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[实用新型]一种陶瓷芯集成器-CN202020038526.X有效
发明人：林郑权;韩班保;曹源泉;程豆光;尚晓园;钟江平;夏全峰;雷旭光;潘惠柱;林枝汀;孙世华;王忠平;周光勇;姜志军;刘利刚 -专利权人：上海天净新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本实用新型属于采暖集成分水器领域，尤其涉及一种陶瓷芯集成器，包括集成板，所述集成板外部两侧固定连接有连接端口，所述集成板上部设有第一芯片和位于第一芯片四周的安装片，所述第一芯片外部设有固定连接在集成板上部第一陶瓷框架，所述第一芯片底部通过陶瓷凸块与集成板上部连接，所述集成板内部设有散热扇，所述集成板表面固定连接有插筒；本实用新型通过横架将第一芯片和第二芯片的陶瓷集成器架设连接，通过散热扇配合使用，散热扇与第一芯片散热，且散热后的热量散热到第二芯片上，实现集成器散热，采用设置的陶瓷凸块、第一陶瓷框架和第二陶瓷框架，使陶瓷集成器便于安装使用，增加陶瓷集成器的使用寿命。
一种陶瓷集成

[发明专利]三维集成高密度厚膜多芯片组件的集成方法-CN201210492847.7有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明公开了三维集成高密度陶瓷厚膜多芯片组件的集成方法，方法是先制作所需多层陶瓷厚膜基片，在多层陶瓷厚膜基片上，制作厚膜导带-阻带网络，小多层陶瓷基片的对外引脚制作在的同一端的端面或者两面；然后在垂直集成的相应键合区形成金球；再采用厚膜混合集成的方式进行集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成引线键合；最后，采用共晶、合金或浆料粘接等焊接方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上本发明采用三维竖向垂直集成，可将一个以上半导体芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多层陶瓷基片上，实现高密度三维集成，提高多芯片组件的集成度和提高应用系统的可靠性。
三维集成高密度厚膜多芯片组件方法

[实用新型]一种大功率半导体集成变频装置-CN202023269070.7有效
发明人：汪琳钧;车湖深;郭小波;方庆;吕冬洋 -专利权人：杭州泰昕微电子有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率半导体集成变频装置，涉及电子电力领域，包括：一铜底板，铜底板上集成有一第一陶瓷覆铜板和一第二陶瓷覆铜板；第二陶瓷覆铜板设置在第一陶瓷覆铜板右侧；第一陶瓷覆铜板上集成有多个大电流整流芯片；第一陶瓷覆铜板边缘和第二陶瓷覆铜板边缘均采用切角结构。本技术方案对装置内部陶瓷覆铜板的结构进行调整，由原先的三块陶瓷覆铜板改成两块，并对两块陶瓷覆铜板的边缘进行切角，最大程度扩大陶瓷覆铜板外部尺寸，实现了在陶瓷覆铜板上集成焊接大电流整流芯片，进而实现封装大功率半导体集成变频装置
一种大功率半导体集成变频装置

[实用新型]无引线片式混合集成电路陶瓷管壳-CN201320715798.9有效
发明人：宋诚;余建;纪秀明 -专利权人：常州市华诚常半微电子有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本实用新型涉及混合集成电路外壳的技术领域，尤其是一种无引线片式混合集成电路陶瓷管壳，在陶瓷管壳底座上表面上设有金属导带层，陶瓷管壳底座内设有过线导带，陶瓷管壳底座底部设有外引出脚，贴片元件和集成电路芯片均设置在陶瓷管壳底座上表面的金属导带层上，集成电路芯片的键合采用硅铝丝内引线键合，金属导带层与外引出脚通过过线导带连接，陶瓷管壳开口部设有金属封接环，陶瓷管壳上盖有金属盖板。本实用新型直接在管壳底部上集成片式混合集成电路，取代了原始的陶瓷基板，体积小，重量轻且能满足混合集成电路陶瓷外壳总高度≤2mm的要求。
引线混合集成电路陶瓷管壳

[实用新型]陶瓷基板集成光源与陶瓷散热器结合一体的LED灯具-CN201420317677.3有效
发明人：樊凌涛;严海铭;严建华 -专利权人：张家港东能电子科技有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷基板集成光源与陶瓷散热器结合一体的LED灯具，包括陶瓷散热器灯体、高导热胶层、通过所述胶层固定嵌设在所述陶瓷散热器灯体下端的陶瓷基板集成光源、连接在所述陶瓷基板集成光源与外界电源之间的连接线路、固定连接在所述陶瓷散热器灯体下端并罩设住所述陶瓷基板集成光源的灯罩。本实用新型中结构上采用与LED晶粒相匹配的高导热性陶瓷散热器灯体和陶瓷基板集成光源结合一体的LED灯具。
陶瓷集成光源散热器结合一体 led 灯具

[发明专利]一种方便装配的陶瓷集成墙板及其安装结构-CN201810724308.9在审
发明人：蒙政强;杨仟厦;邓魏;万璐 -专利权人：广东绿屋建筑科技工程有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种方便装配的陶瓷集成墙板，包括陶瓷面板、填充层、背板和金属附框，所述填充层通过环氧树脂胶粘结于所述背板的上面，所述陶瓷面板通过环氧树脂胶粘结于所述填充层上面，所述陶瓷集成墙板在所述填充层的四个侧面分别设有避让槽，所述金属附框插入所述避让槽内，所述金属附框粘贴在所述填充层内；所述金属附框向外一侧设有矩形的安装槽，所述安装槽分别沿着所述陶瓷集成墙板的长度和宽度方向设置，本发明的采用多层结构，在陶瓷集成墙板的四周设置金属附框可以方便陶瓷集成墙板的装配，相比于传统的干挂安装方式更加方便快捷；在陶瓷集成墙板的填充层内开槽不会对陶瓷面板造成破坏，良品率有了极大的提高，可以降低施工的成本。
集成墙板填充层陶瓷金属附框陶瓷面板环氧树脂胶方便装配安装槽避让槽背板粘结安装方式安装结构多层结构传统的良品率干挂内开粘贴装配侧面施工

[实用新型]陶瓷基板LED集成光源的压板和LED灯具-CN201520900719.0有效
发明人：谭少伟 -专利权人：深圳市晶瓷光电有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷基板LED集成光源的压板和LED灯具。LED灯具包括至少一个陶瓷基板LED集成光源和灯座散热体、复数个螺钉和与陶瓷基板LED集成光源数量相同的压板。压板包括复数个螺钉孔，压板的底面包括容纳陶瓷基板的槽孔，槽孔的上方为压板的顶板；顶板的中部包括光源的出光孔。陶瓷基板LED集成光源安装在压板的槽孔中，螺钉穿过压板的螺钉孔将压板和陶瓷基板LED集成光源固定在灯座散热体上。本实用新型可以避开螺钉与陶瓷基板直接接触，螺钉的压力作用在塑胶的压板上，通过压板固定陶瓷基板，陶瓷基板受力均匀不易破碎。
陶瓷 led 集成光源压板灯具

[实用新型]一种系统集成电路封装结构-CN201220061366.6有效
发明人：郭清军;王俊峰;余欢;樊卫峰 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种系统集成电路封装结构，包括陶瓷基板、上框架、上盖板、下框架、下盖板和插座，所述陶瓷基板是多层陶瓷基板，陶瓷基板内部有金属导带作为电路的互连线；陶瓷基板上表面焊接有上框架、陶瓷基板下表面焊接有下框架，陶瓷基板的上表面或下表面焊接有插座，插座位于上框架或下框架的外侧；本实用新型的系统集成电路封装结构，使陶瓷基板封装一体化、具有双面腔体和微型插座I/O引脚，达到了系统高密度集成、多引脚的封装，解决了系统集成电路集成度大
一种系统集成电路封装结构

[实用新型]压电式加速计-CN201921297143.8有效
发明人：赵建锋;饶安邦;李伟峰;陈振强 -专利权人：精量电子（深圳）有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压电式加速计，包括底座、感应组件、顶盖、与感应组件电性连接的多个引脚，底座设有容置槽，感应组件包括用于产生压电效应的压电陶瓷和用于将压电陶瓷所产生的电荷进行放大且转化为电信号经由引脚输出的集成电路板，压电陶瓷和集成电路板依次叠置于容置槽内，集成电路板设置为压电式加速计的质量块。通过使用集成电路板作为质量块，能够大幅提高压电陶瓷的敏感度，利用压电陶瓷的压电效应产生电荷，并使得该电荷经过集成电路板放大输出，且将集成电路板叠置在压电陶瓷上，实现了压电陶瓷和集成电路小型化设计，结构紧凑
压电加速

[实用新型]一种抗干扰的厚膜集成电路-CN202021197194.6有效
发明人：黄伟聪;陈保青;冯嘉俊 -专利权人：广东天泓新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗干扰的厚膜集成电路，包括陶瓷基壳，所述陶瓷基壳是由陶瓷下基体和陶瓷基帽构成，所述陶瓷下基体的内侧壁设置有抗干扰金属内层一，所述抗干扰金属内层一的顶端设置有厚膜陶瓷基片，所述厚膜陶瓷基片的顶端设置有厚膜集成电路，所述厚膜集成电路的两端分别均设置有金属引脚，所述厚膜集成电路的顶端设置有若干散热片一，所述散热片一的顶端设置有卡套，所述卡套的内部设置有导热硅胶，所述卡套的顶端设置有散热片二，所述陶瓷基帽的内侧壁设置有抗干扰金属内层二有益效果：使得厚膜集成电路具有较好的抗干扰抗腐蚀性能，同时使得厚膜集成电路具有较好的散热型，有效提高厚膜集成电路的使用寿命。
一种抗干扰集成电路

[实用新型]贴片温度补偿石英晶体振荡器-CN201620665656.X有效
发明人：万鹏;吴仲杰;毛晶;张亚芳;刘文新 -专利权人：武汉海创电子股份有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H03L1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴片温度补偿石英晶体振荡器，包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖，陶瓷基座从上至下依次设置有密封层、陶瓷层、第二放置层、连接层、第一放置层和底面层，集成电路放置于第一放置层，石英晶片放置于第二放置层本实用新型将陶瓷基座作为温度补偿晶体振荡器集成电路的承载，可以直接将石英晶片与集成电路设于陶瓷基座内，通过陶瓷基座将集成电路的各个功能引脚引出连接外部端口。由于将集成电路置于陶瓷基座下层，石英晶片放置于上层而实现了立体布置，陶瓷基座顶层使用外盖密封，表面无裸露元器件，提高了产品的密封性与可靠性。
温度补偿石英晶体振荡器

[实用新型]高密度表贴式半导体集成电路-CN201621409060.X有效
发明人：胡锐;杨成刚;路兰艳;唐拓;黄华;聂平健;杨晓琴 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：高密度表贴式半导体集成电路，由上陶瓷基片、下陶瓷基片、陶瓷加厚层、上下两块半导体集成电路芯片、对外电气连接端和金属引脚组成；上陶瓷基片和下陶瓷基片用陶瓷加厚层连接成为整体，两基片和陶瓷加厚层均有通孔；上半导体集成电路芯片通过对外电气连接端固定在上陶瓷基片底面上，下半导体集成电路芯片通过对外电气连接端与金属引脚连接。本实用新型解决了原有的半导体集成电路在装备系统的小型化、集成化和轻便化等应用领域受限的难题，使用本实用新型的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化
陶瓷基片半导体集成电路芯片半导体集成电路电气连接端加厚层本实用新型陶瓷金属引脚装备系统密度表贴式工业控制医疗设备应用空间高可靠集成化原有的轻便受限通孔船舶航天航空通讯应用

[实用新型]一种LED集成封装光源模块及所用的多层陶瓷基板-CN201220351751.4有效
发明人：杨威;程治国 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及大功率LED集成封装领域，尤其是一种LED集成封装光源模块及所用的多层陶瓷基板，包括陶瓷基板本体，其特点是：所述陶瓷基板本体由上层陶瓷(1)和底层陶瓷(5)共两层组成，在上层陶瓷(1)上均匀分布有圆锥孔(2)，而在底层陶瓷(5)上近圆锥孔(2)的一面印刷有覆铜线路(3)，该覆铜线路(3)通过底层陶瓷(5)上的通孔(4)与底层陶瓷(5)另一面的电极(7)连接。采用本实用新型的技术方案后，能提高LED集成封装的工作效率，还能提高陶瓷基板封装LED产品的出光效率，并且有效解决大功率集成封装产品的散热问题。
一种 led 集成封装光源模块所用多层陶瓷

[发明专利]一种薄膜厚膜混合集成陶瓷基板及其制备方法-CN202111467922.X在审
发明人：刘松坡;黄卫军 -专利权人：武汉利之达科技股份有限公司;湖北利之达电子科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板，具体包括采用半导体薄膜工艺制备的薄膜陶瓷基板和采用图形电镀工艺制备的厚膜陶瓷基板，两者共用同一陶瓷基片，并通过表面金属层实现电连接。其中，所述薄膜陶瓷基板含有薄膜多层布线、金属通孔和金锡合金层，用作电阻、电感、电容等数字/控制电路；所述厚膜陶瓷基板含有厚金属层和金属通孔，用于功率器件封装。本发明专利还公开了一种薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板制备方法。通过本发明，在同一块陶瓷基片上实施薄膜与图形电镀工艺，实现薄膜/厚膜陶瓷基板混合集成，提高器件集成度与可靠性。
一种薄膜混合集成陶瓷及其制备方法

[实用新型]三维集成高密度多芯片组件-CN201220637633.X有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了三维集成高密度多芯片组件，它具有管壳底座、管脚、水平和竖向共烧陶瓷基片、片式元器件、半导体芯片Ⅰ、半导体芯片Ⅱ、阻带、导带/键合区；在多层陶瓷基片上垂直集成有一个以上的小多层陶瓷基片，该小多层陶瓷基片的正反面集成有一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；电气互连引脚从该小多层陶瓷基片的端面或两面引出；在端面键合区、底座多层陶瓷基片表面相应的键合区形成金球，并金球进行键合。本实用新型采用三维竖向垂直集成，可将一个以上半导体芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多层陶瓷基片上，实现高密度三维集成，提高多芯片组件的集成度和提高应用系统的可靠性。
三维集成高密度芯片组件

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