“铝钨钛”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果457716个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]钨钛铝靶材组件的焊接方法-CN201310754922.7有效
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B23K20/14 文献下载
摘要：一种钨钛铝靶材组件的焊接方法，包括以下步骤：提供钨钛靶材、铝背板，所述铝背板具有容纳部分所述钨钛靶材的凹槽，所述凹槽的深度为1～2mm；将钨钛靶材置于所述凹槽内，所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面接触，形成靶材组件坯料；将所述靶材组件坯料放入真空包套；利用热等静压工艺将所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面焊接形成钨钛铝靶材组件；焊接完成后，对所述真空包套进行冷却，去除所述真空包套以获得所述钨钛铝靶材组件
钨钛铝靶材组件焊接方法

[发明专利]一种钨靶材扩散焊接方法及靶材组件-CN201711233465.1在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体靶材技术领域，尤其是涉及一种钨靶材扩散焊接方法及靶材组件，以缓解现有技术中存在的钨靶材直接与铜合金背板焊接容易出现裂纹，以及钨靶材与铝中间层，铝中间层与铜合金之间不易扩散焊接的技术问题。首先在钨靶材的焊接面镀上一层钛金属膜形成镀钛钨靶材、在铝中间层的上下两个焊接面均镀上一层钛金属膜形成镀钛铝中间层、在铜合金背板的焊接面镀上一层钛金属膜形成镀钛铜合金背板。然后装配镀钛钨靶材、镀钛铝中间层和镀钛铜合金背板以形成装配体，其中镀钛铝中间层位于镀钛钨靶材和镀钛铜合金背板之间。本发明提供的技术方案能够避免出现裂纹并且容易扩散焊接。
一种钨靶材扩散焊接方法组件

[发明专利]一种碳化钨铝-碳化钛硬质材料的制备方法-CN202010788029.6有效
发明人：刘建伟;马贤锋;汤华国;赵伟 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化钨铝‑碳化钛硬质材料的制备方法，包括以下步骤：A)将钨铝合金粉、钛粉和碳粉混合，球磨3～5h，得到混合粉体；B)将所述混合粉体在成型剂和防锻剂中再次混料后冷压成型，得到坯体；C)将所述坯体进行真空热压烧结，得到碳化钨铝‑碳化钛硬质材料。本发明提供了无粘结相型碳化钨铝‑碳化钛硬质材料的制备方法，具体涉及以钨铝合金粉、钛粉、碳粉为原料，通过高能球磨和反应烧结的方式制备无粘结相型碳化钨铝‑碳化钛硬质材料。
一种碳化硬质材料制备方法

[发明专利]镁合金钛铝钨皮膜处理剂、制备方法以及镁合金表面处理方法-CN202211595254.3在审
发明人：熊猛;况金权 -专利权人：广东东明新材科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C22/44 文献下载
摘要：本申请提供一种镁合金钛铝钨皮膜处理剂、制备方法以及镁合金表面处理方法。上述的镁合金钛铝钨皮膜处理剂包括如下浓度的各组分：98％硫酸1克/升～4克/升；50％氟钛酸1克/升～3克/升；硝酸铝1克/升～5克/升；偏钨酸铵0.5克/升～2克/升；聚乙二醇0.2克/升～1克/升；上述的镁合金钛铝钨皮膜处理剂，能够在镁合金表面形成一层性能稳定的钛铝钨皮膜，同时不会影响镁合金钛铝钨皮膜表面电阻和涂层附着力，从而有效地提高镁合金的耐腐蚀性，进而提高镁合金的使用寿命，且不含5价的钒酸盐
镁合金钛铝钨皮膜处理制备方法以及表面

[发明专利]一种在金属材料表面镀膜获得耐高温涂层的铝钛钨三元合金靶材及其制备方法-CN201610977052.3有效
发明人：余琨 -专利权人：烟台南山学院;中南大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：一种在金属材料表面镀膜获得耐高温涂层的铝钛钨三元合金靶材及其制备方法。一种铝钛钨合金靶材的制备方法，该铝钛钨靶材由以下原子百分比的原料制成：铝粉60％～70％，钛粉30～40％，钨粉1～10％。本发明还包括铝钛钨合金靶材的粉末热压烧结和真空热处理方法。本发明利用铝粉、钛粉的活性，在真空条件下与钨粉实现烧结成形，然后再在高温下真空长时间退火，利用铝原子和钛原子的均匀化扩散作用，实现和添加的元素钨之间的冶金结合，在温度和压力的共同作用下，该靶材致密度高，
一种金属材料表面镀膜获得耐高温涂层铝钛钨三元合金及其制备方法

[发明专利]全湿法腐蚀形成器件结构的方法-CN201611206291.5有效
发明人：许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上键合石英玻璃，并对所述石英玻璃进行减薄；在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层；在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层；形成光刻胶并进行光刻图形化；以所述图形化后的光刻胶为掩膜，采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀；湿法去除光刻胶；以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜，采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀，其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水
湿法腐蚀形成器件结构方法

[发明专利]钛酸铝系陶瓷-CN201080008085.8有效
发明人：岩崎健太郎;根本明欣 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-02-16 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供表现出良好的机械强度的钛酸铝系陶瓷。本发明是通过将含有钛元素、铝元素，进而含有铬元素和/或钨元素的原料混合物进行烧成而得到的钛酸铝系陶瓷。优选的钛酸铝系陶瓷是，相对于上述原料混合物100质量份，含有上述铬元素的铬源的含量为0.001～5质量份，含有上述钨元素的钨源的含量为0.001～1.0质量份。
钛酸铝系陶瓷

[发明专利]一种屏蔽中子和伽马射线的硼钨铝复合材料及其制备方法-CN201910931923.1有效
发明人：刘璐;张于胜;潘晓龙;王志杰;黎栋栋 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽中子和伽马射线的硼钨铝复合材料，由以下质量百分数的原料制备而成：钨和/或碳化钨20％～80％，硼、碳化硼和氮化硼中的一种或两种以上1％～10％，钛0.2％～0.5％，余量为铝和/或六系铝合金；本发明还公开了一种屏蔽中子和伽马射线的硼钨铝复合材料的制备方法，将除钛粉末外的原料粉末混合研磨后与钛粉末间歇式混合研磨，得到复合材料粉末，依次经冷压、活化和烧结，得到硼钨铝复合材料。本发明原料中引入硼元素和钨元素，实现了对中子和伽马射线的有效屏蔽，钛元素抑制了界面反应对屏蔽性能的影响；本发明采用间歇式混合法避免了冷焊的产生，通过冷压和活化去除残余气体，有利于得到硼钨铝复合材料。
一种屏蔽中子伽马射线硼钨铝复合材料及其制备方法

[发明专利]多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品-CN201110404077.1无效
发明人：张国伟;陈建国 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射导通材料层；在该导通材料层的表面进行上层铝布线。铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钨塞、金属钛层和上层金属铝。本发明在钨回刻步骤之后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料层例如金属Ti层的阶梯覆盖率较高，与钨塞和上层金属铝之间的粘附性较好，提高了上下铝金属互连通孔的可靠性，有效地降低了上层和下层铝金属的接触电阻，钨塞的导通电阻由此变的更为稳定。
多层布线互连工艺方法半导体产品

[发明专利]氧化物层中深孔铝的填充方法-CN202011262136.1在审
发明人：韩为鹏;邓斌 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物层中深孔铝的填充方法，包括：在氧化层的上表面、深孔的孔壁及深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；在粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；在阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；在铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充深孔；在粘附层沉积金属钨作为阻挡层，可以在相对较薄的厚度下，提高对热铝扩散的阻碍作用，同时金属钨的电阻率较氮化钛低，对铝的电学性能影响较小。
氧化物层中深孔铝填充方法

[发明专利]光催化剂材料制备系统-CN201711323224.6在审
发明人：柴春旺 -专利权人：广西金茂钛业有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种光催化剂材料的制备系统，将二氧化钛、铝盐、氮源、铁盐、银盐、钨盐、稀土金属混合，首先把二氧化钛打浆，把、铝盐、氮源、铁盐、银盐、钨盐、稀土金属溶解，将二氧化钛、铝盐、氮源、铁盐、银盐、钨盐、稀土金属投入分散剂中混合；并真空干燥得到前驱体；其中钛、铝、氮、铁、银、钨、稀土金属元素的摩尔比为5∶(0.05～0.3)∶(2～3)∶(0.2～0.3)∶(0.4～0.6)∶(0.1～0.2)∶(0.3～0.4)，将前驱体投入到惰性气体加热炉中高温煅烧
二氧化钛稀土金属氮源铝盐铁盐钨盐银盐光催化剂材料制备系统前驱体煅烧加热炉稀土金属元素打浆惰性气体光催化剂复合材料分散剂摩尔比中高温溶解

[发明专利]低薄层电阻涂层-CN202180024404.2在审
发明人：马智训;M·格里芬;A·甘卓;S·纳拉亚南;A·D·波尔西恩;P·A·麦德维克 -专利权人：维特罗平板玻璃有限责任公司
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括：基材；在至少一部分基材上方的第一介电层；在至少一部分第一介电层上方的第一金属性层；在至少一部分第一金属性层上方的第一底漆层；和在至少一部分第一底漆层上方的第二介电层；其中第一底漆层选自以下组：锌、铝掺杂的银、铝锌、钒锌、钨钽、钛铌、锆铌、钨铌、铝铌、铝钛、钨钛、钽钛、锌钛、锌锡、铟锌、银锌、镓锌、铟锡、它们的混合物、它们的组合、和它们的合金。
薄层电阻涂层

[发明专利]接触孔的工艺方法-CN201410854000.8在审
发明人：李豪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的工艺方法，包含步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔本发明利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺，在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙，以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足，有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。
接触工艺方法

[实用新型]一种高温厚膜HIC电源用多层金属过渡片-CN202320961162.6有效
发明人：宋述臣;王舒丙;邓昌雪;高靖;刘瑞科;冯永智;李志涌;于宝阳;林辰;郑泽浩 -专利权人：青岛智腾微电子有限公司;青岛智腾科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温厚膜HIC电源用多层金属过渡片，属于航天微电子封装技术领域，其包括铝箔层、形成在所述铝箔层表面的镍衬底层、溅射形成在所述镍衬底层表面的钛钨阻挡层、电镀形成在所述钛钨阻挡层表面的金层，其中，所述钛钨阻挡层和所述金层经合金化处理之后形成钛钨金复合层，在所述钛钨金复合层的下表面焊接金导带，在所述铝箔层的上表面采用楔形焊接硅铝丝，通过采用铝箔层、镍衬底层、钛钨阻挡层和金层经合金化处理之后形成钛钨金复合层制成的多层金属过渡片，阻挡了金铝原子之间的互扩散，避免金铝之间化合物的形成，降低了形成柯肯达尔空洞的风险，彻底解决了铝丝键合金焊盘的长期可靠性问题。
一种温厚 hic 电源多层金属过渡

[发明专利]光催化剂材料-CN201711323221.2在审
发明人：柴春旺 -专利权人：广西金茂钛业有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：一种光催化剂材料，包括二氧化钛、铝盐、氮源、铁盐、银盐、钨盐、稀土金属，其中钛、铝、氮、铁、银、钨、稀土金属元素的摩尔比为5∶(0.05～0.3)∶(2～3)∶(0.2～0.3)∶(0.4～0.6)∶(
光催化剂材料稀土金属元素二氧化钛稀土金属摩尔比氮源铝盐铁盐钨盐银盐

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条