专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]布线基板-CN202211488124.X在审
  • 古谷俊树 - 揖斐电株式会社
  • 2022-11-25 - 2023-05-30 - H01L23/498
  • 实施方式的布线基板具有第1导体(11)、覆盖第1导体(11)的第1间绝缘(13)、第2导体(21)以及贯通第1间绝缘(13)并将第1导体(11)和第2导体(21)连接的第1过孔导体(14),第1间绝缘(13)包含第1绝缘(101)和第2绝缘(102),第1绝缘(101)包含在与第2绝缘(102)对置的面侧局部地形成的布线部(110),布线部(110)包含将形成于第1绝缘(101)的槽(101b)填充的埋入布线
  • 布线
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110881714.8在审
  • 钱大憨;张杰;黄娟娟;白杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-02 - 2023-02-10 - H01L23/532
  • 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法,半导体结构包括:掺杂导电,所述掺杂导电内掺杂有掺杂离子;金属导电,位于所述掺杂导电上;含氮介质,位于所述金属导电上;第一氮钼化物,位于所述掺杂导电和所述金属导电之间,用于电连接所述掺杂导电和所述金属导电;第二氮钼化物,位于所述金属导电和所述含氮介质之间,所述第二氮钼化物中氮原子的原子数占比大于所述第一氮钼化物中氮原子的原子数占比。本发明实施例有利于提升金属导电的导电性能。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法-CN202111060772.0在审
  • 吴小飞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-10 - 2023-03-14 - H10N70/20
  • 本公开提供一种相变存储器及相变存储器的制作方法,相变存储器包括衬底;堆叠结构,堆叠结构设置于衬底;加热,被设置为堆叠结构的一部分;相变,设置于堆叠结构内;导电,设置于相变内,相变包覆导电,导电沿堆叠结构的厚度方向延伸;导电与加热之间存在电流通路,相变与加热相连的区域产生相变。在本公开中的导电沿堆叠结构的厚度方向延伸,相变包覆导电,增大了相变与加热在垂直方向上的连接区域,提升了相变的利用率,提高了相变存储器的存储密度。
  • 相变存储器制作方法
  • [发明专利]一种复合型消光膜-CN201410428226.1有效
  • 杨峰 - 桐城市福润包装材料有限公司
  • 2014-08-27 - 2014-12-10 - B32B27/06
  • 本发明公开了一种复合型消光膜,所述复合型消光膜自上而下第一为电晕,电晕由聚丙烯树脂材料和抗粘连剂制成,电晕厚度为1μm,第二为抗静电,抗静电由聚乙二醇制成,抗静电厚度为3μm,第三为芯,芯内部设有分布筋,芯由聚丙树脂和聚酰胺纤维制成,芯厚度为12μm,第四为消光,消光由消光母料和爽滑剂制成,消光厚度为2μm。
  • 一种复合型消光膜
  • [发明专利]一种显示面板及其制造方法-CN201811412612.6有效
  • 李梦涛 - 惠科股份有限公司
  • 2018-11-26 - 2021-10-08 - G02F1/1335
  • 所述显示面板包括基板,所述基板包括:色阻,包括至少三种颜色不同的子色阻,所述子色阻间隔分布在基板上;遮光,位于相邻子色阻之间,包括至少两种颜色不同的子遮光,所述遮光由子遮光堆叠而成,所述子遮光材质与子色阻材质相同;所述遮光与色阻厚度相同。遮光至少包括两个颜色不同的子遮光,这样遮光就不能使光透过,从而达到黑矩阵的效果,而且本发明遮光与色阻厚度相同,这样就不会使液晶不均匀产生色偏。
  • 一种显示面板及其制造方法

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