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[发明专利]分离栅结构的半导体器件及其制造方法-CN202110340660.4在审
发明人：方冬;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种分离栅结构的半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有沟槽的基底；在所述内表面形成槽壁氧化隔离介质，然后向所述沟槽内填充分离栅材料，形成分离栅；在所述分离栅上形成第一氧化隔离介质；在所述第一氧化隔离介质上形成硅氮化物隔离介质；在所述沟槽内的分离栅上方未形成硅氮化物隔离介质的位置填充第二氧化隔离介质；在所述第二氧化隔离介质上形成控制栅。本发明的分离栅和控制栅之间的隔离结构为第一氧化隔离介质+硅氮化物隔离介质+第二氧化隔离介质的多介质结构，相对于采用单一的氧化层介质的方案，栅源耐压更高。
分离结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法-CN201610833270.X有效
发明人：李燕妃;朱少立;吴建伟;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在埋氧化层的上方；线性氧化层位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内表面；氧化层或氧化绝缘层被线性氧化层包围，且位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内部，线性氧化层位于隔离槽和SOI材料顶层硅之间本发明不仅提高集成电路的抗辐射能力，同时简化大线宽工艺条件下厚硅膜SOI全介质隔离工艺的复杂度和难度，突破一次性形成场区和全介质隔离区，并保证硅表面形貌平坦。
一种用于 soi 工艺介质隔离结构及其方法

[发明专利]一种纳米栅结构及其制备方法和应用-CN202011269807.7在审
发明人：贾海强;唐先胜;陈弘 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米栅结构，所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。
一种纳米结构及其制备方法应用

[发明专利]制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构-CN201510785674.1有效
发明人：颜君旭;黄邦育;彭垂亚;陈静雯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽相沉积工艺在底部浅沟槽隔离电介质上沉积顶部浅沟槽隔离电介质。也公开了具有浅沟槽隔离的半导体结构。本发明实施例涉及制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构。
制造沟槽隔离方法以及使用半导体结构

[实用新型]一种全介质隔离硅磁敏三极管-CN202120762528.8有效
发明人：赵晓锋;李苏苏;于志鹏;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极管，介质隔离环与埋层二氧化硅(3)形成全介质隔离结构，所述介质隔离环包括介质隔离环一(51)、介质隔离环二(52)和介质隔离环三(53)，三者均设置在器件硅(1)中。本实用新型公开的全介质隔离硅磁敏三极管被介质层包裹，有效实现元器件间隔离，同时限定了载流子在磁场作用下的偏转程度，改善了硅磁敏三极管的磁灵敏度和温度特性。
一种介质隔离硅磁敏三极管

[发明专利]提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法-CN201210112494.3有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。
提高化学机械平坦化工均匀方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201810122972.6有效
发明人：孙晓峰;秦仁刚;盛拓 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和所述半导体衬底，以形成隔离槽；在所述隔离槽底部和侧壁形成第三介质层；在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面形成第四介质层；在所述隔离槽中沉积绝缘介质，以形成浅沟槽隔离结构。上述浅沟槽隔离结构的制备工艺中，在隔离槽底部和侧壁生长第三介质层后，又在第三介质层和第二介质层的表面生长了相对致密的第四介质层。该第四介质层可有效阻挡在隔离槽中沉积绝缘介质时产生的等离子体对第三介质层表面的损坏，起到阻隔作用，进而防止引发漏电。
沟槽隔离结构制备方法

[实用新型]一种浅沟槽隔离结构-CN201821522868.8有效
发明人：陶大伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、隔离沟槽、第一填充介质、第二填充介质、孔隙及第三填充介质，其中，隔离沟槽形成于衬底中，以在衬底中界定出多个有源区，第一填充介质形成于隔离沟槽的侧壁，第二填充介形成于隔离沟槽中部，孔隙位于第一填充介质与第二填充介质之间，第三填充介质形成于孔隙顶部，以将孔隙封口。本实用新型在浅沟槽隔离结构中引入了孔隙，该孔隙中可以包括空气，由于空气介电常数只有1.0，可以有效降低隔离沟槽中填充介质的K值，从而增强沟槽的隔离性能，降低在浅沟槽隔离处产生的寄生电容，减少器件间的相互干扰
填充隔离沟槽浅沟槽隔离结构衬底本实用新型空气介电常数封口浅沟槽隔离隔离性能寄生电容侧壁界定源区引入

[实用新型]隔离器、容器组件和家用电器-CN202020142936.9有效
发明人：江太阳;王帅;罗绍生;苏畅 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： A47J27/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了隔离器、容器组件和家用电器。其中，隔离器形成有第一腔室和与第一腔室相连通的排气口；隔离器还设有介质通道，介质通道与第一腔室相连通，介质通道被配置为供介质进入第一腔室。本实用新型的隔离器会将介质罩住，使得介质被汇聚于第一腔室内，由于第一腔室内的空间一定，故而限定了位于其内的介质的量，使待加热介质的量受隔离器外部区域的介质量的影响较小，这样，使用隔离器的容器加热时，大部分热量被隔离器的第一腔室内的介质吸收，而隔离器外侧的介质由于隔离器的作用只能吸收很少的热量，故而通过加热第一腔室内的介质，可以大幅缩短介质从常温到沸腾并产生相对稳定蒸汽的时间，这样，可实现快速产生高温蒸汽的目的。
隔离器容器组件家用电器

[发明专利]一种基于低温燃料的化学点火装置及方法-CN201910667722.5有效
发明人：张航;邢理想;高玉闪;武晓欣;李春红;陈文;张晟 -专利权人：西安航天动力研究所
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C06C9/00 文献下载
摘要：该装置包括有隔离单元；隔离单元包括隔离介质充填导管、充填导管入口阀门以及充填导管出口阀门；隔离介质充填导管两端分别连接燃料供应单元和点火单元；其上还通过充填导管入口阀门连接装有隔离介质的隔离介质容器，隔离介质的冰点小于低温燃料的沸点，其沸点大于点火剂的冰点；隔离介质充填导管上还通过充填导管出口阀门连接有位置高于隔离介质充填导管的透明管。基于该装置本发明还提供了一种一种基于低温燃料的化学点火方法，通过低温燃料推进隔离介质进而推进点火剂，使得点火剂与氧化剂接触并自燃，从而完成点火。
一种基于低温燃料化学点火装置方法

[发明专利]一种隔离介质板及其工艺方法-CN201710472771.4在审
发明人：丁一;宋宾 -专利权人：杭州致善微电子科技有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了隔离介质板及其工艺方法，包括隔离介质板基板，所述隔离介质板上设有若干个通孔，所述通孔的内壁镀金，所述通孔内填充满铜或者金，所述隔离介质板基板的底面镀金属，所述隔离介质板基板的顶面镀金属。氧化铍陶瓷的工艺方法，包括以下步骤a、在隔离介质板基板的上钻通孔；b、通孔的内壁镀金；c、在通孔内填充满铜或者金；d、在隔离介质板基板的底面镀金属；e在隔离介质板基板的顶面镀金属。
一种隔离介质及其工艺方法

[发明专利]隔离沟槽的填充方法、设备及隔离沟槽的填充结构-CN201710676374.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一介质旋转涂布装置；装载一表面刻蚀有隔离沟槽的晶圆于介质旋转涂布装置中；在介质旋转涂布装置中，旋涂方式形成绝缘介质前驱物于晶圆表面，以填充隔离沟槽；以及，在介质旋转涂布装置中，对旋涂后的晶圆进行烘烤退火，以将绝缘介质前驱物经氧化反应而转变成绝缘介质；其中，在前述旋涂形成过程与前述烘烤退火过程中，介质旋转涂布装置提供臭氧阻隔(O3free)环境，使得绝缘介质填满隔离沟槽且其内部无气泡产生，并且绝缘介质前驱物在隔离沟槽中的转换效率在90％以上。有效减小甚至消除隔离沟槽中的空洞，减少填充次数，降低成本。本发明还公开一种隔离沟槽的填充设备，以及一种隔离沟槽的填充结构。
隔离沟槽旋转涂布装置填充绝缘介质前驱物烘烤晶圆旋涂绝缘介质填满填充隔离沟槽退火表面刻蚀晶圆表面气泡产生填充设备退火过程氧化反应转换效率臭氧对旋减小装载阻隔空洞

[实用新型]一种比例卸压油缸-CN202320674706.0有效
发明人：雷强;杨康宁;张云;邹木基 -专利权人：四川航空工业川西机器有限责任公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F15B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种比例卸压油缸，包括油缸本体和隔离活塞(3)，油缸本体是密封容器，隔离活塞(3)密封设置在密封容器中，隔离活塞(3)隔离密封容器形成工作介质腔(A)、控制介质腔(B)，隔离活塞(3)上下端面面积相等，工作介质腔(A)开有与比例安全阀组(10)相连通的工作介质进出口(C)，比例安全阀组(10)与比例卸压回路和一级水箱相连通，控制介质腔(B)开有与比例泵组相连通的控制介质进出口(D)，隔离活塞3进行压力能等量传递，通过控制控制介质腔B的液压油压力按比例变化来实现冷等静压机工作缸比例卸压；隔离活塞(3)有效隔离工作介质与控制介质，使控制介质清洁无污染，比例溢流阀不易卡滞。
一种比例卸压油缸

[实用新型]板式高效多介质热交换器-CN201921068735.2有效
发明人：马健;陈甲枢;王润铭;杨子东 -专利权人：四平市三明换热设备制造有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： F28D9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及换热技术领域，具体的说是一种板式高效多介质热交换器，包括机体，机体两侧设有前夹紧板和后夹紧板，机体内部竖立若干个板片组，机体中心竖向安装隔离号板，隔离号板一侧上端设有介质A入口，下端设有介质A出口，隔离号板的下端的A出口旁还设有介质C入口，隔离号板另一侧上端设有介质B入口，下端设有介质B出口，隔离号板的下端介质B出口旁还设有介质C出口，隔离号板上设有通孔以便介质C导流。本实用新型在现有的换热器机组上，引入一块特殊开孔的隔离号板，使得一天板式换热器内部能够同时进行三种介质的换热。
板式高效介质热交换器

[发明专利]一种沟槽分离栅器件的制造方法-CN202110343647.4有效
发明人：乔明;钟涛;方冬;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽分离栅器件的制造方法，包括如下步骤：(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽；(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层由至少一层介质层构成；(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅；(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由至少一层介质层构成；分离栅介质层和隔离介质层不能同时为一层介质层；(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅；本发明采用一种或多种材料形成分离栅介质层和/或隔离介质层，分离栅介质层和隔离介质层只需要一种采用多层结构，即可形成分离栅器件的倒U形控制栅，能够减小控制栅与分离栅的交叠，进一步减小器件的寄生栅源电容。
一种沟槽分离器件制造方法

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