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[其他]金属防蚀剂-CN87100883无效
发明人：浅野忠彦;大熊正恒;中西敬昌;片山荣 -专利权人：株式会社片山化学工业研究所
申请日： 1987-01-17 - 公布日： 1987-08-05 - 主分类号： C23F11/173 文献下载
摘要：本发明是关于金属防蚀剂，其中含有的有效成分为以(甲基)丙烯酸和/或其盐(A)，以及(甲基)丙烯酸硫代乙酯和/或其盐(B)，作为主要单体成分而构成的丙烯酸系共聚物(i)，或者是，上述丙烯酸系共聚物(i)和聚马来酸和该金属防蚀剂对铁、低碳钢、铸铁呈现出优异的防蚀功效。而且，由于不需要重金属化合物、磷化合物、胺类化合物等，而具有安全使用的优点。
金属防蚀剂

[发明专利]用于轴承的防蚀剂及其制备方法-CN201610374311.3在审
发明人：尤为 -专利权人：无锡伊佩克科技有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C10M169/06 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种用于轴承的防蚀剂及其制备方法，属于金属表面处理技术领域。该用于轴承的防蚀剂包括按照质量份数计的如下原料：石油润滑油75‑88份、植酸0.5‑1份、皂基稠化剂8‑20份、马来酸树脂1‑2份、石墨0.5‑1.5份、铅粉0.2‑1份、甘油1‑5份、水1‑5份。该用于轴承的防蚀剂具有耐腐蚀性强、润滑效果好的优点，且制备方法简便，适于大规模生产。
用于轴承防蚀剂及其制备方法

[发明专利]金属用研磨液以及研磨方法-CN200710104636.0无效
发明人：小野裕;增田克之;羽广昌信 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
金属研磨以及方法

[发明专利]金属用研磨液以及研磨方法-CN200710104637.5无效
发明人：小野裕;增田克之;羽广昌信 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
金属研磨以及方法

[发明专利]金属用研磨液以及研磨方法-CN03826622.9无效
发明人：小野裕;增田克之;羽广昌信 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
金属研磨以及方法

[发明专利]腐蚀防止方法-CN200510051762.5无效
发明人：米田裕;井芹一;森信太郎 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C23F11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种不用锌系防蚀剂而通过用磷系防蚀剂并降低其使用浓度，在抑制对环境的影响下，能够稳定地形成良好的初期防蚀被膜，而且对初期防蚀被膜形成后的水处理也不产生影响的腐蚀防止方法。通过在水系中添加防蚀剂使在该水系的铁系金属部件表面形成初期防蚀被膜的初期防蚀被膜形成工序中，使用至少含有从焦磷酸和/或其盐中选出的一种以上物质的防蚀剂，将pH调整到大于等于5、小于7，使初期防蚀被膜形成工序进行到终止时的
腐蚀防止方法

[发明专利]一种半导体器件防蚀剂清洗剂及制备方法-CN201810995297.8在审
发明人：李少伟 -专利权人：李少伟
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件防蚀剂清洗剂，包括以下按照重量份的原料：柠檬酸35‑45份、金属防蚀剂14‑21份、聚乙二醇13‑20份、氢氧化铵6‑13份、三聚磷酸钠4‑9份、缓蚀剂14‑21份、渗透剂3‑8份、去离子水24‑36份；采用天然提取物柠檬酸，无腐蚀无污染，具有优异的洗净能力和浸润能力，刺激性极低，长时间使用对人体无害，对半导体器件的表面没有任何损伤，不会腐蚀金属部分，使用安全可靠，是一种绿色环保、不损伤半导体器件的清洗剂，与配伍的金属防蚀剂共同作用产生更强的清洗和保护效果，能适用于不同尺寸半导体器件的清洗。
半导体器件清洗剂柠檬酸金属防蚀剂防蚀剂清洗损伤尺寸半导体三聚磷酸钠天然提取物聚乙二醇绿色环保氢氧化铵去离子水洗净能力作用产生缓蚀剂渗透剂无腐蚀重量份制备浸润腐蚀金属

[发明专利]研磨液及研磨方法-CN200710107442.6有效
发明人：仓田靖;上方康雄;安西创;寺崎裕树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
研磨方法

[发明专利]研磨液及研磨方法-CN200710107443.0无效
发明人：仓田靖;上方康雄;安西创;寺崎裕树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
研磨方法

[发明专利]研磨液及研磨方法-CN03812783.0有效
发明人：仓田靖;上方康雄;安西创;寺崎裕树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
研磨方法

[发明专利]防蚀剂以及带有端子的包覆电线-CN201680056100.3有效
发明人：高田裕;细川武广;长谷达也;鸳海直之;沟口诚;吉田公一;小宫健一;荒井孝;设乐裕治;八木下和宏 -专利权人：株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社;国立大学法人九州大学;JXTG能源株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23F11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种防蚀剂以及通过使用该防蚀剂而提高了防蚀性的带有端子的包覆电线，所述防蚀剂即使暴露于高温下也能稳定地保护金属表面，并且即使暴露于高温下也能维持防蚀性能。一种防蚀剂，其含有粘稠性物质(A)、含磷化合物与金属的组合物(B)和唑类(C)，所述粘稠性物质(A)由润滑油基础油以及酰胺化合物构成，所述含磷化合物包含由下述的通式(1)以及(2)表示的化合物中的一种或两种以上
防蚀剂以及带有端子电线

[发明专利]一种车用燃料-CN201510069013.9在审
发明人：邓治洲;王佳伟 -专利权人：邓治洲;王佳伟
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C10L3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种车用燃料，该燃料主要组成为液化石油气、无水甲醇、有机溶剂，其中有机溶剂包括石油醚、二甲苯、乙醇、甲基叔丁基醚、金属防蚀剂、橡胶防蚀剂以及掩蔽剂。
一种燃料

[发明专利]一种石油仪器用研磨液-CN201710358305.3在审
发明人：唐生荣 -专利权人：南通华兴石油仪器有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种石油仪器用研磨液，所述研磨液由刚玉颗粒、冰粒、氨水、丙酮、金属防蚀剂以及水组成，其体积比为刚玉颗粒2.0‑2.5％，冰粒3‑5％，氨水为5‑6％，丙酮为1‑1.5％，金属防蚀剂4‑8％，
一种石油仪器研磨

[发明专利]剥离液组合物、使用了该剥离液组合物的树脂层的剥离方法-CN200880118038.1有效
发明人：金成正夫;佐口琢哉 -专利权人：汉高公司
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：提供剥离液组合物，其对滤色器、光刻胶、罩面层等树脂层的剥离性优异，兼具对于金属配线等包含金属类的构件的防蚀作用。该剥离液组合物含有链烷醇胺类、芳香族醇类和防蚀剂。
剥离组合使用树脂方法

[发明专利]半导体基板的研磨方法及研磨液-CN201710047399.2在审
发明人：魏顺锋 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的用于半导体基板的研磨液，包括金刚石粉、金属防蚀剂、烷烃类溶剂、添加剂和水，所述金属防蚀剂选自：三唑骨架的化合物、噻唑骨架化合物、苯并三唑中的一种或以上；所述添加剂含有：丙烯酸聚合物、三乙醇胺、聚乙烯和去离子水
研磨液半导体基板金属防蚀剂烷烃类溶剂金刚石粉研磨添加剂聚乙烯丙烯酸聚合物半导体晶片苯并三唑分散均匀去离子水三乙醇胺研磨工具状态稳定噻唑骨架基板无石脑油生锈划痕三唑加工

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