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[发明专利]一种三维堆叠的闪存结构及其制备方法-CN201810069437.9有效
发明人：金鎭湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维堆叠的闪存结构，包括：基板；支撑板，形成于基板的上表面，由半导体材料制备形成；第一侧面结构；第二侧面结构；第一侧面结构包括上下堆叠的多个第一晶体管控制结构，且相邻的第一晶体管控制结构之间通过第一隔离层相隔离；第二侧面结构包括上下堆叠的多个第二晶体管控制结构，且相邻的第二晶体管控制结构之间通过第二隔离层相隔离；每个第一晶体管控制结构与支撑板组成相连的多个第一晶体管；每个第二晶体管控制结构与支撑板组成相连的多个第二晶体管；能够形成三维堆叠的闪存结构，能够使得晶体管列的布局面积最小化，同时充分扩张晶体管的传送通道的长度，极大提高存储性能。
一种三维堆叠闪存结构及其制备方法

[发明专利]利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法-CN201910082292.0有效
发明人：金镇湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑条及位线插头。由此，根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法所生成的动态随机存取存储器单元阵列，很大程度地减少整体布局面积。并且，在本发明优选实施例的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法中，动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元各自的存储器呈具有多个侧面突出部的多鳍类型，从而很大程度地增加存储器的面积。
利用支撑动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

[发明专利]一种减少设计面积的动态随机存储器单元及其制造方法-CN201711434312.3在审
发明人：金鎭湖;康太京 -专利权人：东芯半导体有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少设计面积的动态随机存储器单元及其制造方法，应用于半导体存储装置制造领域，其中，每一所述动态随机存储器单元包括一晶体管、一电容器，所述晶体管的栅电极于字线电压的控制下导通位线与所述电容器之间的传送通道；每一对所述动态随机存储器单元通过以下步骤制备：于一半导体基板上形成水平方向扩张的面板；于所述面板两侧形成一所述晶体管的栅电极；于所述面板上方一预定位置形成与所述位线产生电连接的位线连接口；于所述栅电极的一侧形成所述电容器，所述电容器与所述传送通道产生电连接；有益效果：通过共用面板和位线连接口的方式减小动态随机存储器单元的设计面积。 1
动态随机存储器电容器位线栅电极晶体管传送通道电连接连接口制造半导体存储装置半导体基板面板两侧预定位置字线电压导通减小制备应用

[发明专利]一种避免数据干扰的闪存装置-CN201710730962.6在审
发明人：王文静;康太京;李炯尚;朱家骅;谢莺霞;张纲;何峻 -专利权人：东芯半导体有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免数据干扰的闪存装置，应用于闪存装置的修复，其中存储阵列包括多个存储单元，其中，闪存装置包括，数据读取单元，用以持续读取存储阵列中对应的存储单元中的读取数据并输出；数据修复地址形成单元，用以持续形成被读取的读取数据对应的存储地址；数据检测单元，用以对读取数据进行检测，以检测读取数据对应的存储地址上是否存在数据干扰并输出检测结果；控制器，在存储地址上存在数据干扰时锁定对应的存储地址；控制器对被锁定的存储地址所对应的存储单元进行数据干扰排除操作。其技术方案的有益效果在于，可检测存储单元是否存在干扰，并在干扰时对当前的所述存储单元进行数据擦除修复操作或者数据写入修复操作。
一种避免数据干扰闪存装置

[发明专利]一种避免数据擦除出错的闪存装置-CN201710632782.4在审
发明人：王文静;康太京;李炯尚;朱家骅;谢莺霞;张纲;何峻 -专利权人：东芯半导体有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免数据擦除出错的闪存装置，应用于闪存单元的擦除，存储阵列中包括多个存储单元，包括数据擦除单元内预先由高至低形成多个等级的擦除电压并根据外部输入的擦除信号输出一个等级的擦除电压以对被激活的存储单元进行数据擦除；数据检测单元，用以在完成对存储单元的擦除后，对其进行检测以判断是否擦除成功，并在擦除失败时向数据擦除单元发送一第二检测信号；数据擦除单元接收到第二检测信号后将擦除电压相对于之前的擦除操作提高一个等级，并重新对被激活的存储单元进行数据擦除，直至存储单元被擦除成功。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中对存储单元擦除存在的过度擦除进而导致闪存装置加剧损耗的缺陷。
一种避免数据擦除出错闪存装置

[发明专利]缩减布局区域的闪速存储器装置-CN201410051128.0有效
发明人： 康太京;尹勋模 -专利权人：菲德里克斯有限责任公司;尼莫斯科技有限责任公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：缩减布局区域的闪速存储器装置。提供了一种缩减布局区域的闪速存储器装置。在该闪速存储器装置中，与多对比特线相对应的多个电源连接部的偶数功率晶体管和奇数功率晶体管，和与其相对应的多个选择连接部的偶数选择晶体管和奇数选择晶体管设置在一个公共有源区中。在该闪速存储器装置中，因为缩减了用于区别有源区的绝缘区的数量/布局区域，所以缩减了沿垂直方向的布局长度，最终显著缩减了整体所需布局区域。
缩减布局区域存储器装置

[发明专利]按内容寻址的存储器器件-CN200410007720.7无效
发明人： 康太京;赵郁来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： G11C15/00 文献下载
摘要：一种三进制按内容寻址的存储器(TCAM)器件，包括多个用于存储数据的TCAM单元，每个TCAM单元具有两个存储单元和一个比较电路，所述比较电路用于比较存储在存储单元中的数据和在连接到比较电路的搜索线对上输入的数据，其中所述比较电路包括第一组多个MOS晶体管，它们连接在匹配线和第二组多个MOS晶体管之间，所述第二组多个MOS晶体管连接到地，其中第一组多个MOS晶体管被来自与其连接的存储单元的信号选通，第二组多个晶体管被来自搜索线对的信号选通。TCAM器件包括冗余存储单元，它们替换被确定为有缺陷的对应的列存储单元。连接到缺陷单元的搜索线对的每个线被放电到地。
内容寻址存储器器件

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