“金属钛靶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1553551个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钨靶材扩散焊接方法及靶材组件-CN201711233465.1在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体靶材技术领域，尤其是涉及一种钨靶材扩散焊接方法及靶材组件，以缓解现有技术中存在的钨靶材直接与铜合金背板焊接容易出现裂纹，以及钨靶材与铝中间层，铝中间层与铜合金之间不易扩散焊接的技术问题。首先在钨靶材的焊接面镀上一层钛金属膜形成镀钛钨靶材、在铝中间层的上下两个焊接面均镀上一层钛金属膜形成镀钛铝中间层、在铜合金背板的焊接面镀上一层钛金属膜形成镀钛铜合金背板。然后装配镀钛钨靶材、镀钛铝中间层和镀钛铜合金背板以形成装配体，其中镀钛铝中间层位于镀钛钨靶材和镀钛铜合金背板之间。本发明提供的技术方案能够避免出现裂纹并且容易扩散焊接。
一种钨靶材扩散焊接方法组件

[发明专利]一种金属离子掺杂二氧化钛靶材的制备方法以及由此获得的靶材-CN201110156926.6有效
发明人：冀国俊;史志铭;金永军 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属离子掺杂二氧化钛靶材的制备方法以及由此获得的靶材，该靶材是通过溶液反应先制得金属离子掺杂的二氧化钛粉体，再将其压制和烧结来制备，其制备过程工艺简单，易于实现一种或多种金属离子的均匀掺杂，离子的掺杂量能够精确控制，并在制备过程中金属离子能够进入二氧化钛晶格中，发生化学键合，所制得的靶材中二氧化钛的平均晶粒度为200纳米以下，靶材致密度高，这种靶材可以用于磁控溅射法制备金属离子掺杂的二氧化钛纳米薄膜
一种金属离子掺杂氧化钛靶材制备方法以及由此获得

[发明专利]一种钛镍形状记忆合金靶材及其制备方法-CN202110493470.6有效
发明人：王慧康;蔡新志;童培云;朱刘;冉成义 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛镍形状记忆合金靶材及其制备方法。所述钛镍形状记忆合金靶材的制备方法包括如下步骤：S1：将金属钛和金属镍以交替平铺的方式加入容器中进行熔炼得到合金熔体；S2：将S1得到的合金熔体进行浇铸，冷却得到靶坯；S3：将所述靶坯进行机加工后得到所述钛镍形状记忆合金靶材本发明将金属钛和金属镍以交替平铺的方式加入容器中进行熔炼，有利于降低熔炼过程中的温度，减少熔炼过程中的吸气，既保证合金的纯度要求，又提高熔炼速度和熔炼炉的寿命。而且采用所述制备方法制备的钛镍合金靶材组分均匀，C、O等杂质含量低，靶材纯度高。
一种形状记忆合金及其制备方法

[发明专利]一种钨钛靶材的绑定方法-CN202210245381.4在审
发明人：余芳;文崇斌;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体靶材制备技术领域，公开了一种钨钛靶材的绑定方法。所述绑定方法包括如下步骤：将钨钛靶坯加热至300～320℃保温，然后超声涂覆SnAgCu焊料层，得到金属化的靶坯；将背板加热至300～320℃保温，然后超声涂覆SnAgCu焊料层，得到金属化的背板；将熔化后的SnAgCu焊料涂覆于金属化的背板表面，并在焊料中均匀放置直径为0.1～0.5mm的铜丝；再将金属化的靶坯盖向处理后的背板进行挤压，放置压重物定位固定，降温，即得到绑定好的钨钛靶材。本发明方法可解决钨钛靶材绑定不良的问题，绑定率大于99％。
一种钨钛靶材绑定方法

[发明专利]一种半导体元件的制造方法-CN202110306176.X有效
发明人：刘小东;方建智;黄志贤;陈锦 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：所述制造方法包括提供一晶圆，所述晶圆表面具有源极区域、漏极区域以及栅氧化层；形成一硅层于所述源极区域、漏极区域以及栅氧化层上；形成一钴金属层于所述硅层上，并放入一溅镀装置的反应室中；溅镀形成一钛金属层于所述钴金属层上；溅镀形成一氮化钛层于所述钛金属层上；执行光照退火步骤，以反应形成硅化钴层；移除所述氮化钛层、钛金属层；其中，在形成所述钛金属层和所述氮化钛层的过程中，控制所述溅镀装置中金属靶材上的钛金属与氮化钛的重量比为1.6~2.4，以使所述钛金属将所述氮化钛黏附于所述金属靶材上。本发明解决了因金属靶材边缘附着大量氮化钛颗粒而易掉落到晶圆表面上的问题。
一种半导体元件制造方法

[发明专利]一种用于电致变色玻璃的金属靶材及其制备方法和应用方法-CN201910062099.0有效
发明人：杨懿;杨荣春 -专利权人：上海博译金属有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电致变色玻璃的金属靶材及其制备方法和应用方法。用于电致变色玻璃的金属靶材包括第一金属靶材和第二金属靶材，其中第一金属靶材为金属钨、钼、铌或钛中的一种；第二金属靶材包括质量比为1:0.05‑0.3:0.2‑0.26的镍、铬和氧化锂；其制备方法包括：第一金属靶材的制备方法为：将金属钨、钼、铌或钛中的一种采用热压或包套热等静压方式制作成靶材；所述第二金属靶材的制备方法为：将镍、铬和氧化锂混合，充分搅拌22‑26h，利用热压或热等静压的方式制作成靶材。本发明的用于电致变色玻璃的金属靶材具有成膜时间短，生产效率高，靶材制作难度低，适用于大规模生产的优点。
一种用于变色玻璃金属及其制备方法应用

[发明专利]一种钛铜复合圆靶-CN201811424391.4在审
发明人：石璋 -专利权人：宝鸡市华烨钛镍金属有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛铜复合圆靶，包括钛圆靶主体，所述钛圆靶主体外环套有铜环体，所述钛圆靶主体为圆台型结构，所述第二环体段外侧设有内螺纹，其内侧设有外螺纹，与所述第二圆柱段外侧的外螺纹配合连接，不用通过钎焊的方式做绑定，装配方便，大大简化了工艺程序，提高了效率，所述钛圆靶主体由高纯钛材料制成，保证了金属薄膜材料的性能。
圆靶外螺纹钛铜金属薄膜材料复合圆台型结构工艺程序配合连接主体外环装配方便高纯钛内螺纹圆柱段绑定钎焊铜环保证

[发明专利]类金刚石薄膜镀膜方法-CN200410091839.7有效
发明人：颜士杰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明是一种类金刚石薄膜镀膜方法，其包括以下步骤：提供一底材；将该底材清洗后放入真空腔内；将真空腔抽真空，然后通入氩气，对底材进行等离子清洗；以钛为靶材，于底材表面镀一钛金属层；向真空腔内通入氩气与氮气，以钛为靶材，于钛金属层表面镀一氮化钛层；以石墨与钛为靶材，于氮化钛层镀一含钛的类金刚石薄膜，其中溅射开始时于靶材上施加较小偏压，然后溅射过程中逐渐提高溅射靶材的偏压。
金刚石薄膜镀膜方法

[发明专利]涂布以钛化合物薄膜的制品、制备该制品的方法和用于涂布该薄膜的溅射靶-CN03819540.2无效
发明人：安崎利明;稻冈大介;木岛义文 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了通过溅射法在衬底上形成钛化合物膜的方法，该方法采用含有在氩气氛中溅射效率比钛高二或更多倍的金属(比如锡或锌)的钛靶来代替常规钛金属靶；涂布以钛化合物膜的制品；和用于该薄膜涂布法的溅射靶。在含有锡或锌的钛靶中锡或锌的含量优选为1－45at％，并可以加入第三种金属。它们可以克服采用反应溅射法时薄膜的成膜速率低和由于在衬底(如玻璃板)表面上形成钛化合物膜时放电的产生而不能施用高输出功率的缺陷。
化合物薄膜制品制备方法用于溅射

[发明专利]一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法-CN201310271709.0有效
发明人：沈杰;罗胜耘;颜秉熙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B01J37/34 文献下载
摘要：本发明属于光催化薄膜技术领域，具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，使用三靶共溅的溅射仪器，三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶；基板采用玻璃或金属板，溅射时以Ar离子轰击靶材，通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比，以获得优良的光催化和光电转换性能。
一种钼碳共掺二氧化光催化薄膜制备方法

[发明专利]复合钛铝合金靶及其制备方法-CN200710120869.X无效
发明人：谢元锋;吕宏;王玉民;赵昌森;李屹民 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：生产成本低、导热性能好的复合钛铝合金靶及其制备方法。技术方案是：复合钛铝合金靶，其特征在于：钛铝合金靶材的形状为在上或下表面上设置有凹槽的圆柱体，背靶的形状包括一圆柱体底座，圆柱体底座的上表面与钛铝合金靶材的下表面面积相同。制备方法包括下列步骤：将钛铝合金靶面在超声清洗器中清洗后，在钛铝合金表面涂覆金属化材料，然后放入真空炉中，在高于合金熔点的温度保温一定时间，然后冷却至室温；将Al、Cu、Mo或它们的合金背靶在超声清洗其中清洗干净；将钛铝合金靶面与背靶中间夹上焊料装配，根据溅射工艺条件在真空炉中或大气中焊接。
复合铝合金及其制备方法

[发明专利]一种用于物理气相沉积的钛铝靶材及其制备方法-CN202010287561.X有效
发明人：李群;许鹏国;李卫;杨海勇 -专利权人：河北晟华新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B22F1/052 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于物理气相沉积的钛铝靶材及其制备方法，该制备方法包括：提供钛粉和铝粉；将所述钛粉和铝粉混合均匀；将混合均匀的粉末装填进入包套；对装满粉末的包套进行除气；将除气完成的包套进行热等静压处理，在高温高压下，粉末在包套内部致密并形成锭坯；将锭坯进行机械加工制成钛铝靶材。制备得到的钛铝靶材有以下优点：(1)靶材材质和密度分布均匀，且致密度高、无气孔；(2)由于没有脆性金属间化合物的生成，靶材机加工性能良好，可实现复杂形状靶材的加工；(3)本发明所提供的钛铝靶材制备方法，可实现熔炼法无法实现的高铝含量的钛铝靶材的生产；(4)相对于热压方法和熔炼方法，可实现大尺寸钛铝靶材的生产。
一种用于物理沉积钛铝靶材及其制备方法

[发明专利]一种真空离子锚定技术制造抗菌布的方法-CN201110072018.9有效
发明人：马小歧;黄英;杨淑琴 -专利权人：马小歧;黄英;杨淑琴
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： D06M11/83 文献下载
摘要：本发明提供一种真空离子锚定技术制造抗菌布的方法，包括对布料表面进行预处理，在安装钛靶、银靶和锗靶的容器内充入惰性气体，利用真空设备使容器内压力下降至真空度10-1～10-5torr，通入氧气，控制容器内的压力为1～10mtorr、温度为20～250℃，将直流电以预定的功率通入钛靶、银靶和锗靶，产生电浆放电，将布料以卷收方式匀速通过钛靶、银靶和锗靶，使三种金属离子锚定在纤维内部和外缘；钛靶、银靶和锗靶的最大沉积速率是
一种真空离子锚定技术制造抗菌方法

[发明专利]靶材、靶材制作方法及显示面板-CN202210445426.2在审
发明人：宋智辉;王辉;廖辉华;姜庆;陈阳;杨文萍;李荣荣 -专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种靶材、靶材制作方法及显示面板。其中，靶材包括固溶体和强化相，所固溶体包括钼元素，钼元素的原子个数比大于或等于50％；所述强化相包括强化金属和碳元素，强化金属包括钛元素和锆元素，钛元素和碳元素形成钛碳强化相，锆元素和碳元素形成锆碳强化相
靶材制作方法显示面板

[发明专利]一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法-CN201110317818.2有效
发明人：孙锡泉;张浴晖;王俊发;刘其达;张元洪;梁玉超 -专利权人：青岛大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，包括对金属靶材进行清洁处理、在纳米二氧化钛粉末上沉积金属阻隔膜等步骤，采用磁控溅射的方法，将待处理的纳米二氧化钛粉体置于溅射仪基底上，控制磁控溅射室内工作气体压力及单位面积功率、溅射时间等条件对靶材进行溅射，在纳米二氧化钛表面上沉积靶材金属膜，得到光催化活性降低的纳米二氧化钛粉末，从而完成改性。
一种降低纳米氧化光催化活性方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条