“金属膜形成”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5253951个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]立体配线基板的制造方法、立体配线基板、立体配线基板用基材-CN201580065134.4在审
发明人：道脇茂 -专利权人：名幸电子有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：包括准备工序，在该准备工序中，准备具有50％以上的断裂伸长率的树脂膜(1)；第一金属膜形成工序，在该第一金属膜形成工序中，在所述树脂膜的表面上形成第一金属膜(3)；图案形成工序，在该图案形成工序中，对所述第一金属膜进行图案处理，以形成所期望的图案；立体成型工序，在该立体成型工序中，对所述树脂膜进行加热和加压从而立体成型；以及第二金属膜形成工序，在该第二金属膜形成工序中，在形成有图案的所述第一金属膜上形成第二金属膜(21)，在所述第一金属膜形成工序中，将金属以粒子状堆积，以将所述第一金属膜形成疏松状。
立体配线基板制造方法配线基板用基材

[发明专利]透明导电玻璃及其表面电阻降低方法-CN202210166901.2有效
发明人：吴倩颖;顾文灏;赵乐;陈君;周凯;丁洋;卢礼呈 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：表面电阻降低方法包括以下步骤：于玻璃的表面形成第一金属膜层；于第一金属膜层的部分区域形成第二金属膜层，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。透明导电玻璃包括玻璃、第一金属膜层和第二金属膜层，第一金属膜层设置于玻璃的表面，第二金属膜层设置于第一金属膜层的部分区域，第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路。本申请通过在第一金属膜层的部分区域设置第二金属膜层，使第二金属膜层与第一金属膜层的对应区域形成并联电路，实现降低第一金属膜层对应区域的表面电阻，如此可以减少镀膜膜层的返工次数，提高镀膜膜层的合格率。
透明导电玻璃及其表面电阻降低方法

[发明专利]连接电极及连接电极的制造方法-CN201980062857.7在审
发明人：坂井亮介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：连接电极具备金属膜(40)、金属膜(50)、混合层(45)及UBM(80)。金属膜(50)形成在金属膜(40)上，UBM(80)形成在金属膜(50)上。混合层(45)是形成金属膜(40)的金属颗粒(P40)与形成金属膜(50)的金属颗粒(P50)混合的层。在沿金属膜(40)及金属膜(50)排列的第一方向观察时，混合层(45)的至少一部分形成在与UBM(80)和金属膜(50)的接合面重叠的第一区域(Re1)。
连接电极制造方法

[发明专利]显示面板用阵列基板的制造方法-CN202010601725.1有效
发明人：中泽昭则 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用阵列基板的制造方法，其制造适用于显示面板时抑制缺陷产生的阵列基板，其包括：形成规定形状的金属膜(51)的金属膜形成工序；在金属膜(51)的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜(52)的绝缘膜形成工序；及在绝缘膜(52)的上层侧形成有导电性的导电膜(54)的导电膜形成工序；在金属膜(51)形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查金属膜(51)是否形成为如所述规定形状，在金属膜形状检查工序中，金属膜(51)被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，对所述突出部分实施激光照射工序，修正金属膜(51)的形状。
显示面板阵列制造方法

[发明专利]具有改良金属布线的半导体器件-CN200610142115.X无效
发明人：齐藤和美 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。
具有改良金属布线半导体器件

[发明专利]等离子显示面板的电极形成方法-CN200510118680.8无效
发明人：铃木和雄;柳原直人;石原安彦;川北哲郎;荣福秀马 -专利权人：富士通日立等离子显示器股份有限公司
申请日： 2005-11-07 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：通过使从层叠膜的最上层算起的1个下层的金属膜的成分扩散到最上层的金属膜中，可稳定地且有效地刻蚀最上层的金属膜。在玻璃基板上至少形成了第2金属膜后，在其上形成第1金属膜，在用刻蚀液刻蚀已被层叠的金属膜以形成层叠膜的电极时，作为第1金属和第2金属，使用具有在将第1金属和第2金属浸于第1金属的刻蚀液中的状态下若使其短路则第1金属的表面电位下降的性质的金属。然后，实施在第1金属膜的形成中或形成后将气氛温度保持为第2金属膜的金属原子扩散到第1金属膜的膜中和膜表面上那样的温度的扩散工序。
等离子显示面板电极形成方法

[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法-CN201210276332.3有效
发明人：李铉奎;李石;李恩远;郑敬燮;金镇成;田玹守 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括步骤：a)在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极；所述步骤d)包括：在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。
液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]一种复合金属薄膜制备方法-CN202110196142.X有效
发明人：吴宝嘉;冯慧东;顾广瑞;张宇巍;王帅 -专利权人：延边大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合金属薄膜制备方法，属于金属薄膜制备技术领域，一种复合金属薄膜制备方法，包括以下步骤：S1、初镀，S2、混镀：形成金属膜材料‑牺牲材料混合层，S3、刻蚀：使初始金属膜表面形成粗糙层，S4、复镀，S5、出料，它可以在一层金属膜沉积成形后，通过金属膜材料和牺牲材料混合沉积形成金属膜材料‑牺牲材料混合层，然后通过牺牲材料刻蚀气体去除牺牲材料、保留初始金属膜材料，使上一层金属膜表面形成粗糙层后，再进行下一层金属膜的沉积成形，通过金属膜表面的粗糙层增加各层金属膜之间的连接强度，有效避免复合金属膜的外层膜容易剥落的问题，从而有效保障复合金属膜的多重有效功能。
一种复合金属薄膜制备方法

[发明专利]金属膜半导体器件及其制造方法-CN03119603.9无效
发明人：李钟鸣;朴仁善;全宗植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。
金属膜半导体器件及其制造方法

[发明专利]导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜-CN201880006578.4在审
发明人：一木孝彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，提供一种导电性薄膜。导电性薄膜的制造方法依次具有：在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；在第1金属膜上形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；在第2金属膜上形成在供形成金属细线的区域具备开口部的抗蚀剂膜的工序；去除开口部内的第2金属膜的工序；通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序；去除抗蚀剂膜的工序；去除第1金属膜上的第2金属膜的工序；及将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序。
金属膜导电性薄膜去除透明树脂基板开口部金属细线抗蚀剂膜制造密合性镀覆掩模

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201480027415.6在审
发明人：前川和义;河野祐一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：半导体器件具有形成于多层布线层的最上层的焊盘电极(9a)、在焊盘电极(9a)上有开口(11a)的基底绝缘膜(11)、形成在基底绝缘膜(11)上的基底金属膜(UM)、形成在基底金属膜(UM)上的再布线(RM)、和形成为覆盖再布线(RM)的上表面以及侧面的覆盖金属膜(CM)。而且，在再布线(RM)的外侧区域，在形成在再布线(RM)的侧壁上的覆盖金属膜(CM)与基底绝缘膜(11)之间形成有材料不同于再布线(RM)的基底金属膜(UM)和材料不同于再布线(RM)的覆盖金属膜(CM)，在再布线(RM)的外侧区域基底金属膜(UM)与覆盖金属膜(CM)直接接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电子装置-CN201980017122.2在审
发明人：早川裕;与仓久则 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：具备：基板(31)，具有一面(31a)；第1金属膜(36)，形成在一面上；绝缘膜(37)，在一面(31a)上以将第1金属膜(36)覆盖的状态形成，并形成有使第1金属膜(36)露出的接触孔(37a)；以及第2金属膜(38)，形成在从第1金属膜(36)中的从接触孔(37a)露出的部分到绝缘膜(37)中的接触孔(37a)的周围。并且，使焊盘部(34)为第1金属膜(36)和第2金属膜(38)被层叠的结构，在绝缘膜(37)形成作为应力降低构造(37b)的缝。
电子装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201780086010.3在审
发明人：出贝求;中谷公彦;芦原洋司 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的课题是提供对于具有不同材质的表面的基板使膜选择性良好地选择性生长的技术。解决的手段是：具有(a)对于在表面形成有第一金属膜和与所述第一金属膜相比培养时间长的绝缘膜的基板，交替供给含金属气体和反应气体，从而在所述基板上形成第二金属膜的工序，和(b)对于所述基板供给蚀刻气体，将在所述绝缘膜上形成的第二金属膜除去，而使在所述第一金属膜上形成的所述第二金属膜残留的工序，交替重复(a)和(b)，从而使得所述第二金属膜在所述第一金属膜上选择性生长。
金属膜基板选择性生长绝缘膜基板处理装置半导体装置含金属气体表面形成反应气体基板供给交替供给交替重复膜选择性蚀刻气体残留制造

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201110021517.5有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200780053264.1有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条