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[发明专利]一种铁电单管锁存结构以及嵌入式不挥发逻辑集成电路-CN03115373.9无效
发明人：林殷茵;汤庭鳌;谢宇涵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电单管锁存结构以及利用该锁存结构实现的嵌入不挥发逻辑集成电路。铁电单管锁存结构由铁电单管单元、传输门、电阻、倒相器、逻辑门等数字电路基本单元相结合构成，具有锁存数字电路的逻辑状态的功能。将其嵌入大规模集成电路中，可实现整个芯片的逻辑不挥发。
一种铁电单管锁存结构以及嵌入式挥发逻辑集成电路

[发明专利]单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置-CN202310128233.9在审
发明人：任天令;王震泽;鄢诏译;刘厚方;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及铁电存储技术领域，特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置，其中，方法包括：判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件；若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件，则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态；基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作，使得单畴铁电晶体管进入目标状态，以在目标状态完成存储动作。由此，解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题，拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制，使单畴铁电晶体管能够实现三态存储，提高了数据存储密度，提高存算一体电路集成度。
单畴铁电晶体管三态存储操作方法装置

[发明专利]不挥发逻辑电路的铁电锁存技术-CN97106439.3无效
发明人：陈登元;汤庭鳌 -专利权人：复旦大学
申请日： 1997-05-24 - 公布日： 1998-04-29 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明是不挥发逻辑电路的铁电锁存技术。现有电子领域逻辑电路除不挥发存储器外,均是挥发性的。本发明用两个铁电电容和两个MOS晶体管并各将它们的一个端点与锁存电路的输出及其互补输出连接构成不挥发锁存电路。
挥发逻辑电路铁电锁存技术

[发明专利]抗单粒子翻转的D触发器-CN201110322680.5有效
发明人：陈书明;梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;何益百;陈建军;刘真;杜延康;秦军瑞 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的D触发器抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成，主锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，主锁存器和从锁存器中C2MOS电路也进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转触发器

[发明专利]抗单粒子翻转的可置位D触发器-CN201110322678.8有效
发明人：梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;刘真;李振涛;陈建军;何益百;杜延康 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的可置位D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的可置位D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成，主锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，从锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器和从锁存器中C2MOS电路均进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可置位D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转可置位触发器

[发明专利]一种抗单粒子翻转加固的改进型QUATRO D触发器-CN201911095387.2有效
发明人：吴振宇;岳铮筝;刘毅;刘秀清;倪昊睿;王希望 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：一种抗单粒子翻转加固的改进型QUATRO D触发器，涉及抗辐射集成电路，包括锁存器；所述锁存器由钟控单元和存储单元组成；其特征在于：所述锁存器包括依次电连接的主级锁存器和从级锁存器；所述存储单元为加固的在保证电路逻辑功能的前提下，设计了仅由10个晶体管构成的加固存储电路，使D触发器的单粒子翻转临界值和传统QUATRO D触发器相比增大约180%‑210%左右，提升了整个电路的抗辐射性能。同时，延时、功耗和晶体管数量仅为传统QUATRO D触发器的110%左右。
一种粒子翻转加固改进型 quatro 触发器

[发明专利]抗单粒子翻转的可复位D触发器-CN201110323795.6有效
发明人：孙永节;李鹏;池雅庆;刘必慰;梁斌;刘真;陈建军;何益百;杜延康;秦军瑞 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的可复位D触发器，目的是提高可复位D触发器抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成，主锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，从锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，主锁存器和从锁存器中C2MOS电路也进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可复位D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转的可同步复位D触发器-CN201110323791.8有效
发明人：梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;刘真;李振涛;陈建军;何益百;杜延康 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的可同步复位D触发器，目的是提高可复位D触发器抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成，主锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，主锁存器和从锁存器的C2MOS电路结构均进行了改进，即主锁存器中分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉电路和下拉电路，从锁存器中分离互为冗余的C2MOS电路中的上PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可复位D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转同步复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器-CN201110322677.3有效
发明人：梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;刘真;李振涛;陈建军;何益百;杜延康 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成；主锁存器由十四个PMOS管和十四个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器和从锁存器中C2MOS电路进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转可置位复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器-CN201110323927.5有效
发明人：池雅庆;孙永节;李鹏;梁斌;杜延康;刘祥远;陈建军;何益百;秦军瑞 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成；主锁存器由十八个PMOS管和十八个NMOS管组成，从锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器和从锁存器中C2MOS电路结构均进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉电路和下拉电路。本发明抗单粒子翻转的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转复位扫描结构触发器

[发明专利]基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器-CN201310188747.X有效
发明人：魏榕山;陈寿昌;于志敏;黄凤英;何明华 -专利权人：福州大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，源极接地。本发明的锁存器与传统的CMOS锁存器相比，具有功耗低、电路结构简单、集成度高等优点；而与单电子锁存器相比，本发明的锁存器工作电压较高，输出电压摆幅大，并且减小了电路的传输延迟。
基于微分电阻特性 set cmos 锁存器

[实用新型]基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器-CN201320277821.0有效
发明人：魏榕山;陈寿昌;于志敏;黄凤英;何明华 -专利权人：福州大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，栅极作为所述锁存器的输入端，漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，源极接地。本实用新型的锁存器与传统的CMOS锁存器相比，具有功耗低、电路结构简单、集成度高等优点；而与单电子锁存器相比，本实用新型的锁存器工作电压较高，输出电压摆幅大，并且减小了电路的传输延迟。
基于微分电阻特性 set cmos 锁存器

[发明专利]一种抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器-CN201110323908.2有效
发明人：梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;刘真;李振涛;陈建军;何益百;杜延康 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成；主锁存器由十四个PMOS管和十四个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器中C2MOS电路进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
一种粒子翻转可置位复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器-CN201310670222.X有效
发明人：陈书明;王崇峰;姚龙;孙永节;梁斌;池雅庆;郭阳;陈建军;刘祥远;许文涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器，目的是解决可复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器，主锁存器和从锁存器前后串联，均与时钟电路和复位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了本发明抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器-CN201310671683.9有效
发明人：梁斌;万鸿;姚龙;陈书明;郭阳;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;刘祥远 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器，目的是解决可置位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、置位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路和置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位触发器

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