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[发明专利]一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件-CN200410084793.6无效
发明人：郭方敏;陆卫;徐欣;李宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所;华东师范大学
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70％左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。
一种降低铟柱焊点应力平面器件

[发明专利]红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法-CN200910198963.6无效
发明人：叶振华;尹文婷;黄建;王建新;朱建妹;林春;张勤耀;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在常规结构的红外焦平面探测器的四个角增加四个大铟堆桥墩，以实现常规结构红外焦平面探测器混成互连铟焊点同时作为机械连通和电学连通双重功能的分离的技术方案，有效解决了混成互连铟焊点因受冷热温度循环冲击疲劳而限制红外焦平面列阵器件使用寿命的问题
红外平面列阵器件混成互连铟焊点寿命提高方法

[发明专利]一种激光热解结合维森堡直写的氧化铟锡高温薄膜传感器-CN202210289485.5在审
发明人：海振银;孙道恒;李兰兰;徐礼达;杨涛;陈沁楠;何功汉 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光热解结合维森堡直写的氧化铟锡高温薄膜传感器，包括：氧化铝绝缘基底、氧化铟锡复合敏感层、铂浆引线、高温抗氧化保护层、银浆焊点和铂丝，其中所述铂浆引线通过丝网印刷于所述氧化铝绝缘基底上；所述氧化铟锡复合敏感层直写于氧化铝绝缘基底上铂浆引线间；所述高温抗氧化保护层通过丝网印刷覆于所述氧化铟锡复合敏感层上；银浆焊点焊接于铂浆引线上与铂丝固连，氧化铟锡复合敏感层是通过氧化铟锡粉末与前驱体陶瓷溶液进行混合，将氧化铟锡薄膜稳定预制于氧化铝绝缘基底上，能够实现薄膜高温稳定性的提高。
一种激光结合维森堡直写氧化高温薄膜传感器

[发明专利]铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片-CN202010624967.2有效
发明人：张文龙;杨楚宏;郑亚锐;张胜誉 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，以在第二光刻胶层上形成底切结构，该衬底带有光刻胶结构；对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光，进行第四烘烤；在经泛曝光和第四烘烤之后，刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层；在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点；将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离，得到带有铟柱焊点的衬底。本申请能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题，保护衬底其他位置不受影响。
铟柱焊点制备方法芯片衬底

[发明专利]一种锡铟互连焊点金属间化合物的可控制备方法-CN201310627424.6有效
发明人：刘志权;田飞飞;尚攀举;郭敬东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B23K31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡铟互连焊点金属间化合物的可控制备方法，属于微互连焊点结构制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以铜基体和锡铟无铅焊料为原材料，通过控制反应基板的表面晶向制备不同生长取向或织构形貌的金属间化合物，通过控制时效温度和时间实现不同类型金属间化合物的相互转化，从而改变微互连焊点的力学、电学、磁学和腐蚀等使用性能本发明基于焊点液态反应中界面化合物的生长机理以及固态反应下金属焊盘和焊料中反应元素的扩散机制，实现金属间化合物形貌和种类的可控制备，方法简单，可操作性强，为微型器件焊点性能的改良提供了一种切实可行的方法
一种互连金属化合物可控制备方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202310210917.3在审
发明人：余人睿;曹智强;郭炫廷;张楙曮;林修任;谢静华;裴浩然 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体封装，包括衬底、衬底上方的半导体器件以及接合在半导体器件和衬底之间的多个焊点结构，其中多个焊点结构中的每一个包括按重量百分比计的2％至23％的铟。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]一种铟基钎料及其制备方法-CN201910519447.2有效
发明人：杨莉;熊义峰;姜伟;卢王张;杨耀;乔健;于帮龙 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明属于钎焊材料技术领域，更具体的涉及一种铟基钎料及其制备方法。本发明铟基钎料由In、Sn和Ag三组分颗粒构成的通式为In‑Sn‑xAg复合颗粒钎料，其中x代表在铟基钎料中Ag的重量百分比，所述x为20‑70。可调节Ag在In‑Sn‑Ag无铅钎料的含量调节焊点剪切强度，改善了钎料的可靠性；尤其是当Ag含量为50wt％时，抗剪强度达到了22.2MPa。In‑Sn‑Ag无铅钎料可在较低温度下键合，焊点由Cu3(In，Sn)和Ag3In相构成，这两种相熔点均高于600℃，
一种铟基钎料及制备方法

[发明专利]一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法-CN201510145242.4在审
发明人：黄玥;白治中;周松敏;王建新;林春;叶振华;丁瑞军 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。
一种用于红外探测器原位倒装熔焊工艺方法

[发明专利]一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法-CN201510145210.4在审
发明人：黄玥;林春;叶振华;丁瑞军 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖，并且能根据实际情况对互连后焊点高度进行控制
一种用于红外探测器回熔提拉倒装熔焊工艺方法

[发明专利]一种高力学性能的In-Ag复合钎料及其制备方法-CN202110398584.2在审
发明人：杨莉;卢王张;乔健;杨耀;于帮龙;徐宇航;陆凯健 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明属于钎焊材料技术领域，更具体的涉及一种高力学性能的铟银复合钎料及其制备方法。本发明铟银复合钎料由In颗粒与Ag颗粒组成通式为In‑xAg复合颗粒钎料，其中X代表在钎料中Ag颗粒的重量百分比。通过调节Ag在In‑Ag无铅复合钎料的含量调节焊点剪切强度，获得最优Ag含量。在最优Ag含量基础上调节键合时间、键合压力和键合温度以进一步提高焊点剪切强度，改善钎料的可靠性，抗剪强度达到了12.24MPa。In‑Ag无铅复合钎料可在较低温度下通过瞬态液相连接技术键合，焊点由Ag2In和Cu2In相构成，这两种相熔点均高于600℃，因此能够满足低温键合、高温服役的要求。
一种力学性能 in ag 复合料及制备方法

[发明专利]一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法-CN201510145228.4在审
发明人：黄玥;林春;叶振华;丁瑞军 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。
一种用于红外探测器批量倒装熔焊工艺方法

[发明专利]一种高可靠性低温无铅焊料及制备方法-CN202210801826.2在审
发明人：袁鹏;楚成云 -专利权人：深圳市博士达焊锡制品有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性低温无铅焊料及制备方法，配方包括：铋、银、铜、锑、铟、镍、铁、配料以及余量的锡，各组分的重量百分比分别是：40～60wt％的铋、0.1～4.0wt％银、0.1～1.5wt％铜、0.01～1wt％锑、0.01～1wt％铟、0.01～1wt％镍、0.01～0.1wt％铁、0～0.05wt％的配料以及余量的锡；制备方法，包括以下步骤：步骤一，原料称取；步骤二，熔炼；步骤三，冷却；该焊料可呈下列形式：条状、棒、实芯或焊芯线、箔或长条、膜、预制件、或粉末或膏、或使用在球栅阵列焊点或芯片尺寸封装中的焊料球、或其它预形成的焊料片、或回焊或固化的焊点、或预施加在任何可焊材料上；通过改变IMC结构，抑制IMC过度生长，从而极大的改善了合金焊点的跌落性能，同时提高了可靠性。
一种可靠性低温焊料制备方法

[发明专利]焊料组成物-CN201710993750.7有效
发明人：黄淑秋 -专利权人：上海飞凯光电材料股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：以该焊料组成物的总重为100wt％计，该焊料组成物包含3～4wt％的银、0.5～1wt％的铜、0.04～0.07wt％的镍、2.5～3.5wt％的铋、0.2～1.5wt％的铟，以及余量的锡。该焊料组成物相较于传统的焊料，因还进一步包含0.2～1.5wt％的铟，能在维持或提高降伏强度及抗拉强度等性质的同时，促使以该焊料组成物所形成的焊点，能在温度循环试验中维持良好或更佳的表现，并使该焊点多次回焊后在推球试验中不易发生自界金属断裂之失败测试结果
焊料组成

[发明专利]锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法-CN95111868.4无效
发明人：于成民;孙仁涛;冯桂华;刘佩瑶;王晓雯;关杰;孔海霞 -专利权人：机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所
申请日： 1995-07-13 - 公布日： 1996-08-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺制得，这种电极的电极焊点对敏感膜无损伤，焊点牢固度好，其制作工艺还具有简单和易于控制的优点。
锑化铟霍尔元件电极及其制造方法

[发明专利]一种介电谱测量装置-CN201910258976.1在审
发明人：郭强;索奕双;张向平 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：及四根铜电缆II与中空活塞之间固定，四根同轴电缆II及四根铜电缆II的下端均位于环氧树脂外，四根同轴电缆II的下端的外导体层互相连接，四根同轴电缆II两根为一组，每组两根的下端的芯线顶端焊接在一起以形成焊点，并用铟将所述焊点包裹以形成一个铟小球，两组同轴电缆II对应的两个铟小球分别通过金线I连接到样品表面的两个不同位置，每根同轴电缆II的上端均连接有射频转接头II，能够对样品施加高压，电信号传输保持较好的高频特性
同轴电缆铜电缆环氧树脂焊点测量装置中空活塞介电谱转接头铟小球射频电信号传输阻抗分析仪操纵杆低温容器顶端焊接高频特性互相连接外导体层样品表面控制器压力腔样品腔上端金线两组下端芯线研发并用施加

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