专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]超级电容-CN202221495281.9有效
  • 孔星 - 广东明路电力电子有限公司
  • 2022-06-14 - 2023-03-24 - H01G11/10
  • 本实用新型涉及一种超级电容,其包括隔膜和位于隔膜两侧的第一集电极、第二集电极,所述第一集电极包括两块以上间断设置的第一超级电容电极,相邻的第一超级电容电极之间通过空白带绝缘隔开;所述第二集电极至少设有一块第二超级电容电极,第二超级电容电极跨越空白带正投影区域、并与空白带两旁的第一超级电容电极具有重叠投影区。本实用新型通过间断式集电极的方式,使得电荷在超级容器中实现串联,增加电容器工作电压的特性。
  • 超级电容
  • [实用新型]一种具有褶皱形状的炭基电极超级电容-CN201720312196.7有效
  • 李昕烨 - 华北电力大学(保定)
  • 2017-03-28 - 2017-12-01 - H01G11/66
  • 本实用新型公开了一种具有褶皱形状的炭基电极超级电容器,包括筒形腔体和与筒形腔体上端开口绝缘密封连接的筒形腔体盖组成的电容器壳体,在电容器壳体内设有第一集电极和第二集电极,第一集电极包括与筒形腔体底板电连接的第一集电极底板,在第一集电极底板的左侧缘边竖向设有第一集电极板,第一集电极板的右侧面均布多个第一集电极片,各第一集电极片相互平行设置,第二集电极与第一集电极结构相同,且对称设置,筒形腔体盖为超级电容的正极,筒形腔体底板为负极
  • 一种具有褶皱形状电极超级电容器
  • [实用新型]基于石墨烯-碳纳米管复合材料的超级电容器装置-CN201420805725.3有效
  • 王振华;邵晶;乔文静;李冰;金东强;李佳林 - 哈尔滨理工大学
  • 2014-12-18 - 2015-03-25 - H01G11/10
  • 基于石墨烯-碳纳米管复合材料的超级电容器装置,涉及一种超级电容器装置。是要解决现有的基于石墨烯薄膜-碳纳米管阵列复合电极的超级电容器的碳纳米管根部容易断裂,力学性能较差的问题。该装置包括第一超级电容器单元、第二超级电容器单元和外壳,第一超级电容器单元包括集电极A、集电极C、石墨烯-碳纳米管复合材料电极和隔膜A,第二超级电容器单元包括集电极B、集电极C、石墨烯-碳纳米管复合材料电极和隔膜B,第一超级电容器单元和第二超级电容器单元共用集电极C,所述石墨烯-碳纳米管复合材料电极包括基底和梳齿,基底和梳齿为一体结构。本实用新型既增强了电极的力学性能,又可提高电荷的存储能力。用于电容器领域。
  • 基于石墨纳米复合材料超级电容器装置
  • [实用新型]一种多孔炭超级电容电极-CN201621195193.1有效
  • 丁丽丽;管晓光;毕建聪;高微;赵志凤 - 黑龙江科技大学
  • 2016-11-03 - 2017-04-12 - H01G11/32
  • 本实用新型公开了一种多孔炭超级电容电极,包括引线、第一多孔碳电极、铝壳、第一隔膜、第一集电极和超级电容器,所述超级电容器顶部设置有引线,且引线从超级电容器底部贯穿至超级电容器底部,所述引线外包裹有第三隔膜,且第二多孔碳电极包裹在第三隔膜外部,所述第二多孔碳电极外部包裹有第二集电极,且第二隔膜包裹在第二集电极外部,所述第二隔膜外部包裹有第一集电极,且第一多孔碳电极包裹在第一集电极外部,所述第一隔膜包裹在第一多孔碳电极外部本实用新型提高了超级电容器的容量以及充放电性能,电极材料具有制备简单高效环保,成本低廉,性能优异等特点。
  • 一种多孔超级电容器电极
  • [发明专利]超级电容器的耐腐蚀电极的制作方法-CN200910220246.9无效
  • 李文生;姚建勋;常亮;格根塔娜 - 锦州凯美能源有限公司
  • 2009-11-27 - 2010-05-19 - H01G9/04
  • 一种超级电容器的耐腐蚀电极的制作方法,将集电极进行交流双面腐蚀,得到腐蚀集电极,将此腐蚀集电极浸在具有通式R2HNC3H6Si(OR1)3物质的水溶液中处理;然后在溶剂中溶解粘接材料,分散活性材料和导电材料,制成浆料,将该浆料涂于腐蚀集电极双表面,干燥,压至厚度为30~300μm,形成带状电极,将该带状电极切成两张相同尺寸的带状电极,将两张电极铆接引线后,在两张带状电极之间夹入隔极膜,然后卷绕成芯子。本发明制备的电极用于超级电容器时,在大电流工作条件下不会对铝箔产生明显腐蚀,进而保证了集电极与极化极间粘接强度,从而可稳定电容器性能。
  • 超级电容器腐蚀电极制作方法
  • [发明专利]BiCMOS半导体结型可变电容及其制造方法-CN200910057632.0有效
  • 钱文生;刘冬华;胡君 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-07-23 - 2011-02-02 - H01L29/92
  • 本发明公开了一种BiCMOS半导体结型可变电容,它包含以下部分:(a)衬底材料,包含N型的集电极区,该集电极区叠加在同导电类型的次集电极区;相应的集电极区上有多个隔离区;(b)N型穿通注入区,位于至少一对隔离区之间,并连接次集电极区;(c)覆盖在衬底材料之上的锗硅外延层,它包含非本征基区,导电类型是P型;该锗硅外延层覆盖在不包括穿通注入区的区域;(d)位于衬底上部的铟注入集电极区,位于非本征基区与次集电极区之间。此外,本发明还公开了该BiCMOS半导体结型可变电容的制造方法。本发明的可变电容具有高可调性、高线性度和高品质因子,且易于集成到现有的BiCMOS工艺中去。
  • bicmos半导体可变电容及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN99105780.5无效
  • 铃木久满 - 日本电气株式会社
  • 1999-04-15 - 1999-10-20 - H01L29/72
  • 提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件,其中每个集电极-基极隔离长度可以被减小成与集电极-基极击穿电压相连所允许的最小值,在这种双极晶体管中,一个以上发射极/基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中,而非本征基区通过基极引线电极连接到具有设置在单独阵列外部的接触栓塞的至少一个基极电极上。因此,可以将集电极电阻、集电极-基极电容集电极-衬底电容最小化,还可将双极晶体管的元件尺寸最小化。
  • 半导体器件
  • [发明专利]电压检测装置-CN201080003044.X无效
  • 长尾胜 - 丰田自动车株式会社
  • 2010-01-15 - 2012-10-10 - G01R19/00
  • 电压检测装置(100)具备:与IGBT(11)的集电极连接的散热板(13);在与散热板(13)之间形成电容器(22)的检测用引线框(21);及基于电容器(22)中蓄积的电荷的变化量检测IGBT(11)的集电极电压的集电极电压检测电路根据该电压检测装置(100),即使在高电压状况下也能够不使装置大型化而检测IGBT(11)的集电极电压。
  • 电压检测装置
  • [发明专利]一种多层结构电容阳极及其制备方法-CN202310495469.6在审
  • 杨凯;白永林;曹伟伟;王博;郑锦坤;杨阳;朱炳利 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
  • 2023-05-05 - 2023-09-19 - H01G4/005
  • 本发明公开了一种多层结构电容阳极及其制备方法,以解决电容阳极电荷收集效率不高的问题。具体包括绝缘基底和由下至上依次设置在绝缘基底上的K层第一电极层,以及分别设置在相邻两个第一电极层之间的K‑1层第二电极层;K≥2且为整数;第一电极层与所述第二电极层之间设有绝缘介质层;第二电极层包括第二周长电极区和矩形的第二收集电极区;第二收集电极区包括M×N个等间距设置的正方形电极;第一电极层包括第一周长电极区和矩形的第一收集电极区;第一收集电极区和第二收集电极区大小及形状相同且上下对应;位于第一收集电极区顶点两侧的两个第一长条形电极合并为信号读出电极;第一收集电极区包括多个收集电极
  • 一种多层结构电容阳极及其制备方法

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