专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种机在线配套装置-CN201420038708.1有效
  • 彭捷;谢创 - 谢创;彭捷
  • 2014-01-21 - 2014-06-25 - H01L21/60
  • 一种机在线配套装置,属半导体后封装技术领域,为节省人力资源提高工效和成品率而设计。其涉及机的控制装置、工位(501)和机工件夹具操纵杆;其包含控制装置;其特征是:设置有机夹具自动开关器(47);有一个工位工件装卸机械手(45)、一个运输带机节段(105)、和一个后运输带机节段(905);运输带机节段(105)和后运输带机节段(905)相互平行;工位工件装卸机械手(45)的作业区域涵盖该机的工位(501)、运输带机节段(105)和后运输带机节段(905)。
  • 一种键合机在线配套装置
  • [发明专利]一种板上芯片封装自动生产线-CN201410028407.5有效
  • 彭捷;谢创 - 谢创;彭捷
  • 2014-01-21 - 2017-06-13 - H01L21/60
  • 一种板上芯片封装自动生产线,属于半导体后封装技术领域,为节省人力资源而发明。其包含最少两台机(50)、处理设备、后处理设备、有机械手和运输带参与构成的输送装置、以及传感器和控制器;其特征是所有机(50)同向沿一直线排列;于所有机的对应位置,运输带(10)和后运输带(90)并排分别设置且均平行于该直线;每台机配套一个机械手(45),其作业区域涵盖该台机的工位(501)、运输带(10)和后运输带(90)。
  • 一种芯片封装自动生产线
  • [发明专利]钨基催化剂体系-CN200580013680.X无效
  • R·P·图泽;M·J·汉顿 - SASOL技术英国有限公司
  • 2005-03-11 - 2007-04-18 - B01J31/18
  • 催化剂体系,包括以下物质的组合:钨源;至少含有N或O作为原子与钨源中钨的配体体,选择钨源和配体体使得因配体钨而形成酸;并且所述催化剂体系的特征在于其基本上不含由于配体钨而形成的酸;而且钨源中钨与配体体的摩尔比至少为1∶3/n,其中n为配体体与钨所形成的化学数目。
  • 催化剂体系
  • [实用新型]一种随手水杯的开盖解锁结构及随手水杯-CN202021926495.8有效
  • 谢柯柯 - 深圳市第六星设计技术有限公司
  • 2020-09-04 - 2021-06-15 - A47G19/22
  • 本实用新型公开了水杯领域中的一种随手水杯,其包括水杯和设于水杯外侧的外框,外框的内侧设有随手水杯的开盖解锁结构,水杯闭合状态时与随手水杯的开盖解锁结构中的抵触连接,该随手水杯的开盖解锁结构位于水杯的开盖位置,包括基体和套在其内部的、上锁沿着基体上下滑动,下滑至下端时与杯口卡,上锁沿着基体前后滑动,上锁滑动至最前端时与连接。本实用新型通过对杯口的扣和开启,实现了水杯的一开盖方式,操作非常方便;通过上锁的扣和解锁,使得不会因为误操作而开启,使得整个水杯的开盖方式更加安全。
  • 一种随手水杯解锁结构
  • [发明专利]一种高精度共晶设备-CN201911392998.3在审
  • 朱树存 - 嘉兴景焱智能装备技术有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-04-10 - H01L21/67
  • 本发明涉及光通讯领域基板上芯片共晶技术领域,一种高精度共晶设备,包括设备基座,所述设备基座上端设有物料区和区;所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元,所述区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的芯片臂和后芯片臂,所述区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的共晶加热台和后共晶加热台,所述共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台,所述芯片中继台的侧还设有芯片倒装翻面头。本发明采用双键头的新型高精度光通讯共晶机的布局方案,以满足正装及倒装共晶的高精度要求,并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
  • 一种高精度共晶键合设备
  • [实用新型]一种高精度共晶设备-CN201922433688.3有效
  • 朱树存 - 嘉兴景焱智能装备技术有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-07-17 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及光通讯领域基板上芯片共晶技术领域,一种高精度共晶设备,包括设备基座,所述设备基座上端设有物料区和区;所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元,所述区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的芯片臂和后芯片臂,所述区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的共晶加热台和后共晶加热台,所述共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台,所述芯片中继台的侧还设有芯片倒装翻面头。本实用新型采用双键头的新型高精度光通讯共晶机的布局方案,以满足正装及倒装共晶的高精度要求,并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
  • 一种高精度共晶键合设备
  • [发明专利]晶圆方法及异质衬底制备方法-CN201710076760.4有效
  • 黄凯;欧欣;张润春;游天桂;王曦 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2017-02-13 - 2021-01-05 - H01L21/02
  • 本发明提供一种晶圆方法及异质衬底制备方法,所述晶圆方法至少包括:S1:提供第一晶圆及第二晶圆,其中,所述第一晶圆具有第一面,所述第二晶圆具有第二面;S2:对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行预加热处理;S3:将所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第二面进行。通过上述方案,本发明对晶圆预加热,可以有效降低异质结构在高温后退火中的热应变,进而扩大异质的使用范围,提高异质集成材料的可靠性;同时,解决异质结构在高温后退火工艺中,因为热应变而发生的解以及结构碎裂的问题
  • 晶圆键合方法衬底制备
  • [发明专利]一种多晶圆堆叠结构的形成方法-CN202011065998.5在审
  • 叶国梁 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-01-05 - H01L21/18
  • 本发明提供的多晶圆堆叠结构的形成方法,通过将前次后的修边工艺推移至后次孔中填充金属层之后,使得前次引起的边缘间隙区域,以及前次后直至后次孔中填充金属层之间形成的可能出现不良区域不在同一平面上,并且边缘间隙区域和可能出现不良区域的投影部分重叠,可以减少推移后的修边工艺的修边宽度,从而提高了多晶圆堆叠结构的有效面积,还去除了可能出现不良区域,避免了不良的产生(垫的形成过程中铜环的形成)。
  • 一种多晶堆叠结构形成方法
  • [发明专利]电感引线电路-CN201110142996.6有效
  • 伊戈尔·布莱德诺夫 - NXP股份有限公司
  • 2011-05-30 - 2012-01-25 - H01L23/48
  • 一种引线电路包括引线,引线相对地布置以提供选定的电感。结合各种示例实施例,将包括向和返回电流路径的相应引线环路正交地设置。每一个环路包括:引线,将输入端子与中间端子相连;和返回引线,将中间端子与输出端子相连。返回引线减轻了底层衬底中的来自中间端子的返回电流。
  • 电感引线电路
  • [发明专利]一体式自动开谱架和-CN201610253760.2有效
  • 庄联森 - 宜昌金宝乐器制造有限公司
  • 2016-04-22 - 2023-04-07 - G10G7/00
  • 本发明提供一种一体式自动开谱架和盖,包括盖,盖上设有枢轴,盖通过枢轴与琴体上的盖轴承座连接,谱架上设有枢轴,谱架通过枢轴与盖上的谱架轴承座连接;盖的枢轴与盖蜗轮蜗杆机构的蜗轮连接,盖电机与盖蜗轮蜗杆机构的蜗杆连接;谱架的枢轴与谱架蜗轮蜗杆机构的蜗轮连接,谱架电机与谱架蜗轮蜗杆机构的蜗杆连接。通过采用以上的结构,能够实现谱架和盖的自动开,提高钢琴的自动化程度。
  • 体式自动开合谱架
  • [实用新型]一体式自动开谱架和-CN201620343999.4有效
  • 庄联森 - 宜昌金宝乐器制造有限公司
  • 2016-04-22 - 2016-08-31 - G10G7/00
  • 本实用新型提供一种一体式自动开谱架和盖,包括盖,盖上设有枢轴,盖通过枢轴与琴体上的盖轴承座连接,谱架上设有枢轴,谱架通过枢轴与盖上的谱架轴承座连接;盖的枢轴与盖蜗轮蜗杆机构的蜗轮连接,盖电机与盖蜗轮蜗杆机构的蜗杆连接;谱架的枢轴与谱架蜗轮蜗杆机构的蜗轮连接,谱架电机与谱架蜗轮蜗杆机构的蜗杆连接。通过采用以上的结构,能够实现谱架和盖的自动开,提高钢琴的自动化程度。
  • 体式自动开合谱架
  • [发明专利]半导体封装件-CN202310192515.5在审
  • 徐柱斌;朴秀晶;金石镐;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-02 - 2023-09-05 - H01L23/48
  • 第一半导体衬底、在第一半导体衬底的上表面上的第一半导体元件层、在第一半导体元件层上的第一布线结构、连接至第一布线结构的第一连接焊盘、连接至第一布线结构的第一测试焊盘、连接至第一连接焊盘并且包括铜(Cu)的第一焊盘、以及连接至第一焊盘并且包括具有纳米孪晶晶体结构的铜(Cu)的第二焊盘,所述纳米孪晶晶体结构与包括在第一焊盘中的铜(Cu)的晶体结构不同,其中,第一焊盘在水平方向上的宽度与第二焊盘在水平方向上的宽度不同
  • 半导体封装

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