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[发明专利]提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法-CN200910047438.4有效
发明人：吴颜明;程仁豪;蒋立飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明中公开了一种提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，该方法包括：减小金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到阱边缘的距离和/或增大金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到有源区域边缘的距离，以提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。通过使用上述的提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，可有效地提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。
提高金属氧化物半导体变容二极管品质因子方法

[发明专利]垂直金属氧化物半导体场效应二极管-CN02814795.2无效
发明人： R·A·梅茨勒 -专利权人：弗拉姆技术公司
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座(304)形成，并具有一个二极管端子(324)作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅(318)与漏(312)之间的公共连接以及一个二极管端子(330)作为对垂直金属氧化物半导体场效应器件的源(314)的公共连接。还公开了垂直金属氧化物半导体场效应器件的制造方法。
垂直金属氧化物半导体场效应二极管

[实用新型]光伏快速关断器及光伏接线盒-CN202320793307.6有效
发明人：欧佳嵘;缪玮;侯明明;胡吉庆;李政 -专利权人：上海正泰智能科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02S40/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏快速关断器及光伏接线盒，光伏快速关断器包括：印刷电路板、组件二极管、金属氧化物半导体场效应管和散热片；组件二极管和金属氧化物半导体场效应管位于印刷电路板上，在组件二极管和金属氧化物半导体场效应管远离印刷电路板的一侧设置散热片，散热片覆盖在组件二极管和金属氧化物半导体场效应管的表面。本实用新型可以有效降低组件二极管和金属氧化物半导体场效应管的工作温度，且结构简单，成本较低。
快速关断器接线

[发明专利]有源像素传感器-CN98108710.8有效
发明人：季明华 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-05-29 - 公布日： 1999-12-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种有源像素传感器，包括光二极管，双载流子晶体管，金属氧化物半导体晶体管。该光二极体，有一阴极连接到电源供应器，及一阳极连接到该金属氧化物半导体晶体管。金属氧化物半导体晶体管，通过切断该光二极管的阳极与双载流子晶体管的基极的连接以避免图像过亮的现象，并将光二极管的阳极与金属氧化物半导体晶体管连接使在光二极管中的电荷流过该金属氧化物半导体晶体管。双载流子晶体管放大电荷以产生电信号。
有源像素传感器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010526997.6有效
发明人：张磊;李铁生 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管，形成于n型半导体衬底中；集成的肖特基二极管，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管旁边，且包括与该n型半导体衬底接触的正极金属层；以及沟槽隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管和该肖特基二极管之间，从而阻挡该金属氧化物半导体场效应晶体管的p型阱掺杂区的一部分朝向该肖特基二极管扩散，其中该p型阱掺杂区具有经该沟槽隔离结构下方横向扩散到该肖特基二极管的靠近该沟槽隔离结构的部分区域中的突出部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光二极管驱动电路及其晶体管开关模块-CN200810175223.6无效
发明人：徐献松;余仲哲;柳娟娟 -专利权人：登丰微电子股份有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明利用一电压箝制元件，在控制发光二极管模块电流的金属氧化物半导体晶体管截止时，箝制金属氧化物半导体晶体管漏极的电位，以降低金属氧化物半导体晶体管的耐压需求。如此，不仅发光二极管驱动装置的成本可大幅下降，也可减少金属氧化物半导体晶体管的功耗、提高了整体电路的效率。
发光二极管驱动电路及其晶体管开关模块

[发明专利]具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及形成方法-CN201611113099.1有效
发明人：于奎龙;王志强;韩坤 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。在本发明提供的具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法中，通过将形成的串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，使金属氧化物半导体场效应晶体管在电荷的向导通时通过所述串联二极管组排走，避免由于电荷造成的损伤，并使金属氧化物半导体场效应晶体管具有较高的反偏击穿电压的特性。
具有耐压特性集成电路等离子体保护结构形成方法

[发明专利]一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管-CN202111434901.8在审
发明人：高巍;陕晏玮;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的超低反向恢复电荷的金属氧化物半导体二极管具有结型场效应管区、金属氧化物半导体电容结构、正向二极管区、反向二极管区。本发明提出在金属化阳极和两个P型体区之间集成反向二极管区，抑制器件正向工作时P型体区和P型体区下方的N‑外延层构成的PN结二极管导通，使器件在正向工作时只有单极电流，实现超低反向恢复电荷，从而降低器件的开关损耗
一种反向恢复电荷金属氧化物半导体二极管

[发明专利]发光二极管电路及其误差放大器-CN201010198580.1无效
发明人：尹明德;李秋平 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种发光二极管电路及其误差放大器。发光二极管电路包含：电感、发光二极管群组、连接于电感的功率金属氧化物半导体晶体管、误差放大器以及根据误差放大器输出端控制功率金属氧化物半导体晶体管的栅极的脉宽调制器。误差放大器包含：差动输入级、具有第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管和第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的输出级以及控制开关模块。于第一操作模式中，控制开关模块使第一N型及第一P型金属氧化物半导体晶体管相连接，并使第二N型及第二P型金属氧化物半导体晶体管相连接。于第二操作模式中，控制开关模块使第二P型及第二N型金属氧化物半导体晶体管抑能。
发光二极管电路及其误差放大器

[发明专利]发光二极管电路及其误差放大器-CN201010198584.X无效
发明人：尹明德;李秋平 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种发光二极管电路及其误差放大器。发光二极管电路包含：电感、发光二极管群组、连接于电感的功率金属氧化物半导体晶体管、误差放大器以及根据误差放大器输出端控制功率金属氧化物半导体晶体管的栅极的脉宽调制器。误差放大器包含：差动输入级、具有N型和P型金属氧化物半导体晶体管的输出级以及连接于P型金属氧化物半导体晶体管的栅极的调整电流源。于第一操作模式中，控制电压使调整电流源导通。于第二操作模式中，控制电压使调整电流源关闭。
发光二极管电路及其误差放大器

[发明专利]一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法-CN200680055418.6有效
发明人：李家声;李召兵;施晓东;陈斌 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管包含基片、半导体层(17)、金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)、金属氧化物半导体栅极(14)，以及内连线(51)，其中金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)与内连线(51)从下至上顺序排列，阻障层(31)存在于金属氧化物半导体栅介电质(11)与内连线(51)的夹层中，半导体层(17)与内连线(51)直接接触，中间不存在阻障层(31)该肖特基二极管及其制造方法能够满足金属氧化物半导体工艺的需求，并适用于亚微米集成电路的集成生产。
一种应用于微米集成电路肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]半导体基板结构及其制作方法-CN201910307679.1有效
发明人：卢马才;刘念 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本揭示提供了半导体基板结构及其制作方法。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及隧穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述隧穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。本揭示的半导体基板结构具有光学侦测性能。
半导体板结及其制作方法

[发明专利]高调光频率的发光二极管电路-CN200910003684.X有效
发明人：陈廷仰;李秋平;尹明德 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种发光二极管电路，包含：电感、一组发光二极管、电容、功率金属氧化物半导体以及开关电路。电感电性连接供应电源以及第一节点；该组发光二极管电性连接于第一节点以及接地电位；电容电性连接第一节点及接地电位；功率金属氧化物半导体电性连接于第一节点及接地电位，功率金属氧化物半导体的栅极接收开关信号，以使得功率金属氧化物半导体在导通时对电容进行充电，以进一步接通该组发光二极管，且在截止时，使电容进行放电，以进一步关断该组发光二极管；以及开关电路用于产生开关信号。
调光频率发光二极管电路

[发明专利]发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方法-CN200580036032.6有效
发明人：三谷敦志;坂田信一;藤井一宏 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件，其特征在于，上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成，该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物；上述半导体层由多个化合物半导体层构成，至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光，同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件
发光二极管元件发光二极管用制造方法

[发明专利]半导体元件、其制造方法与其操作方法-CN201410211024.1有效
发明人：陈永初 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件、其制造方法与其操作方法，该半导体元件包括金属氧化物半导体晶体管、电阻以及增纳二极管。金属氧化物半导体晶体管包括栅极、源极与漏极。电阻的一端与漏极电性连接，其中电阻具有高电阻值，足以使大部分电流均流过金属氧化物半导体晶体管。增纳二极管包括阴极与阳极，阴极与栅极以及电阻的另一端电性连接，阳极与基底栅极电性连接。
半导体元件制造方法与其操作方法

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