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[发明专利]一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板-CN202011615806.3在审
发明人：李宁宁;詹仁宏;陶华珍;李萍;郑浩旋 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板的制程方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第二金属层，设置在所述第一金属层的上方；其中，所述第一金属层和所述第二金属层属于不同层且相互绝缘，所述第一金属层和第二金属层中的至少一个为铜钼金属层，所述铜钼金属层包括铜金属层和钼金属层，所述钼金属层设置在所述铜金属层的下方，所述钼金属层的厚度为200埃米至300埃米，所述铜金属层的厚度为2800通过调整铜钼金属层中的钼金属层的厚度和铜金属层的厚度，从而防止钼残留或者倒角的情况发生。
一种阵列方法显示面板

[发明专利]扁平电缆与钼层的连接方法、焊接结构件和CIGS太阳能电池-CN201811513623.3在审
发明人：吕勇;李先林;王策 -专利权人：华夏易能（海南）新能源科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种扁平电缆与钼层的连接方法、通过该方法制得的焊接结构件和CIGS太阳能电池。根据本申请实施例的扁平电缆与钼层的连接方法，钼层的表面形成有硒化钼层，该连接方法包括以下步骤：在硒化钼层表面制备一层金属层、或在扁平电缆表面制备一层金属层或选择镀有金属层的扁平电缆，所述金属层的熔点低于250℃，金属层中至少一种金属原子的金属半径小于150pm；通过超声波焊接方法将扁平电缆或硒化钼层与金属层焊接在一起。在扁平电缆和金属钼层表面的硒化钼层之间制备一层薄金属层，通过超声波焊接过程中的超声作用使得金属层与硒化钼的结合力得到改善，从而改善扁平电缆和钼层之间的结合力，降低了生产成本。
扁平电缆连接方法焊接结构件 cigs 太阳能电池

[实用新型]一种红外液晶光阀结构-CN201720574668.6有效
发明人：林志坚;王海;曾新勇 -专利权人：康惠(惠州)半导体有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本实用新型公开一种红外液晶光阀结构，包括上玻璃公共电极层、下玻璃段电极导电层、胶框。上玻璃公共电极层面向下玻璃段电极导电层的端面具有金属钼铝钼层，金属钼铝钼层的边缘与上玻璃公共电极层的边缘之间形成空白间隙；胶框为“口”字形环状框架结构，胶框面向上玻璃公共电极层的端面具有钼铝钼粘接区域及玻璃粘接区域，钼铝钼粘接区域与金属钼铝钼层粘接，玻璃粘接区域与空白间隙粘接；胶框的另一端面与下玻璃段电极导电层粘接。本实用新型的红外液晶光阀结构，防止出现公共电极的金属钼铝钼层与段电极的导电层的夹缝间因异物引起的层间短路问题，防止出现上玻璃的金属钼铝钼层与下玻璃粘接不牢固的问题。
一种红外液晶结构

[发明专利]一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法-CN200910237091.X无效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法，包括以下步骤：步骤10：在半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(101)；步骤20：高K栅介质层(101)经过快速热退火处理后，在其上形成钼基金属栅电极层(102)；步骤30：在钼基金属栅电极层(102)上形成势垒层(103)；步骤40：在势垒层(103)上形成硅栅层(104)。本发明在钼基金属栅和硅栅之间加入一层势垒层，可以防止钼基金属栅在硅栅淀积的过程中与硅栅发生反应。另外，该结构的功函数由处于底层的钼基金属栅决定，所以该方法不会影响P管功函数需要的钼基金属栅的功函数，为实现高K/钼基金属栅的叠层结构制备清除了障碍。
一种克服基金属栅叠层结构制备反应方法

[发明专利]一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板-CN202010293568.2有效
发明人：梅园 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本申请提供一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板，该铜钼膜层的蚀刻方法包括：在基板上形成铜钼膜层；在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；使用呈酸性的第一蚀刻液对所述铜钼膜层上的铜膜层进行蚀刻；使用呈中性或碱性的第二蚀刻液对所述铜钼膜层上的钼膜层进行蚀刻，形成具有所述预定图案的铜钼金属层。本申请针对铜金属和钼金属发生腐蚀的电位区间差异，采用不同pH值的蚀刻液，仅通过控制铜或钼单层金属的蚀刻工程以进行铜钼膜层的分段蚀刻。
一种铜钼膜层蚀刻方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及显示装置-CN201910051342.9在审
发明人：何怀亮 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：利用物理气相沉积法在基板的半导体层上依次沉积第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层，得到源漏金属层，其中，沉积所述第一钼金属层和所述第二钼金属层时，通入的氮气流量为0sccm～1000sccm；利用蚀刻液对所述源漏金属层进行蚀刻，得到源极和漏极，其中，所述蚀刻液包括盐酸和硝酸的混合溶液；在所述源极和漏极上依次形成钝化层和电极层。本发明由于在沉积钼金属层时将氮气流量控制在1000sccm以下，从而降低了钼金属层的氮含量，提高了钼金属层与蚀刻液的反应速率，使得蚀刻得到的源极和漏极无钼金属残留。
钼金属层薄膜晶体管蚀刻液漏极源极沉积制备蚀刻源漏金属层显示装置物理气相沉积法氮气流量控制半导体层氮气流量混合溶液铝金属层电极层钝化层钼金属硝酸基板盐酸残留

[发明专利]钼铝钼金属膜的制备方法-CN201510224572.2有效
发明人：池京容;郑建万;任伏军;石国强;王余刚 -专利权人：深圳南玻伟光导电膜有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼铝钼金属膜的制备方法，包括如下步骤：对基底进行预处理；在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，反应气体为氮气；以及在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备方法，这种钼铝钼金属膜的制备方法通过氮化钼层取代钼层降低了金属性，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率
钼铝钼金属膜制备方法

[发明专利]一种钼/铝复合金属层的蚀刻液及蚀刻方法-CN201811128422.1在审
发明人：童少平;吴国庆;刘志彪;李振弘 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼/铝复合金属层的蚀刻液，包括以下重量百分比的原料：磷酸50～70％；硝酸0.1～5％；乙酸5～20％；高氯酸1～10％；余量为水。本发明还公开了利用所述钼/铝复合金属层的蚀刻液对钼/铝复合金属层进行蚀刻的方法。本发明的钼/铝复合金属层的蚀刻液，通过加入高氯酸来平衡钼和铝的蚀刻速率，使得钼/铝复合金属层的蚀刻角度和蚀刻量得到有效的控制。
金属层铝复合蚀刻蚀刻液高氯酸乙酸重量百分比蚀刻量硝酸磷酸平衡

[发明专利]包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法-CN201710076422.0在审
发明人：张广宇;杨蓉;祝建琪;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法。根据一实施例，一种析氢催化电极可包括导电金属层；位于所述导电金属层上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的二硫化钼层。优选地，所述二硫化钼层为具有金属相的单层二硫化钼。
包括金属二硫化钼催化电极及其制备方法

[发明专利]用于钎焊的金属化陶瓷结构及其制造方法及磁控管-CN201710271292.6有效
发明人：葛春桥;黄志飞;王贤友 -专利权人：广东威特真空电子制造有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钎焊的金属化陶瓷结构，其包括本体层及金属化层，金属化层覆盖在本体层的表面上，金属化层与本体层紧密结合，金属化层包括钼锰层、镍层及钎料层，钼锰层连接本体层及镍层，镍层连接钼锰层及钎料层，镍层与钼锰层紧密结合，镍层与钎料层紧密结合，钼锰层隔开本体层及镍层，镍层隔开钼锰层及钎料层，钎料层由熔点低于钼锰层及镍层的用于钎焊的合金钎料构成。这样在金属化陶瓷结构与可伐合金进行钎焊时，可不需要人工放置钎料，从而可实现金属化陶瓷结构与可伐合金的自动化组装，从而可减少组装过程中的人为因素的影响。另外，本发明还公开了一种制造上述金属化陶瓷结构的方法及包括上述金属化陶瓷结构的磁控管。
用于钎焊金属化陶瓷结构及其制造方法磁控管

[实用新型]一种长条形电容触摸屏-CN202221014129.4有效
发明人：黄华达 -专利权人：东莞通华液晶有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型涉及触摸屏领域，公开了一种长条形电容触摸屏，包括玻璃层，所述玻璃层的中间视为可视区，所述玻璃层的边缘视为非可视区；可视区：所述玻璃层上镀有ITO层；非可视区：所述玻璃层上镀有钼铝钼层并形成可导电的线路；所述钼铝钼层与所述ITO层连接，为使线路部分的电阻以及与ITO层的接触电阻更小，采用三层结构，即钼铝钼结构，金属铝层保证金属线路有较小的电阻，金属钼层可以保证较小的接触电阻以及防止金属铝层氧化，适合大尺寸
一种条形电容触摸屏

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN201911282711.1在审
发明人：胡小波 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板，其包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的阵列层；所述阵列层包括位于所述衬底基板上方的栅极层；所述栅极层包括第一导电金属层以及依次层叠设置于所述第一导电金属层上的第一钼合金层和第一氧化钼合金层利用设置于所述第一导电金属层上方的第一氧化钼合金层以降低栅极层的表面的光反射率，利用设置于所述第二导电金属层上方的第二氧化钼合金层降低源极和漏极的表面的光反射率，从而防止产品的光反射率偏高影响视觉效果，同时通过第一钼合金层防止第一导电金属层与第一氧化钼合金层之间发生电偶腐蚀，通过第二钼合金层防止第二导电金属层与第二氧化钼合金层之间发生电偶腐蚀。
显示面板及其制备方法

[发明专利]一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法-CN201910280764.3在审
发明人：廖广兰;王子奕;孙博;史铁林;谭先华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电子器件领域，并具体公开了一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法。该方法包括在基底上制备金属层，然后在金属层上制备绝缘层；制备连续硫化钼薄膜，并将连续硫化钼薄膜转移至绝缘层的表面；制备金属纳米方体，并在金属纳米方体的表面制备SiO₂层；将含有SiO₂层的金属纳米方体涂覆在连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。本发明将金属纳米方体制备于连续硫化钼薄膜的表面，使金属纳米方体与金属层相互配合，能够增强局域电磁场的强度并显著提高硫化钼薄膜的光吸收率，同时通过控制金属纳米方体的尺寸、制备材料和分布密度等参数，能够提高局域电磁场强度和光吸收率
金属纳米方体制备连续硫化硫化钼钼薄膜光探测器件金属层绝缘层光吸收率电磁场光电子器件领域制备金属纳米表面制备制备材料基底涂覆薄膜封装配合

[发明专利]金属电极及其制备方法、触控板、触控装置-CN201711488857.2在审
发明人：王士敏;赵湘辉;朱泽力;古海裕;宋小来;李宝会 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属电极、触控板及触控装置。一种金属电极，用于触控装置，金属电极包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层。第一黑化层的材料选自钼的氧化物、钼的氮化物及钼的氮氧化物中的至少一种。所述过渡层的材料选自钼及钼合金中的至少一种。所述导电层的材料为导电金属。上述金属电极具有优良的消影效果、附着性及灵敏度。
金属电极触控装置触控板导电层过渡层黑化层氮氧化物导电金属氮化物附着性灵敏度钼合金氧化物叠层消影制备

[实用新型]钼铝钼金属膜的制备系统-CN201520284033.3有效
发明人：池京容;郑建万;任伏军;石国强;王余刚 -专利权人：深圳南玻伟光导电膜有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钼铝钼金属膜的制备系统，包括：预处理装置，可对基底进行预处理；与预处理装置相连的磁控反应溅射镀膜腔室，可在通入工作气体和反应气体的条件下，利用磁控反应溅射在预处理过的基底上沉积氮化钼层；以及与磁控反应溅射镀膜腔室相连的磁控溅射镀膜腔室，可在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，利用磁控溅射在氮化钼层上依次沉积铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备系统，这种钼铝钼金属膜的制备系统通过氮化钼层取代钼层降低了金属性，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率
钼铝钼金属膜制备系统

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