“镓多基片”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1165555个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]8～12GHz小型化三路合成100W固态功放-CN202310028493.9在审
发明人：李辰晶;司国梁;吴迪;王赛赛 -专利权人：中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种8～12GHz小型化三路合成100W固态功放，包括一分三功率分配单元、第一氮化镓功放芯片A1、第二氮化镓功放芯片A2、第三氮化镓功放芯片A3和三合一功率合成单元，第一氮化镓功放芯片A1、第二氮化镓功放芯片A2、第三氮化镓功放芯片A3并联，输入端均与一分三功率分配单元连接，输入端均与三合一功率合成单元连接；在微组装装配过程采用多温度梯度烧结工艺和多芯片微组装技术。0.254的薄膜基片烧结至1mm厚的MoCu垫片上表面，再将烧结好的薄膜基片和MoCu垫片烧结至盒体内。
12 ghz 小型化合成 100 固态功放

[发明专利]LED砷化镓衬底基片去蜡清洗剂-CN201010538519.7无效
发明人：李家荣;刘锡林;李鹏 -专利权人：南通海迅天恒纳米科技有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C11D10/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED砷化镓衬底基片去蜡清洗剂，按照重量百分比包括下列组成部分：有机溶剂5％～10％，有机碱2％～5％，表面活性剂5％～10％，无机盐5～20％和余量的去离子水，其中，所说的有机溶剂为烷烃、环烷烃或芳香烃溶剂；所说的有机碱为多羟多胺、胺碱、羟胺或醇胺，所说的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、多元醇酯和高分子及元素有机化合物中的一种或多种，所说的无机盐是碱性盐。本发明的LED砷化镓衬底基片去蜡清洗剂，能替代卤代烃溶剂，既能达到卤代烃溶剂的清洗效果，除蜡效果明显，又对砷化镓衬底基片无影响，而且制备工艺简单，满足环保要求。
led 砷化镓衬底基片去蜡清洗剂

[发明专利]一种基于镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法-CN201310740552.1无效
发明人：高义华;张翔晖;王玉梅;李璐颖;苏俊;刘逆霜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列波长可调节发光二极管的制备方法包括：提供一p型导电基片；在p型导电基片上通过控制镓掺杂氧化锌纳米线阵列的镓掺杂量，进行镓掺杂氧化锌纳米线阵列生长；在生长的镓掺杂氧化锌纳米线阵列上旋涂一层阻挡层；刻蚀去除包裹在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部的阻挡层；在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部沉积顶电极；去除部分区域的镓掺杂氧化锌纳米线阵列，露出p型导电基片，在露出的p型导电基片上制作底电极。
一种基于掺杂氧化锌纳米阵列波长调节发光二极管及其制备方法

[发明专利]太阳能转换器和复合转换器-CN200810167343.1无效
发明人：陈威廉 -专利权人：诺华光谱有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明描述了一种多节点、多光谱太阳能转换器以及它把太阳能转换为电能的生产方法，其由金刚石、砷化铝、碳化硅、磷化镓、磷镓化铟、砷化镓、锗、硅、砷镓化铟和砷化铟或任何对一个或多个太阳光谱区域的敏感的基片所加工作为优选的实施例，为获得高转换效率，相邻的节点通过导体层电性串联连接降低转换器中的串联电阻；若干个具有不同带隙的不同基片的转换器组装形成复合转换器，其具有多光谱、多节点转换功能，可转换从紫外线到红外线整个光谱的太阳能
太阳能转换器复合

[发明专利]一种太赫兹调制器及制备方法-CN202011402708.1在审
发明人：毛淇;吕赐兴;刘竞博;朱云龙 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开一种太赫兹调制器及制备方法，所述太赫兹调制器包括砷化镓基片和石墨烯薄膜；所述砷化镓基片的一面刻蚀有类金字塔结构的突起；所述石墨烯薄膜覆盖在砷化镓基片具有类金字塔结构的突起的一面上。所述太赫兹调制器通过把高电阻率的砷化镓基片刻蚀为金字塔结构，并在基片表面制备一层石墨烯薄膜，这样在激光的作用下可以提高载流子的迁移率，达到对太赫兹波的快速调制。
一种赫兹调制器制备方法

[发明专利]8～12GHz小型化三路合成100W固态功放-CN202210763643.6在审
发明人：李辰晶;司国梁;吴迪;王赛赛 -专利权人：中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种8～12GHz小型化三路合成100W固态功放，包括一分三功率分配单元、三合一功率合成单元、三个氮化镓功放芯片，三个氮化镓功放芯片并联在一分三功率分配单元和三合一功率合成单元两端，一分三功率分配单元和三合一功率合成单元均采用薄膜基片制造工艺进行加工制造，板材选用氧化铍陶瓷基片；微组装装配过程中采用多温度梯度烧结工艺和多芯片微组装技术，0.1mm厚的功放芯片烧结于0.5mm厚的CPC垫片上表面，再将烧结好的功放芯片和CPC垫片烧结至盒体内；0.254的薄膜基片烧结至1mm厚的MoCu垫片上表面，再将烧结好的薄膜基片和MoCu垫片烧结至盒体内。
12 ghz 小型化合成 100 固态功放

[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法-CN202210640920.4在审
发明人：杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能
一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺-CN201610174316.1有效
发明人：任华;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：（1）将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上；（2）将步骤（1）中的砷化镓半导体基片进行机械减薄；（3）将步骤（2）中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐蚀；（4）将化学腐蚀后的砷化镓半导体基片取出后经清洗、干燥，直接进行后端光刻及后续加工即可。
一种砷化镓半导体湿法刻蚀工艺

[实用新型]一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构-CN201120093276.0有效
发明人：周建;耿开远;朱法扬;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构，包括隔离穿通区和基片，所述基片位于隔离穿通区之间，其特征在于：所述隔离穿通区之间设有镓短基区，所述镓短基区表面还设有浓硼短基区，所述镓短基区和浓硼短基区均设于隔离穿通区之间本实用新型的优点是：采用先镓扩，再在镓表面上补一层浓硼形成的短基区，前沿与基片有良好的缓变结，镓层与浓硼层距离几乎就是整个短基区宽度，电压高。镓表面补了浓硼后，整体浓度大大提高，电流耐量大幅改善，同时抗干扰性能和通态压降（VTM）也得到改善。
一种提高晶闸管电压电流短基区结构

[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的方法-CN201010541572.2无效
发明人：王天兴;杨海刚;宋桂林;夏存军;李超;李苗苗;常方高 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，本发明涉及一种化合物半导体薄膜的制备方法，本发明目的是提供一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，该制备方法的路线短、容易操作且成膜质量好。本发明的技术方案是，一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，包括基片准备，预溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为4-8cm，基片温度为240-300℃，溅射功率为10-60W，在氩气保护环境下于540-600℃退火1-2小时。
一种制备铜铟镓硒薄膜方法

[发明专利]基于无源宽带结构的太赫兹混频器-CN202111574846.2在审
发明人：王璞;杨周明;牟聪 -专利权人：成都天成电科科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无源宽带结构的太赫兹混频器，包括依次连接的软基片和砷化镓基片，砷化镓基片固定于金属腔体内并与金属腔体适配；砷化镓基片上依次穿设有射频接地结构、射频探针过渡结构、本振滤波结构、本振探针双工结构和中频低通滤波结构；本振滤波结构与射频探针过渡结构之间还设有反向并联肖特基二极管对，反向并联肖特基二极管对倒置在砷化镓基片上；本发明采用的匹配电路更为简单，减少电路损耗及变频损耗，极大的提高了二极管的工作频率和稳定性。
基于无源宽带结构赫兹混频器

[发明专利]一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线-CN201010296040.7无效
发明人：高怀;张晓东;王晓彧;陈涛;薛川 -专利权人：苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。氮化镓具有优异的压电性能，可以扩大氮化镓ACT的应用范围。蓝宝石上氮化镓材料具有较大的声表面波速度，有利于高频应用。AlGaN/GaN异质结界面处的大能带带阶和强极化电荷可以产生高面密度二维电子气。
一种基于氮化材料单异质结声电荷输运延迟线

[实用新型]一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线-CN201020547257.6有效
发明人：高怀;张晓东;王晓彧;陈涛;薛川 -专利权人：苏州英诺迅科技有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓半绝缘型衬底，所述氮化镓半绝缘型衬底上设有氮化镓铝势垒层，所述氮化镓半绝缘型衬底两端有可以构成声表面波叉指换能器的金属图案，所述氮化镓铝势垒层两端有电极。氮化镓具有优异的压电性能，可以扩大氮化镓ACT的应用范围。蓝宝石上氮化镓材料具有较大的声表面波速度，有利于高频应用。AlGaN/GaN异质结界面处的大能带带阶和强极化电荷可以产生高面密度二维电子气。
一种基于氮化材料单异质结声电荷输运延迟线

[发明专利]一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法-CN202011493956.1有效
发明人：徐耿钊;李忠念;陈晖;刘争晖;张春玉;陈科蓓;宋文涛;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。
一种氮化镓单晶基片极性表面处理方法

[发明专利]一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法-CN201910776538.4有效
发明人：王智勇;兰天;代京京 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃‑1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子注入机内进行Ga离子注入；再把该保护层腐蚀去除后，将基片放置于真空退火炉中，装入在热处理温度下产生特定砷蒸汽压时所需保护砷；抽真空，调节压力和温度，进行退火处理，退火温度为600℃‑1250℃；将炉内温度降至室温，取出基片，最终获得有低缺陷甚至无缺陷的GaAs薄膜材料的基片。本发明的方法简单快捷，可用于改善砷化镓薄膜的质量，从而用于制备高质量的砷化镓基光电器件以及电力电子器件。
一种降低砷化镓薄膜材料缺陷方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条