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[实用新型]一种用于标定非圆等距型面轴的曲面角度位置的工具-CN202222475949.X有效
发明人：袁厚才;刘伟;杜世帅;万林林 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01B5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于标定非圆等距型面轴的曲面角度位置的工具，包括底部支座、螺杆底座、右螺杆固定轴托、非圆等距型面轴、环形指针、角度盘、标尺座、标尺、非圆等距型面轴卡环、左螺杆固定轴托，底部支座与螺杆底座相连，与螺杆底座连接的左右螺杆固定轴托承载非圆等距型面轴，环形指针与非圆等距型面轴相连，角度盘与右螺杆固定轴托相连，标尺的探头与非圆等距型面轴的曲面接触。本实用新型通过旋转非圆等距型面轴和移动标尺座以标定不同角度的待测量位置，解决了现有非圆等距型面轴上不同曲率半径处的表面粗糙度、残余应力等表面质量参数无法精准标定测量的技术问题。
一种用于标定等距型面轴曲面角度位置工具

[实用新型]一种片材透明离型膜正反面防呆结构-CN201620095052.6有效
发明人：王春生 -专利权人：苏州安洁科技股份有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B32B7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种片材透明离型膜正反面防呆结构，其使得工人通过肉眼即可准确区分离型面和非离型面，使得工人贴离型膜效率提高，且确保后续生产的正常进行。其包括离型膜本体，所述离型膜本体包括有离型面和非离型面，其特征在于：所述离型膜本体的非离型面贴合有黑白单面胶，所述黑白单面胶具体包括上层黑色不粘层、下层白色粘层，所述下层白色粘层双面均有粘性，所述下层白色粘层的上面粘有上层黑色不粘层，所述下层白色粘层的下面粘有所述离型膜本体的非离型面，此时肉眼看到白色面域，透明离型膜所对应的该面即为非离型面，看到黑色面域所对应的透明离型膜的面即为离型面。
一种透明离型膜正反面结构

[发明专利]曲型外板组立及翻身方法-CN201910294826.6在审
发明人：王晓刚;张小凯;邵丹;张海甬;王虎;肖文军;甘伯惠;孙海云 -专利权人：上海外高桥造船有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B63B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲型外板组立及翻身方法。该曲型外板组立，包括结构面及非结构面，结构面设置有肋板，曲型外板组立在拼装时，非结构面向下置于胎架上，在曲型外板组立的肋板上安装两只结构面吊环；两只结构面吊环设置在通过重心的竖直面内，且两只结构面吊环位于重心的正上方；在曲型外板组立的非结构面安装两只非结构面吊环，非结构面吊环相对重心均布设置，在曲型外板组立的结构面朝下时，非结构面吊环位于重心的上方。本发明简化了曲型外板组立吊环的安装方式，减少了吊环的安装数量，减轻了现场施工操作的复杂程度。同时本发明便于现场调整曲型外板组立的角度，缩短了现场吊装的工时，降低了曲型外板组立安装的经济成本。
外板组立吊环结构面非结构面重心肋板翻身现场施工操作安装方式经济成本均布设置现场调整竖直面拼装胎架种曲吊装

[实用新型]球面密封结构及密封组件-CN201920018794.2有效
发明人：李莹;陈涛;王喜良;张航;刘耀林;王宏博;葛明和;王菊金 -专利权人：蓝箭航天空间科技股份有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种球面密封结构和密封组件，该密封结构包括：球型非接触面，其与密封基体不接触；非球型接触面，其与密封基体接触，非球型接触面形状与密封基体的形状相匹配；其中，球型非接触面与非球型接触面为一体式结构
密封基体球面密封结构本实用新型非接触面非球球型平面接触密封球面接触密封接触面形状球型接触面一体式结构结构密封密封结构密封组件不接触配合性基材与非密封匹配节约

[发明专利]高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811523276.2在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层，所述n型非晶硅掺杂层的外侧设有n面TCO导电膜；所述背面的非晶硅本征层外侧设有p型非晶硅掺杂层，所述p型非晶硅掺杂层的外侧设有p面TCO导电膜；所述n面TCO导电膜采用功函数低于p面TCO导电膜的TCO作为透明导电减反射层。本发明通过双面沉积不同TCO的方式，n面采用低功函数的TCO，p面采用高功函数的TCO，使非晶硅掺杂层与TCO形成良好的接触，降低非晶硅掺杂层与TCO的接触电阻，减少接触损失，提升HJT太阳能电池的光电转换效率
掺杂层导电膜非晶硅本征层异质结太阳能电池电极结构高匹配度非晶硅晶硅制备光电转换效率太阳能电池低功函数高功函数减反射层接触电阻双面沉积透明导电功函数背面

[实用新型]高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构-CN201822090104.2有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层，所述n型非晶硅掺杂层的外侧设有n面TCO导电膜；所述背面的非晶硅本征层外侧设有p型非晶硅掺杂层，所述p型非晶硅掺杂层的外侧设有p面TCO导电膜；所述n面TCO导电膜采用功函数低于p面TCO导电膜的TCO作为透明导电减反射层。本实用新型通过双面沉积不同TCO的方式，n面采用低功函数的TCO，p面采用高功函数的TCO，使非晶硅掺杂层与TCO形成良好的接触，降低非晶硅掺杂层与TCO的接触电阻，减少接触损失，提升HJT太阳能电池的光电转换效率
掺杂层导电膜非晶硅本征层异质结太阳能电池本实用新型电极结构高匹配度非晶硅晶硅光电转换效率太阳能电池低功函数高功函数减反射层接触电阻双面沉积透明导电功函数背面

[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法-CN201510866931.4在审
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;张超华;庄辉虎 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池的制备方法，所述方法包括在N型硅片的两面清洗制绒，形成金字塔绒面；在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层，另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层；在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上沉积透明导电薄膜层；在N型硅片两面的透明导电薄膜层上沉积金属薄膜层；在N型硅片两面贴上干膜；用激光扫描法将干膜曝光形成栅线图案；对N型硅片的两面进行显影；在N型硅片两面显影后的栅线图案上电镀金属栅线；去除金属栅线区域外的干膜；腐蚀金属栅线区域外的金属薄膜层。
一种异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]光电转换元件-CN201680050114.4有效
发明人：浅野直城;小林正道 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。
光电转换元件

[实用新型]一种砂浆灰缝控制块-CN201821185696.X有效
发明人：刘超 -专利权人：中国十七冶集团有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： E04G21/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砂浆灰缝控制块，包括L型控制块和丄型控制块，所述L型控制块包括竖向结构、横向结构，所述竖向结构和横向结构互相垂直，所述竖向结构和横向结构一体成型，L型控制块和丄型控制块包括砂浆接触面和砂浆非接触面，所述砂浆接触面的表面为锯齿状非光滑平面，所述砂浆非接触面为光滑平面，所述丄型控制块包括横面和竖面，所述横面垂直于竖面，所述面和竖面一体成型。
砂浆横向结构竖向结构竖面非接触面砂浆灰缝一体成型横面本实用新型非光滑平面光滑平面互相垂直锯齿状垂直

[发明专利]非充气车轮轮面加工模具及非充气车轮的制作方法-CN202310268151.4在审
发明人：刘卫东 -专利权人：刘卫东
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B29C33/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种非充气车轮轮面加工模具及非充气车轮的制作方法，非充气车轮轮面加工模具包括第一凹模、第二凹模和型芯，第一凹模具有第一成型槽，第二凹模具有第二成型槽，第一凹模和第二凹模合模后，第一成型槽和第二成型槽配合形成容纳腔；型芯设置在容纳腔内，型芯填充部分容纳腔并形成非充气车轮轮面型腔；型芯包括内胆组件和扩张件，内胆设置在容纳腔的中部，扩张件连接在内胆上，并环绕在内胆的外周侧，扩张件与内胆密封连接并形成扩张腔，非充气车轮轮面加工模具上开设有与扩张腔连通的流体通道本申请的实施例具有可以在扩张件的作用下保证非充气车轮轮面结构的内圈表面形状，并且非充气车轮轮面结构填充难度降低的有益效果。
充气车轮加工模具制作方法

[发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种浅结深低能量电子探测器，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，分别形成于硅衬底的第一面和第二面，以钝化硅衬底的第一面和第二面；P型非晶硅层和N型非晶硅层，分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上；保护环结构，自P型非晶硅层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型非晶硅层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复，钝化不饱和化学键，从而提高表面载流子寿命，可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，提高对低能量电子的探测效率。
浅结深低能量电子探测器

[发明专利]一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202011132671.5在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭晶硅异质结太阳能电池，包括：铸锭晶硅衬底，所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒；设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面，其中，金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构；设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层，其中，所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚；设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层；及设置在透明导电膜层之上的金属电极
一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]厚度非等T型绝热砌块及其砌筑方法-CN201310138220.6无效
发明人：孔凡营;王峰;郭广健 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2013-04-20 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： E04C1/41 文献下载
摘要：本申请公开了厚度非等T型绝热砌块及其砌筑方法，它属于建筑材料领域，用于砌筑节能墙体。厚度非等T型绝热砌块由矮凸和长高坐构成的箱体以及箱体内填充的绝热材料构成，其砌筑方法是：（1）它与厚度非等L型绝热砌块、长方体绝热砌块一起，组合砌筑节能墙体第一皮，并形成台阶型坐浆面；（2）它与厚度非等L型绝热砌块，组合砌筑节能墙体中间各皮，均形成台阶型坐浆面；（3）它与厚度非等L型绝热砌块、长方体绝热砌块一起，组合砌筑节能墙体第顶皮，形成平板型坐浆面。
厚度绝热砌块及其砌筑方法

[发明专利]非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法-CN202011017651.3在审
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述非极性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本发明所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。
极性 algan 深紫 led 外延制备方法

[发明专利]一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法-CN201810711064.0有效
发明人：黄辉明;庄辉虎;罗骞;张杰;宋广华 -专利权人：福建钜能电力有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。
一种异质结叠瓦太阳能电池切片方法

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