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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静电夹盘-CN201810246829.8有效
发明人： R·萨德贾迪;W·G·小博伊德;V·D·帕科;M·M·诺基诺夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文所述的实现方式提供一种像素化静电夹盘，该像素化静电夹盘能够对静电夹盘与置于该静电夹盘上的基板之间的RF耦接进行侧向调谐和方位角调谐。在一个实施例中，像素化静电夹盘(ESC)可包括：电介质体，具有工件支撑表面，该工件支撑表面配置成在其上接受基板；一个或多个夹紧电极，安置在该像素化静电夹盘中；以及多个像素电极。像素电极和夹紧电极形成电路，该电路可操作以将该基板静电地夹紧至该工件支撑表面。
静电

[发明专利]静电夹盘-CN201280051925.8有效
发明人： S·巴纳;V·托多罗;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘可包括介电构件，具有支撑表面，该支撑表面被配置成支撑具有给定宽度的基板；电极，设置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基板的外周边的区域
静电

[发明专利]晶圆处理装置及半导体加工站-CN201910892211.3有效
发明人：金根浩;秋成云 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出一种晶圆处理装置，所述晶圆处理装置包括静电夹盘及覆盖环，所述静电夹盘能够将晶圆静电吸附于所述静电夹盘的承载面上，所述覆盖环设于所述静电夹盘并用于将等离子体聚焦于所述晶圆，所述静电夹盘与所述覆盖环的接触面相对所述静电夹盘的所述承载面倾斜本发明将覆盖环与静电夹盘的接触面相对于承载晶圆的承载面倾斜，避免了覆盖环发生相对于静电夹盘的位移，提高了晶圆的边缘处刻蚀的均匀度。本发明还提供一种半导体加工站。
处理装置半导体加工

[发明专利]便携式静电夹盘-CN201380046661.1有效
发明人：迪特尔·哈斯;马耶德·A·福阿德;拉尔夫·霍夫曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在此提供一种便携式静电夹盘的实施方式，该便携式静电夹盘使用在基板处理腔室中，当超薄基板设置在该便携式静电夹盘上时，该便携式静电夹盘支撑该超薄基板。在一些实施方式中，便携式静电夹盘可包括载体，该载体包括介电材料；导电层，该导电层设置在该载体的顶表面上；介电层，该介电层配置在该导电层上方，以使该导电层设置在该载体和该介电层之间；和至少一个导体，该至少一个导体耦接至该导电层，其中该便携式静电夹盘配置为将该超薄基板静电式保持至该便携式静电夹盘，其中该便携式静电夹盘进一步配置为由该基板处理腔室外面的基板处理设备所操纵和移动，以及其中该便携式静电夹盘按尺寸制作成支撑大型超薄基板
用于薄基板便携式静电载体

[发明专利]高温静电夹盘-CN200610144597.2有效
发明人：格雷格·塞克斯顿;艾伦·舍普;马克·A·肯纳德 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种适用于高温的静电夹盘，该静电夹盘具有可替换的膨胀组件，该膨胀组件起外部管道装置和隔热的作用，位于静电夹盘主体和导热装置之间。该膨胀组件可以容纳静电夹盘主体和导热装置之间的不同热应力，和/或限制静电夹盘组件和导热装置之间的直接热传导。该静电夹盘能够操作在高于200℃的温度，因而该静电夹盘可以用来用等离子体腐蚀材料，例如铂，这种材料需要高温才能挥发难挥发的腐蚀产物，还可用来进行常规的等离子体腐蚀、化学蒸气沉积、溅射、离子注入、灰化等。可取下固定的膨胀组件的新颖设计使得该静电夹盘可以按比例放大，用于较大的工件，可以通过更多的热循环提高耐用性，达到更经济的运行。
高温静电

[发明专利]高温静电夹盘-CN02815069.4有效
发明人：格雷格·塞克斯顿;艾伦·舍普;马克·A·肯纳德 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种适用于高温的静电夹盘，该静电夹盘具有可替换的膨胀组件，该膨胀组件起外部管道装置和隔热的作用，位于静电夹盘主体和导热装置之间。该膨胀组件可以容纳静电夹盘主体和导热装置之间的不同热应力，和/或限制静电夹盘组件和导热装置之间的直接热传导。该静电夹盘能够操作在高于200℃的温度，因而该静电夹盘可以用来用等离子体腐蚀材料，例如铂，这种材料需要高温才能挥发难挥发的腐蚀产物，还可用来进行常规的等离子体腐蚀、化学蒸气沉积、溅射、离子注入、灰化等。可取下固定的膨胀组件的新颖设计使得该静电夹盘可以按比例放大，用于较大的工件，可以通过更多的热循环提高耐用性，达到更经济的运行。
高温静电

[发明专利]静电夹盘装置、等离子处理装置和制造静电夹盘装置的方法-CN200910049953.6有效
发明人：陈金元;欧阳亮;荒见淳一;钱学煜;杜志游;尹志尧 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明要求保护一种静电夹盘装置、等离子处理装置和制造静电夹盘装置的方法。一种静电夹盘装置，其中静电夹盘和支撑部由高电阻率、高导热性和低射频能量损耗的介电质材料制成。该静电夹盘装置的好处是它比传统的静电夹盘装置使晶圆表面具有更均匀的电磁场分布。其结果是，晶圆蚀刻速率，特别是晶圆边缘的蚀刻速率的非均匀性，被显著地改善。
静电装置等离子处理制造方法

[发明专利]半导体沉积系统及其操作方法-CN202110174529.5在审
发明人：童凯瑜;黄凌威;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体沉积系统及其操作方法，半导体沉积系统包括制程腔体、靶材、静电夹盘、第一射频源产生器以及第二射频源产生器。靶材位于制程腔体上方。静电夹盘位于制程腔体中，位于该靶材下方，且包含第一夹盘部位以及水平地环绕第一夹盘部位的第二夹盘部位。第一射频源产生器位于制程腔体外，且连接至静电夹盘的第一夹盘部位。第二射频源产生器位于制程腔体外，且连接至静电夹盘的第二夹盘部位。
半导体沉积系统及其操作方法

[发明专利]一种静电夹盘的陈化处理方法-CN201911426262.3有效
发明人：伊凡·比久科夫;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种静电夹盘的陈化处理方法，该处理方法先对放置在静电夹盘表面的晶圆进行预设等离子体处理，使得晶圆在第一状态和第二状态之间切换，以利用晶圆在不同状态之间的体积变化，对静电夹盘的表面进行研磨，以降低静电夹盘表面的毛糙度，如果在对晶圆进行预设等离子体处理一段时间后，晶圆的温度不符合第一条件，则增大静电夹盘与晶圆之间的作用力，继续对晶圆进行预设等离子体处理，从而提高晶圆对静电夹盘的研磨效果，以便于降低静电夹盘表面的毛糙度，进而在后续利用该静电夹盘对量产的晶圆进行等离子体处理时，可以提高静电夹盘和晶圆之间的不同区域的热传导的均匀度，以提高晶圆的成品良率。
一种静电陈化处理方法

[发明专利]可调式圆周静电夹盘-CN201780057116.0在审
发明人：艾伦·威德 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种用于夹持具有不同直径的工件的静电夹盘。设置与第一工件相关联的中央静电夹盘构件和与第二工件相关联的第一外围静电夹盘构件。升降器使第一外围静电夹盘构件相对于中央静电夹盘构件在缩回位置与伸出位置之间直移。在缩回位置，第一工件仅接触第一表面。在伸出位置，第二工件接触第一表面和第二表面。当第一外围静电夹盘构件处于缩回位置时，第一外围屏蔽大致屏蔽第二表面。能够添加附加的外围静电夹盘构件和外围屏蔽，以适应附加的工件直径。
静电夹盘外围缩回位置屏蔽第二表面第一表面第一工件伸出位置关联工件接触可调式升降器夹持

[发明专利]基于微机电结构的接触传导的静电夹盘-CN200480029487.0无效
发明人： P·克雷曼;S·秦;E·亚伦;D·布朗 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：根据本发明某一方面，揭示一种多极的静电夹盘和相关的方法，其通过静电夹盘和基板之间的接触热传导而提供基板的加热或冷却。多极的静电夹盘包括半导体平台，其具有多个突起，而在它们之间界定出间隙，并且多个突起的表面粗糙度小于100(埃)。静电夹盘进一步包括电压控制系统，其可操作以控制施加于静电夹盘的电压，因而控制静电夹盘的接触传热系数，其中静电夹盘的传热系数主要是基板和多个突起之间的接触压力的函数。
基于微机结构接触传导静电

[发明专利]具有内部通道的半导体基板支撑件-CN202180026040.1在审
发明人： V·D·帕科 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。支撑组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。支撑组件可包括电极，所述电极靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内。支撑组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。支撑组件可包括形成在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的一个或多个通道。
具有内部通道半导体支撑

[实用新型]一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆-CN201821060232.6有效
发明人：孙锦洋 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆，其中改进式静电夹盘吸附用衬底包括：低介电常数衬底；高介电常数介质薄膜层，所述的高介电常数介质薄膜层的顶端与所述低介电常数衬底连接，所述的高介电常数介质薄膜层的底端与静电夹盘接触本实用新型在低介电常数衬底表面生长高介电常数介质薄膜层形成一个改进式静电夹盘吸附用衬底，提高静电常数来增加静电吸附力，从而使工艺中E‑CHUCK静电夹盘更容易吸附带有该改进式静电夹盘吸附用衬底的半导体芯片
静电夹盘衬底吸附改进式高介电常数介质薄膜层低介电常数半导体芯片器件本实用新型晶圆半导体芯片静电吸附力衬底表面静电底端生长

[发明专利]静电夹盘、使用该夹盘的基板处理设备及基板处理方法-CN200710147985.0无效
发明人：孙亨圭 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电夹盘，该静电夹盘包括DC电源和AC电源两者。在基板处理步骤期间，向夹盘的电极施加DC电力，以产生将基板保持在夹盘上的静电保持力。当要将基板从夹盘移除时，切断DC电力，并且施加AC电力，以帮助消除在切断DC电力之后残留在夹盘上的残余电荷。
静电使用处理设备方法

[发明专利]一种静电夹盘表层电荷的中和方法-CN201410562361.5有效
发明人：万磊;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电夹盘表层电荷的中和方法，包括：当待加工处理器件在等离子体反应腔体内处理完成后，将所述待加工处理器件从所述等离子体反应腔体内移除；其中，在所述待加工处理器件加工处理过程中，所述待加工处理器件利用施加在静电夹盘上的第一电压固定在所述静电夹盘上，在所述静电夹盘固定所述待加工处理器件的过程中，在所述静电夹盘的表层积累有第一电荷；向所述静电夹盘上施加第二电压，以加快所述等离子体反应腔体内的等离子体中的电荷与积累在所述静电夹盘表层上的第一电荷的中和速率该中和方法加快了静电夹盘表层中电荷的中和速率，提高了生产效率。
一种静电表层电荷中和方法

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