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[发明专利]一种包含多钨酸钆的纳米材料作为增敏剂的用途-CN201710210288.9有效
发明人：赵宇亮;雍媛;杜江锋;谷战军 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包含多钨酸钆的纳米材料作为增敏剂的用途，所述包含多钨酸钆的纳米材料中的多钨酸钆能够与谷胱甘肽发生氧化还原反应，降低谷胱甘肽的含量，进而实现内在增敏。本发明还提供了一种由多钨酸钆、壳聚糖和小干扰RNA构成的多钨酸钆复合纳米材料，本发明的多钨酸钆复合纳米材料具有优良的放射增敏性能，可以吸收大量的X射线产生活性氧物质(ROS)，也可以降低HIF‑1α在肿瘤部位的表达并抑制双链断裂的DNA自我修复；并且最重要的是多钨酸钆可以与体内的谷胱甘肽(GSH)发生氧化还原反应，降低体内谷胱甘肽含量，从而产生更多有效的活性氧物质，同时实现内在增敏和外在增敏的有效结合，达到理想的放射增敏效果。
一种包含多钨酸钆纳米材料作为增敏剂用途

[发明专利]一种靶向核有放疗增敏性空心硫钨铜纳米酶的制备方法及应用-CN202310352086.3在审
发明人：郝玉徽;傅仕艳;谌莉;李勇;陈用来;冉永红;赵雅贞;李娟 -专利权人：中国人民解放军陆军军医大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： A61K47/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种靶向核有放疗增敏性空心硫钨铜纳米酶的制备方法及应用，所述方法是将氧化亚铜纳米粒子和葡萄糖，超声分散均匀，加入钨酸钠和硫代乙酰胺，搅拌混均，置于高温高压反应釜中200℃下反应24h，获得混合纳米颗粒，经离心水洗后得到空心硫钨铜纳米酶Cu2WS4；将PEG与空心硫钨铜纳米酶Cu2WS4混合，冰浴超声分散2h后，通过离心洗涤，获得带有羧基的硫钨铜纳米酶Cu2WS4钨铜纳米酶具有靶向核、有放疗增敏性的性能，可以用于肿瘤的多重放疗增敏治疗。
一种靶向放疗增敏性空心硫钨铜纳米制备方法应用

[发明专利]一种铁取代的二聚硒钨酸纳米团簇及其制备方法和应用-CN201911380135.4有效
发明人：谷战军;周如意;晏亮;赵宇亮 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁取代的二聚硒钨酸纳米团簇及其制备方法和应用，属于纳米材料、放射治疗以及免疫治疗技术领域。解决了现有技术中纳米放射增敏剂在治疗后很难被生物降解或迅速从体内清除从而影响短期的放疗损伤以及纳米放射增敏剂长期的体内滞留而带来的毒副作用的问题。本申请的铁取代的二聚硒钨酸纳米团簇，结构式为：X4[Fe4(H2O)钨酸纳米团簇不仅具有尺寸小易代谢的优势，还具有肿瘤微环境响应的氧化还原性和催化活性，能够在肿瘤部位产生原位氧化应激，杀死原位瘤的同时激活全身免疫反应，且能够联合免疫检查点抑制剂实现转移瘤的抑制，可用于免疫放射治疗增敏剂。
一种取代二聚硒钨酸纳米及其制备方法应用

[发明专利]钨酸盐纳米薄膜进行荧光增效的方法-CN200510026933.9无效
发明人：贾润萍;吴庆生;丁亚平 -专利权人：同济大学
申请日： 2005-06-20 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： B05D5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨酸盐纳米薄膜荧光增效的新方法。以TiCl₄水解制备纳米TiO₂增敏剂；配制0.4mol/L的金属盐和钨源溶液。移去上清液，添加TiO₂增敏剂并加入火棉胶搅拌1小时，即为本发明的掺杂TiO₂镀膜材料。将洁净载玻片浸入并控制提拉速度为35mm/min，风干。将其置于马弗炉中，200℃保温30分钟，500℃恒温1小时后退火，即得荧光增效的钨酸盐纳米薄膜。本发明原料易得，成本低廉，操作和仪器设备简便，产物纯度高，光、电性能优越，易于工业化，为钨酸盐纳米薄膜的荧光增效提供了新的途径。
钨酸盐纳米薄膜进行荧光增效方法

[发明专利]一种室温低浓度硫化氢气敏材料及其制备方法-CN202110583038.6在审
发明人：张超;吴凯迪 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了气体敏感材料技术领域内的一种室温低浓度硫化氢气敏材料及其制备方法，气敏材料包括钨酸铋微米花分级结构和三氧化钨纳米颗粒，三氧化钨纳米颗粒负载在钨酸铋微米花分级结构表面；本发明中的气敏材料在室温下对低浓度硫化氢具有优异的气敏性能
一种室温浓度硫化氢气材料及其制备方法

[发明专利]三氧化钨气敏膜材料、三氧化钨基复合气敏膜材料、制备方法和应用-CN201910623394.9在审
发明人：王明松;王宜炜;葛传鑫;李晓静;刘桂武;乔冠军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化钨气敏膜材料、三氧化钨基复合气敏膜材料、制备方法和应用。通过在电极基板上利用溶液原位沉积直接制备纳米结构三氧化钨薄气敏材料，利用溶胶凝胶法在制得的三氧化钨薄膜上进行第二相氧化物复合，获得三氧化钨基复合气敏材料。本发明的优点在于可在电极基板上直接沉积生长纳米结构三氧化钨薄膜；所制备的纳米结构三氧化钨薄膜以及基于纳米结构三氧化钨的复合薄膜具有垂直基片生长的纳米片所形成的网络状结构。所得纳米结构三氧化钨薄膜具有较大的比表面积，可有效克服纳米颗粒之间的团聚问题，对NO₂、H₂S等气体具有良好的气敏响应，具有极好的气敏应用前景。
纳米结构三氧化钨三氧化钨薄膜电极基板制备方法和应用复合气敏膜溶胶凝胶法网络状结构氧化物复合垂直基片复合薄膜纳米颗粒气敏材料原位沉积直接沉积直接制备第二相纳米片气敏膜生长制备团聚复合响应应用

[发明专利]用于丙酮气敏传感器的钨酸铬气敏材料的制备方法-CN201910003520.0在审
发明人：李琦;徐洁 -专利权人：天津费加罗电子有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明用于丙酮气敏传感器的钨酸铬气敏材料的制备方法，涉及钨的化合物，采用水热法，步骤是：在可溶性铬盐溶液中滴入钨酸钠溶液，生成钨酸铬悬浮液，用水热处理，高速离心分离，干燥生成干燥的含结晶水的钨酸铬粉末于马弗炉中高温烧结，制得分散性良好的用于丙酮气敏传感器的钨酸铬气敏材料。本发明方法既克服了现有的丙酮气敏传感器存在灵敏度低、稳定性一致性差和易受外界环境干扰的缺陷，又克服了现有的钨酸盐材料的制备方法所存在能耗大、制备周期长的缺陷。
钨酸丙酮气传感器气敏材料制备可溶性铬盐溶液高速离心分离受外界环境钨酸钠溶液热处理制备周期烧结分散性铬粉末结晶水灵敏度马弗炉水热法钨酸盐悬浮液中高温滴入能耗

[发明专利]含钨敏化助剂在制备可激光活化选择性金属化的树脂组合物中的应用-CN202111183962.1在审
发明人：周涛;徐浩然 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C08K3/22 文献下载
摘要：本发明提供了含钨敏化助剂在制备可激光活化选择性金属化的树脂组合物中的应用，所述含钨敏化助剂选自钨的氧化物、钨的硫化物、含钨的酸、含钨的盐中的任意一种或两种以上，本发明属于激光敏化助剂领域。本发明发明人意外发现，使用波长190‑1064nm的激光活化添加了含钨敏化助剂的树脂组合物后，可以在其表面很好的进行化学镀铜。一方面，190‑1064nm几乎涵盖所有激光波长，在不同激光波长下活化树脂组合物可以发挥该激光波长自身的优势；另一方面，含钨敏化助剂相比于传统的含铜、锡的敏化助剂价格更为低廉，可显著降低生产成本。本发明在较低含钨敏化助剂添加量的情况下，即可获得镀层厚度、镀层强度优异的树脂组合物，具有极佳的工业应用价值。
含钨敏化助剂制备激光活化选择性金属化树脂组合中的应用

[发明专利]一种钼掺杂氧化钨气敏材料的制备方法-CN201610006729.9有效
发明人：胡杰;孙永娇;赵振廷;李明伟;李刚;桑胜波;张文栋 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼掺杂氧化钨气敏材料的制备方法，是针对单一组分的氧化钨气敏材料灵敏度低、响应速度慢、选择性差的缺陷，采用在氧化钨内掺杂钼元素，以氯化钨、钼酸铵为原料，经水热合成、真空煅烧、研磨过筛，制成纳米级钼掺杂氧化钨气敏材料，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，产物为淡黄色粉体，粉体颗粒直径≤200nm，产物纯度高，达99.5％，气敏性好，对10ppm硫化氢的灵敏度达26.5，可在多种气体传感器中使用，是十分先进的制备钼掺杂氧化钨气敏材料的方法
一种掺杂氧化钨材料制备方法

[发明专利]剖分式等强度梁光纤光栅加速度传感器-CN201710546635.5有效
发明人：杨永春;聂修逸;陈常龙;崔银峰 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：包括基座、质量块、光纤光栅和剖分式等强度梁，还包括增敏部，增敏部包括沿竖直方向设置的两个平行的增敏板，两增敏板包括增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ，增敏板Ⅰ与质量块固定连接，增敏板Ⅱ与基座固定连接，剖分式等强度梁设置在两增敏板之间，剖分式等强度梁的一端与增敏板Ⅰ固定连接，剖分式等强度梁的另一端与增敏板Ⅱ固定连接，竖直方向上增敏板的厚度大于等强度梁的厚度；所述剖分式等强度包括两根对称梁，两对称梁之间存在距离且呈对称设置；所述增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ之间设有光纤光栅，光纤光栅的两端分别与增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ固定连接。
分式强度光纤光栅加速度传感器

[实用新型]剖分式等强度梁光纤光栅加速度传感器-CN201720817256.0有效
发明人：杨永春;聂修逸;陈常龙;崔银峰 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：包括基座、质量块、光纤光栅和剖分式等强度梁，还包括增敏部，增敏部包括沿竖直方向设置的两个平行的增敏板，两增敏板包括增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ，增敏板Ⅰ与质量块固定连接，增敏板Ⅱ与基座固定连接，剖分式等强度梁设置在两增敏板之间，剖分式等强度梁的一端与增敏板Ⅰ固定连接，剖分式等强度梁的另一端与增敏板Ⅱ固定连接，竖直方向上增敏板的厚度大于等强度梁的厚度；所述剖分式等强度包括两根对称梁，两对称梁之间存在距离且呈对称设置；所述增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ之间设有光纤光栅，光纤光栅的两端分别与增敏板Ⅰ和增敏板Ⅱ固定连接。
分式强度光纤光栅加速度传感器

[实用新型]一种多维增敏振动传感光缆-CN202222927277.1有效
发明人：魏广庆;施斌;贾立翔;张劲峰;王兴;史立洋 -专利权人：苏州南智传感科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多维增敏振动传感光缆，包括竖向增敏层、横向增敏层、环向增敏层和弹性护套，竖向增敏层置于最内侧，竖向增敏层外部设横向增敏层，横向增敏层外部设环向增敏层，环向增敏层外部设弹性护套。本实用新型中，根据振动方向设置竖向增敏层、横向增敏层与环向增敏层，竖向增敏层通过质量振子的动力放大作用方式增大竖向振动，横向增敏层采用紧包护套增强振动的传递效果与约束其他方向振动的方式来增强横向振动，环向增敏层通过弹性体增加接受振动传递面积来增大环向振动
一种多维振动传感光缆

[发明专利]一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法-CN200810116299.1无效
发明人：唐子龙;徐宇兴;张中太 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法，属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸和草酸，搅拌；将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25～30克硫酸钾搅拌均匀，180℃温度下水热处理12～144小时；水热产物洗涤，在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线根据制备得到的氧化钨纳米线，添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料；元件烧结；老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单，参数容易控制，整个制备过程能源消耗少，制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积；制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1～100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。
一种氧化钨纳米线氨敏传感器制备方法

[发明专利]一种三氧化钨氢敏材料、制备方法及用途-CN202110443335.0在审
发明人：赵春山;李东平;于迎俊 -专利权人：苏州泛氢新材料科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开一种三氧化钨氢敏材料、制备方法及用途，减压蒸馏法制备三氧化钨氢敏材料包括：称取WO3和硝酸镧，先将WO3溶解于氢氧化钠中，加入无水乙醇，加热并搅拌，直至上层液体呈黄色，下层液体无色透明；再取出上层液体减压蒸馏；然后再加入硝酸镧继续反应，真空干燥后得三氧化钨氢敏材料；加热蒸发法制备三氧化钨氢敏材料包括：称取WO3和硝酸镧，先将WO3溶解于氢氧化钠中，加入无水乙醇，搅拌均匀；再加入浓盐酸直至有黄色钨酸生成，然后搅拌并加热，液体蒸发使钨酸凝集；最后加入硝酸镧，真空干燥后得三氧化钨氢敏材料。本发明涉及的制备工艺操作简单，减少贵金属的使用，且制得的氢敏材料具有较好的变色性能。
一种氧化钨材料制备方法用途

[发明专利]氧化钨纳米颗粒和多孔硅复合结构气敏传感器及制备方法-CN201811522818.4在审
发明人：胡明;秦岳;强晓永;周立伟;赵博硕 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨纳米颗粒和多孔硅复合结构气敏传感器及制备方法，依顺序利用钨酸钠和盐酸反应生成钨酸溶胶，利用热退火工艺在多孔硅顶部形成氧化钨纳米颗粒结构，利用半导体异质结效应实现多孔硅对二氧化氮气体灵敏度和选择性的提升，从而制备有良好二氧化氮探测能力的气敏传感器。本发明气敏传感器利用氧化钨与多孔硅间异质结的影响，提升了多孔硅的气敏性能，在室温下对二氧化氮气体具有较高的灵敏度和较好的选择性，适宜应用在气敏传感器的进一步开发中。同时，这种多孔硅氧化钨复合结构气敏传感器的制备工艺重复性高，具有大规模生产的潜力。
气敏传感器多孔硅氧化钨纳米复合结构制备二氧化氮气体灵敏度半导体异质结多孔硅氧化二氧化氮颗粒结构气敏性能盐酸反应制备工艺热退火钨酸钠氧化钨异质结钨酸探测应用开发

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