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[发明专利]碱金属阻挡层-CN201280026810.3无效
发明人： F·克拉博 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃板，包括玻璃基材，和位于玻璃基材至少一部分表面上的叠层，叠层中包括阻挡层，形成对所述基材内所包含离子迁移的阻挡，这些离子特别是碱金属Na+或K+，所述阻挡层在叠层之中，位于所述基材的表面和至少一个顶层之间所述阻挡层基本上由氧化硅或氮氧化硅组成，所述玻璃板的特征在于，所述氧化硅或氧氮化物还包括一种或多种选自由Al、Ga或B组成的组中的元素，并且特征还在于，在所述阻挡层中Si/X的原子比严格地低于92/8，
碱金属阻挡

[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202111305821.2在审
发明人：野口智明;中西洋介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置(101)具有：碳化硅基板(11)；半导体层(12)，其形成于碳化硅基板(11)之上；栅极电极(18)，其隔着栅极绝缘膜(26)与半导体层(12)相对；层间绝缘膜(19)，其将栅极电极(18)覆盖；阻挡金属，其形成于层间绝缘膜(19)之上；以及上表面电极，其将阻挡金属覆盖，阻挡金属是由阻挡金属(21)和阻挡金属(22)构成的两层构造，层间绝缘膜(19)侧的阻挡金属(21)由与阻挡金属(22)相同的金属构成，与阻挡金属(22)相比厚度小。
碳化硅半导体装置电力变换制造方法

[发明专利]一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法-CN202210354799.9有效
发明人：张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，在SiC衬底上外延漂移层，之后形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，离子注入形成阱区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，离子注入形成源区；将阻挡层清除后在漂移层上生长氧化层，形成阻挡层，对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，金属淀积形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，金属淀积形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，金属淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，金属淀积形成漏极金属层；提高器件的电流密度，功率密度做高，充分发挥SiC器件宽禁带材料的特性。
一种圆形纵向 mosfet 功率器件制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210946421.8在审
发明人：杨弘;叶李欣;简良翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成隔离介质层，在隔离介质层中形成凹槽；在凹槽的槽壁和槽底形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成金属扩散阻挡层，金属扩散阻挡层包括致密阻挡层，致密阻挡层包括交替沉积形成的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层含有用于弱化金属扩散阻挡层的晶界的掺杂元素，掺杂元素在交替沉积过程中掺入第一阻挡层的至少部分内；在凹槽内填充金属层，金属层形成在金属扩散阻挡层上该形成方法能够使金属扩散阻挡层的整体结构更加致密，进而改善了阻挡性能，金属扩散阻挡层能够有效抑制金属向隔离介质层中扩散迁移，从而提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成方法

[发明专利]带碱金属阻挡层的玻璃基板及带透明导电性氧化物膜的玻璃基板-CN201280042971.1无效
发明人：林英明;箕轮明久;关淳志;东诚二;广松邦明;冈畑直树 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明提供碱金属阻挡性优异的带碱金属阻挡层的玻璃基板。本发明是一种带碱金属阻挡层的基板，其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板，其特征在于，所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成。
碱金属阻挡玻璃透明导电性氧化物

[实用新型]测试结构-CN201320804312.9有效
发明人：郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试结构，包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。在多晶硅的表面形成多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，由于所述硅化金属物形成于硅化金属阻挡物之间，即将所述硅化金属阻挡物分开，通过测量所述硅化金属物的电阻值便能够监测到硅化金属阻挡物是否存在微小的偏差，从而提高监测的精确度
测试结构

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202211269050.0在审
发明人：占迪;刘月茂 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制作方法，制作方法包括：提供第一基底；于所述外围电路区形成沟槽；形成金属阻挡层；形成金属层；图形化刻蚀所述沟槽外围的所述第一金属层与所述第一金属阻挡层，形成堆叠的第二金属阻挡层和第二金属层所述金属栅格、所述金属连线部均包括在远离所述第一表面的方向上依次堆叠的所述第二金属阻挡层和所述第二金属层。本发明金属栅格中的第二金属层、金属连线部中的第二金属层以及沟槽中的第一金属层共用同一金属层，减少了工艺步骤；金属栅格中的第二金属阻挡层、金属连线部中的第二金属阻挡层以及沟槽中的第一金属阻挡层三者也仅需一次金属阻挡层形成工艺
图像传感器及其制作方法

[发明专利]具有改良金属布线的半导体器件-CN200610142115.X无效
发明人：齐藤和美 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。
具有改良金属布线半导体器件

[发明专利]无金属阻挡层的铜后道互连工艺-CN201110194242.5有效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明无金属阻挡层的铜后道互连工艺解决了现有技术中金属连线过程中由于存在金属层刻蚀阻挡层残留导致的整体电容上升，进而导致电容延迟时间长的问题，淀积金属层刻蚀阻挡层后，依靠光刻、刻蚀首先去除非金属导线区域的多余金属层刻蚀阻挡层，随后淀积金属绝缘介质，再次光刻、刻蚀金属导线槽，并移除置于金属导线槽下部的剩余金属层刻蚀阻挡层，最终实现无金属层刻蚀阻挡层的铜互连工艺。
金属阻挡铜后道互连工艺

[发明专利]金属互连结构及其制作方法-CN201911359167.6有效
发明人：陈红闯;王鹏;叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构及其制作方法，包括：形成第一阻挡层，所述第一阻挡层至少覆盖所述开孔的侧壁和底部；在开孔的底部所述第一阻挡层包裹有残留物。去除位于所述开孔的底部的所述第一阻挡层，以去除残留物。形成第二阻挡层，所述第二阻挡层至少覆盖所述开孔的底部和所述第一阻挡层。形成第二金属层在所述开孔内。第二金属层与第一金属层之间形成有第二阻挡层，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第二阻挡层导电实现电连接。第二阻挡层防止扩散能力强，能够有效阻挡第一金属层和第二金属层的相互扩散形成金属合金，从而提高金属互连结构制成的半导体器件的电磁兼容(EMC)性能。
金属互连结构及其制作方法

[发明专利]一种金属栅极结构及其制造方法-CN201811415934.6有效
发明人：刘晓钰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极结构，由内向外包括：金属电极层，包围金属电极层的粘结层、第一扩散阻挡层和功函数层，设于第一扩散阻挡层以内的第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层为包括一金属层及设于金属层以内的一金属氧化物层的复合阻挡层结构本发明还公开了一种金属栅极结构的制造方法，包括：通过常规的金属栅极工艺，在衬底沟槽中沉积形成功函数层；在功函数层之上，形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层之上，沉积形成金属层；在金属层表面上形成金属氧化物层，形成第二扩散阻挡层；在第二扩散阻挡层之上，沉积形成粘结层；在粘结层之上，沉积金属电极层材料，形成金属栅极。本发明有效解决了电极金属扩散的问题。
一种金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]后端结构的形成方法-CN202011292924.5有效
发明人：张超逸;梁金娥;卢光远 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种后端结构的形成方法，包括：在介质层上形成反射阻挡层，介质层形成于第一金属层上，第一金属层形成于衬底上，反射阻挡层的反射率低于第一金属层的反射率；对目标区域进行刻蚀，形成通孔，通孔底端的第一金属层暴露；在反射阻挡层和通孔的表面形成阻挡层；在阻挡层上形成第二金属层，第二金属层填充通孔；通过CMP工艺进行平坦化处理，去除通孔所在区域以外的其它区域的反射阻挡层、阻挡层和第二金属层，通孔内剩余的的阻挡层和第二金属层形成金属连线本申请通过在介质层上形成反射阻挡层，通过该反射阻挡层阻挡终端探测器穿透介质层照射到前层金属层上的光，降低了前层金属层的反射光对设备控制端的影响。
后端结构形成方法

[发明专利]监测晶圆以及金属污染的监测方法-CN201510231037.X有效
发明人：谭玉荣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的监测晶圆以及金属污染的监测方法中，监测晶圆包括半导体衬底、金属扩散阻挡层、刻蚀阻挡层以及金属吸附层，所述金属扩散阻挡层形成于所述半导体衬底的一侧，所述刻蚀阻挡层形成于所述金属扩散阻挡层背离所述半导体衬底的一侧，所述金属吸附层形成于所述刻蚀阻挡层背离所述金属扩散阻挡层的一侧。本发明的金属污染的监测方法，提供所述监测晶圆，将所述监测晶圆放入待监测设备内，进行处理后取出，依次使用第一溶解溶液和第二溶解诶溶液处理，得到一监测溶液，测定所述监测溶液中金属的浓度。所述金属扩散阻挡层可以避免金属扩散到半导体衬底的内部，而主要被限制在所述金属吸附层中，从而提高金属浓度监测的可靠性。
监测以及金属污染方法

[发明专利]在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法-CN96108935.0无效
发明人：崔璟根 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-05-17 - 公布日： 2000-01-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的阻挡扩散金属层的方法，该方法可避免所述半导体器件的金属导线材料扩散进入所述金属导线下的硅层，其步骤包括为防止在所述硅层和阻挡扩散金属层间的界面形成硅化物，将所述硅层表面暴露于氧等离子体中；在所述硅层上形成第一阻挡扩散金属层；将氧离子注入所述第一阻挡扩散金属层；再在所述第一阻挡扩散金属层上形成第二阻挡扩散金属层。
半导体器件制作阻挡扩散金属方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202210771772.X在审
发明人：陈丙晨;吴佳宏;张文广 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上形成有具有开口的介质层；依次交替形成至少三层金属阻挡层及至少三层润湿金属层，以形成复合阻挡层，其中，金属阻挡层为金属氮化物，且在复合阻挡层中润湿金属层与金属阻挡层中的氮至少部分形成对应的间隙化合物本发明中，利用润湿金属层与金属阻挡层中的氮反应，使金属阻挡层的非晶化程度增大提高其阻挡能力，从而提高导电材料层在开口中的体积分数，从而降低互连结构的电阻。而且，润湿金属层相对均匀分布于复合阻挡层内，还可提高其粘附性及润湿性。
互连结构及其形成方法

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