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[发明专利]非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片-CN201910656298.4有效
发明人：刘阳阳;付亚奇 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明提供了非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片。所述软磁材料包括非晶基体相，分布于所述非晶基体相中的纳米晶相，以及分布在所述非晶基体相和所述纳米晶相中的细晶粒子，所述非晶基体相包括Fe、Si和B，所述细晶粒子包括金属碳化物，所述软磁材料中包含Fe、Si所述制备方法包括：1)将配方量的原料配好后，制备得到非晶合金；2)在保护性条件下，对非晶合金进行两阶段晶化，冷却后得到所述软磁材料，第二阶段的晶化温度高于第一阶段的晶化温度。
纳米晶软磁材料及其制备方法用途非晶带材晶带材磁片

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种非晶磁芯的纳米化-覆层一体化加工方法-CN202210527122.0有效
发明人：薛志勇;王昕阳 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明属于软磁材料加工技术领域，具体涉及一种非晶磁芯的纳米化‑覆层一体化加工方法。本发明所述的非晶磁芯的纳米化‑覆层一体化加工方法，利用磁场热等静压工艺对结合包覆材料的非晶磁芯进行处理，可同时实现非晶磁芯的纳米化和覆绝缘层过程，在控制覆层均匀稳定的同时显著提高非晶纳米晶磁芯性能，根据使用需要稳定得到成品磁芯
一种非晶磁芯纳米覆层一体化加工方法

[发明专利]抗纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法-CN201610284441.8在审
发明人：杨守宁;杨嬅嬿;李伟;杨林;余绍宁 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C07D213/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法，属于抗纤维化药物吡非尼酮技术领域。本发明的技术方案要点为：抗纤维化药物吡非尼酮晶型包括吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III，并且具体公开了该吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III的制备方法。本发明制备的吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III具有化学物理性质稳定、晶体颗粒均匀、适合长期储存和便于制剂制造等优点。
纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅-CN201710283522.0有效
发明人：班圣光 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B30/00 文献下载
摘要：本文公开了一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅。所述多晶硅的晶化方法，包括：将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。本文的技术方案能够提高多晶硅的结晶质量，使得晶化过程中的能量调节更加连续和便捷。
多晶硅晶化非晶硅层晶化设备退火准分子镭射激光照射晶化过程能量调节非晶硅基板沉积

[发明专利]一系列具有特殊晶化行为的锆基非晶合金-CN202010452103.7有效
发明人：蔡安辉;安琪;丁超义;周果君;李鹏伟;胡优生 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明属于非晶合金领域，公开了一系列具有特殊晶化行为的锆基非晶合金。该非晶合金的化学成分为(Zr53Al11.6Ni11.7Cu23.7)1‑x(Fe76C24)x,其中x=0.88~2.2at%，该非晶合金是将纯度为99.99wt%的铜、镍、铝、铁和碳以及99.95wt该非晶合金为单一的晶化过程，其玻璃转变激活能Eg为477~646kJ/mol，晶化激活能Ex为431~446kJ/mol，晶化峰激活能Ep为379~419kJ/mol，脆性参数指标m为35~48，对于所有非晶合金有EgExEp，玻璃转变温度、晶化温度和晶化峰温度先随升温速度增加而增加，然后随升温速度增加而降低，局部晶化激活能先随晶化份数增加而增加，然后随晶化份数增加而降低。
一系列具有特殊行为锆基非晶合金

[发明专利]磁盘用晶化玻璃基底的制造工艺-CN96112715.5无效
发明人：铃木富雄;竹矢文则 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 1996-10-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：制造磁盘用晶化玻璃基底的工艺，包含（a）将带有均匀厚度和二个平坦主表面的非晶玻璃板以夹层体方式夹持在与非晶玻璃不起反应并在非晶玻璃晶化加热过程中不会变形的一对冲压装置之间；（b）加热到非晶玻璃退火点以上的温度，使夹层体堆叠形式中的非晶玻璃软化，使主表面贴在冲压装置的平坦表面上以消除翘曲并整平非晶玻璃板；以及（c）将温度提高到晶体生长温度以便在非晶玻璃中生长晶体，从而将非晶玻璃板晶化而又保持其无翘曲状态，随后凝固
磁盘用晶化玻璃基底制造工艺

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN200880112607.1无效
发明人：张泽龙;李炳一 -专利权人： TG太阳能株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：根据本发明的多晶硅太阳能电池利用金属催化剂对非晶硅进行晶化退火，从而降低了晶化温度。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括以下步骤：(a)在衬底上形成第一非晶硅层；(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层；(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火；以及(e)在步骤(d)所形成的晶体硅层上形成第三非晶硅层。
太阳能电池制造方法

[发明专利]非晶外表层的纳米晶材料制备方法-CN200910095399.5有效
发明人：方允樟;吴锋民;许启明;蔡秀珊;李通银;林根金 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米晶材料的制备方法，特别是一种非晶外表层的纳米晶材料制备方法。要点是：在流动气体中用焦耳热对非晶材料进行处理。因持续的电流通过，使非晶材料不断升温，当温度升至材料纳米晶化温度后，材料被纳米晶化；但表层在流动气体的作用下，带走了大量热量，温度达不到纳米晶化温度，而未被纳米晶化，还是原来的非晶态；就形成了外表层为非晶的纳米晶材料
外表纳米材料制备方法

[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板-CN201510894341.2有效
发明人：李亚;徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的TFT基板的制作方法，通过在基板上沉积缓冲层与非晶硅锗层，在所述非晶硅锗层的上部植入掺杂离子，形成掺杂非晶硅锗层，然后采用快速热退火工艺对所述掺杂非晶硅锗层和未掺杂非晶硅锗层进行晶化处理，由于该晶化过程是从掺杂非晶硅锗层开始，且掺杂非晶硅锗层的晶化温度较低，因此该晶化过程可以在较低的温度下进行，而与掺杂非晶硅锗层接触的未掺杂非晶硅锗层在该低温下可以继续结晶，从而得到掺杂多晶硅锗层和未掺杂多晶硅锗层，相较于现有的固相晶化等结晶工艺来说
锗层掺杂非晶硅非晶硅锗层未掺杂晶化过程晶化制作掺杂多晶硅多晶硅锗层快速热退火晶粒掺杂离子结晶工艺结晶效果晶硅锗层晶化处理缓冲层基板与非植入制程沉积

[实用新型]一种硅异质结太阳能电池-CN202022812813.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：受光域包括第一本征非晶硅层，第一本征非晶硅层设置在硅衬底层上，第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极第一N型非晶硅图形化层与第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于第一本征非晶硅层的表面积。硅异质结太阳能电池的结构简单、成本低，能够降低入射光的光损失，从而确保光在体区域中的吸收和转换。
一种硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法-CN201410702037.9有效
发明人：陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华;黄亚清 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，具体步骤为在基板上先后形成缓冲层和非晶硅层；通过元素掺杂技术对非晶硅层进行区域选择性掺杂，在非晶硅层中形成掺杂区域和非掺杂区域相间的周期性结构；对上述非晶硅层进行激光晶化非晶硅层接受激光束照射，掺杂区域和非掺杂区域因对激光能量吸收能力不同而形成完全熔融区域和非完全熔融区域，完全熔融区域和非完全熔融区域存在横向温度梯度，从而促进和控制晶核的超级横向晶化，增大了晶粒尺寸。本发明通过掺杂的方法，构建超级横向晶化条件，有利于成长大尺寸的晶粒；同时具有改变非晶硅层吸收能力的作用，采用固体激光器等廉价激光器用于晶化、降低了制备成本。
一种低温多晶薄膜制备方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202210639209.7在审
发明人：姚周 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，先对鳍部的顶部进行非晶化处理，以在鳍部的顶部形成非晶化层，然后对非晶化层以及鳍部的侧壁进行氧化处理，以使所述非晶化层被氧化形成第一栅氧化层并使所述鳍部的侧壁被氧化形成第二栅氧化层，由于非晶化层不具有固定的晶向，因此，在对非晶化层以及鳍部的侧壁进行氧化处理时，非晶化层的氧化速率大于鳍部的侧壁的氧化速率，由此可以使得形成于鳍部顶部的第一栅氧化层的厚度大于形成于鳍部侧壁的第二栅氧化层的厚度
场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种块体非晶/铁氧体软磁复合材料及其制备方法-CN201010621271.0有效
发明人：赵占奎;王明罡 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明公开了一种块体非晶/铁氧体软磁复合材料及其制备方法，该软磁复合材料是三维蜂巢结构的非晶/铁氧体软磁复合材料，是由高电阻率软磁铁氧体构成巢壁结构，巢壁铁氧体包围并完全隔离巢内软磁性非晶合金颗粒构成的非晶合金软磁相，使巢内非晶合金软磁相相互绝缘；软磁性非晶合金颗粒的含量为50wt％～99wt％，余为软磁铁氧体；制备方法是将软磁性非晶合金颗粒和软磁铁氧体粉末按比例混合，使软磁铁氧体粉末完全均匀包覆于软磁性非晶合金颗粒表面，再用放电等离子烧结技术，非晶合金颗粒不晶化而烧结致密化复合成形，最后进行去应力及纳米晶化退火热处理；所述块体非晶/铁氧体软磁复合材料比非晶合金软磁材料的电阻率明显提高，提高了非晶合金的工作频率。
一种块体铁氧体复合材料及其制备方法

[发明专利]一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构及其制备方法-CN201810327894.3有效
发明人：黄平;王飞;童超逸;黄丽;陈自强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构及其制备方法，所述结构包括非晶金属薄膜，非晶金属薄膜的下表面和上表面均覆盖有晶体层，形成三明治层状结构。非晶材料的晶化过程是原子重新排列、原子有序化的过程，该过程属热激活过程。在薄膜材料中，表面原子的扩散系数和跃迁频率比材料内部高数倍，因此在遮盖表面时可以有效地使原本位于表面的原子呈现与内部原子类似的性质，从而阻碍非晶材料和外界环境的能量传递过程，降低非晶材料晶化以及失稳的速度本发明结构相对于对照组中同成分的单一非晶薄膜，抗晶化能力更强。本发明方法采用传统磁控溅射手段，成本低，可控性强，操作简单，易于实现和推广。
一种提高金属薄膜材料抗晶化能力结构及其制备方法