波导、第十一波导、第十二波导、第十三波导、第十四波导和第十五波导；氮化硅层还包括：第一多模干涉区域、第二多模干涉区域、第三多模干涉区域、第四多模干涉区域、第五多模干涉区域、第六多模干涉区域和第七多模干涉区域本发明中通过短激光脉冲将GST层加热从非晶态转换为晶态时，特定波导无法通光，能够改变芯片整体出射光的位置，通过有规律的控制特定波导的GST光开关，可以实现输出光束的空间扫描。
一种基于相变材料开关相控阵雷达系统

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