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[发明专利]梯型毫米波芯片键合结构-CN202010278089.3在审
发明人：黄蔚 -专利权人：南京迅测科技有限公司;上海创远仪器技术股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯型毫米波芯片键合结构，包括结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。结构采用两根或三根金丝线。结构中的金丝线采用平行的键合方式。结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。采用了本发明的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。
毫米波芯片结构

[实用新型]梯型毫米波芯片键合结构-CN202020518659.7有效
发明人：黄蔚 -专利权人：南京迅测科技有限公司;上海创远仪器技术股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种梯型毫米波芯片键合结构，包括结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。结构采用两根或三根金丝线。结构中的金丝线采用平行的键合方式。结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。采用了本实用新型的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。
毫米波芯片结构

[发明专利]一种晶圆临时键合方法及解键合方法-CN202210522996.7在审
发明人：王晨星;杨云春;郭鹏飞;陆原;张栓;赵立芳;王文正;范建国 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开一种晶圆临时键合方法及解键合方法，涉及半导体技术领域，能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留的问题。一种晶圆临时键合方法，包括：分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理；利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。
一种临时方法解键合

[发明专利]一种基于阵列式点压的晶圆键合方法-CN201610751120.4有效
发明人：许维;刘洪刚;王盛凯;徐杨;王英辉;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
一种基于阵列式点压晶圆键合方法

[发明专利]基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法-CN202211393439.6在审
发明人：朱智源;王骏豪 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开一种基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法，应用于具有晶圆与基板的叠层结构的临时键合及解键合过程中。其方法包括：基于电敏感聚合物临时键合的Al‑Cu结构、基于摩擦电的解键合方法及基于电敏感聚合物键合方法制备不同厚度芯片的工艺流程。本发明能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留、晶圆断裂变形及影响晶圆上器件或线路的性能的问题，减少晶圆损失，提高解键合效果。
基于敏感聚合物临时解键脱粘方法

[发明专利]一种位置多维度高适配键合工装及使用方法-CN202011046454.4在审
发明人：杨帆;聂要要;王亚松;邝小乐;许红祥 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明设计了一种位置多维度高适配键合工装及使用方法，属于机械加工技术领域。其中一种位置多维度高适配键合工装主要包括夹持系统、旋转倾斜系统，可以自由旋转、倾斜和固定键合模块。工装平面倾斜设定采用机械传动的方式进行，为深腔键合提供多维度的键合方式。本发明通过增加键合工装功能改变了常规键合的加工工艺，有效解决了深腔键合无法下刀问题以及非平面键合劈刀无法打丝问题。
一种位置多维度高适配键合工装使用方法

[发明专利]半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构-CN201110421060.7有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构。本发明的实施方式包括将半导体结构直接键合在一起的方法。在一些实施方式中，帽层可以设置在半导体结构的直接键合的金属特征部之间的界面处。在一些实施方式中，杂质设置在半导体结构的直接键合的金属特征部内。使用这样的方法来形成键合的半导体结构。
半导体结构直接合在一起方法

[发明专利]一种红外热辅助紫外激光解键合方法及装置-CN202310523681.9有效
发明人：唐宁 -专利权人：广东鸿浩半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外热辅助紫外激光解键合方法及装置，涉及半导体制造技术领域。红外热辅助紫外激光解键合方法包括通过在激光解键合处理的过程中，采用红外加热的方式对键合层进行预热处理，提高键合层的温度，降低解键合激光束的功率要求，以利于键合层被激光烧蚀。同时，采集预热形成的红外热像，根据热像图中的斑点或不连续点识别键合层中气泡的位置，进而调整激光解键合的技术参数。进一步，本发明实施例在激光解键合后，采用红外加热的方式对键合层进行保温处理，使工件在解键合后能保持在适当温度上一段时间，避免键合层因冷却造成局部再次粘连的现象发生，实现彻底解键合，确保基板和半导体晶圆的分离效果
一种红外辅助紫外激光解键合方法装置

[发明专利]一种表面镀镍的铜基键合丝及其制备方法-CN202010260467.5有效
发明人：周钢 -专利权人：广东佳博电子科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明属于铜基键合材料的技术领域，具体涉及一种表面镀镍的铜基键合丝及其制备方法。所述铜基键合丝的原料包括金属铜、镍、锰、钨、硼以及锆，所述金属铜、锰、钨、硼以及锆构成铜基母合金，在铜基母合金表面镀镍层制成该铜基键合丝；通过表面镀镍的方式，大大提高铜基键合丝的防氧化性能以及键合稳定性，掺杂微量元素的铜基键合丝以及表面镀镍的方式能够有效提高键合丝材料的使用性能，成球均一，同时提高焊接性能，在实际使用的焊接中焊球容易控制且形貌优良，焊接较为稳定；采用结合合金法和表面镀层的方式改善键合丝的性能，形成高硬度、高抗氧抗硫、延展性高、塑性好的铜基键合丝，相比镀钯工艺，极大程度上降低了制造成本。
一种表面铜基键合丝及其制备方法

[发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
发明人：龙俊舟;陶超;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
键合头装置方法

[发明专利]键合头、键合设备和键合方法-CN202010130971.3有效
发明人：郭耸;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合头、键合设备和键合方法。该键合头包括至少一个键合头组件；键合头组件包括压头、加压电极和压力检测单元，压头包括压电材料，压头用于压合芯片，加压电极与压头连接，加压电极用于为压头提供交流电压，以使压头在压合方向上产生变形，压力检测单元用于在芯片键合时检测压头对芯片的压力通过调节加压电极为压头提供交流电压的大小可以调节压头压合芯片的压力，并通过压力检测单元检测压头对芯片的压力，从而可以降低键合头的成本，减小了键合头的质量和体积，有利于提高键合设备的产率和键合精度。而且，键合头组件的体积减小，可以有利于实现多个芯片的批量键合，提高键合设备的键合效率。
键合头设备方法

[发明专利]晶圆键合滑片的检测方法、装置和电子设备-CN202211089497.X在审
发明人：孙宝;马双义;赵捷 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合滑片的检测方法、装置和电子设备。其中，该方法包括：获取两片晶圆键合后的图像；基于键合后的图像判断键合设备的卡盘轮廓是否近似于圆形；如果近似于圆形，确定键合后的图像对应的目标椭圆；基于目标椭圆的宽和高的差值判断键合后的晶圆是否出现滑片。该方式中，在获取两片晶圆键合后的图像之后，可以通过圆形拟合和椭圆形拟合的方式，检测键合结果是否出现滑片，实现了自动化晶圆键合检测，可以节约时间和人力成本，提高效率、准确度和安全性，从而有效的避免滑片对设备产生的安全性影响
晶圆键合滑片检测方法装置电子设备

[发明专利]有机发光二极管封装方法及系统-CN201310464406.0有效
发明人：张建华;段玮;葛军锋 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管封装方法，在对有机发光二极管加热键合完成之后对键合部位进行加热降温，即采用平滑降低加热温度的方式对键合部位进行降温，直至键合部位的温度降至常温。通过平滑降温的方式对键合部位进行降温，使加热键合后键合部位的温度逐步的降为常温，减小了键合部位所受的热应力，防止键合部位因温度骤降产生开裂等问题，提高了有机发光二极管器件产品的良品率。
有机发光二极管封装方法系统

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202310642479.8有效
发明人：张越;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种键合方法及键合结构。该键合方法包括：提供第一基底、第二基底；在所述第一基底上沉积第一键合层，并在所述第二基底上沉积第二键合层；采用激光扫描的方式激活所述第一键合层，并通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一基底与所述第二基底键合本发明可以在对键合区域进行界面激活的同时，无需激活键合区域外的界面，极大的提高了键合的效率。
方法结构

[发明专利]一种芯片封装模块及集成化AD采集装置-CN201711122119.6在审
发明人：曾梦雪;胡乔朋;刘成强 -专利权人：湖北三江航天红峰控制有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装模块及集成化AD采集装置，芯片封装模块包括母封装模块和外壳，母封装模块通过绝缘胶连接在外壳上，母封装模块包括裸芯片、基板、键合点、裸芯片烧结点和键合加厚区；裸芯片采用共晶焊方式烧结后固定在裸芯片烧结点，然后通过金丝键合方式键合到基板的键合点上，键合加厚区用于增加金丝的键合强度；键合点通过刻蚀工艺形成，裸芯片烧结点和键合加厚区通过丝网印刷工艺印制在基板上，基板上还具有通过刻蚀工艺形成的控制电路；集成化AD采集装置包括AD采集控制器、AD转换芯片、电阻和电容；所述AD采集控制器和AD转换芯片均采用裸芯片的方式进行封装。
一种芯片封装模块集成化 ad 采集装置

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