“金刚石生长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果372575个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金刚石生长-CN98806216.X无效
发明人： G·J·达维斯;R·A·查普曼;A·斯特瓦特;L·K·赫德格斯 -专利权人：德比尔斯工业钻石部门有限公司
申请日： 1998-04-16 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：提供一种生长金刚石晶体的方法，它包括提供金刚石晶体源；提供许多由金刚石晶体限定的生长中心；以颗粒形式将源和生长中心金刚石与溶剂/催化剂混合以形成反应物料；使反应物料处于适宜晶体生长的高温高压条件下；回收金刚石晶体该方法的特征是依靠晶源和生长中心晶体之间颗粒大小差异的选择，达到至少部分地，最好是全部地溶剂/催化剂中所需要的碳饱和。利用本方法生产的金刚石晶体物料具有很高浓度的双晶金刚石。
金刚石生长

[发明专利]通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法-CN202080084769.X在审
发明人： R·J·巴斯奈特;A·F·巴斯奈特;A·查尔斯埃尔南德斯;W·霍尔伯;T·C·韦德;A·J·布朗 -专利权人：普拉斯玛比利提有限责任公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石以提高单晶金刚石的尺寸和品质的方法，包括将金刚石籽晶热配合在基材支架的顶表面上，其提供用于单晶金刚石和多晶金刚石的组合的生长表面。在加工期间所述金刚石籽晶和所述基材支架之间的预定温度差连同等离子体工艺条件导致单晶金刚石生长速率与多晶生长速率相差预定量。引入工艺气体，和形成等离子体以在所述生长表面上生长单晶金刚石和多晶金刚石两者，使得邻近所述单晶金刚石生长的所述多晶金刚石保护正在生长的单晶金刚石的侧表面，从而改善跨正在生长的单晶金刚石的生长品质。
通过多晶金刚石生长辅助方法

[发明专利]一种高速高质量单晶金刚石的生长方法-CN201810377077.9有效
发明人：龚猛;周广迪;郁万成;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石的生长方法，该方法包括：在衬底表面生长金刚石支撑层；在金刚石支撑层表面生长中间缺陷阻挡层；以及在中间缺陷阻挡层表面生长金刚石表面层。该方法在衬底上生长一层厚的金刚石支撑层，金刚石支撑层以较高的生长速率生长；在金刚石支撑层上生长一层中间缺陷阻挡层，中间缺陷阻挡层采用台阶生长模式阻碍金刚石中的缺陷向表面处延伸；在中间缺陷阻挡层上生长一层金刚石表面层，金刚石表面层采取优化过的生长条件，以较低的生长速率得到高质量的金刚石表面层，这种生长方法通过三层结构来生长高质量单晶金刚石。本发明解决了传统金刚石生长过程中外延层高的生长速率与外延层质量之间相矛盾的问题。
一种高速质量金刚石生长方法

[发明专利]嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法-CN201880070743.2在审
发明人： D.S.米斯拉 -专利权人：二A科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：生长嵌入式单晶金刚石结构的方法，其包括：将单晶金刚石置于非金刚石基底上，其中所述非金刚石基底大于单晶金刚石；使用遮蔽材料遮蔽单晶金刚石的顶部；并且使用化学气相沉积（CVD）生长室，围绕所述单晶金刚石生长多晶金刚石材料，从而使单晶金刚石与多晶金刚石材料接合。
嵌入多晶金刚石结构中的一个多个单晶及其生长方法

[发明专利]一种金刚石生长方法-CN202111633010.5在审
发明人：王新强;王忠强;刘南柳;陶仁春;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
一种金刚石生长方法

[发明专利]一种生长单晶金刚石的方法及生长结构-CN201810327256.1在审
发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长单晶金刚石的方法及生长结构。其中，一种生长单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层；步骤2、在择优取向多晶金刚石层上继续生长单晶金刚石，得到单晶金刚石。解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
生长单晶金刚石生长多晶金刚石层单晶金刚石择优取向金刚石生长衬底表面清洗

[发明专利]一种制备多孔单晶金刚石的方法-CN202010526340.3在审
发明人：贺端威;王俊普 -专利权人：四川大学;广东正信硬质材料技术研发有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明提供的制备多孔单晶金刚石的方法，将金刚石晶种作为生长基体，金刚石粉晶和金属触媒粉的混合物包裹金刚石晶种后密封成型，在处于金刚石稳定区的高温高压条件下，金刚石粉晶在熔态触媒环境中通过调整晶向，以金刚石晶种作为基体进行定向附着生长，金属触媒降低晶体生长所需的温度与压力条件，为金刚石粉晶的定向附着提供合适的环境，增加金刚石的生长速率。随着金刚石晶种的生长，由于生长速率快、金刚石粉晶相互之间及与晶种基体附着贴合处存在空隙和其他缺陷，晶种长大后，通过酸洗和振动撞击除去未参与生长的金刚石粉晶与金属触媒即得到多孔单晶金刚石。
一种制备多孔金刚石方法

[发明专利]一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法-CN201710633557.2在审
发明人：张景文;陈旭东;王进军;李洁琼;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，在异质外延衬底上生长第一铱金属层，以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层；保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响，在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层，在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层，第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长，此时第二金刚石层处于自由生长状态，没有晶格失配的影响，得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底，将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石，以异质外延衬底为依托，进行单晶金刚石的生长，可以降低金刚石器件制作成本，有利于发挥出金刚石优异特性。
一种基于外延生长金刚石方法

[发明专利]一种通过异质外延保护环辅助单晶金刚石生长的方法-CN202011637468.3有效
发明人：魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
一种通过外延保护环辅助金刚石生长方法

[发明专利]单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010167218.8无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(
金刚石生长用基板以及制造方法

[发明专利]一种生长大面积金刚石单晶的方法-CN202110748010.3有效
发明人：王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
一种生长大面积金刚石方法

[发明专利]一种金刚石温度测量装置-CN202310253515.1在审
发明人：袁稳;郑怡;王政磊;李兵;郑华 -专利权人：成都晶创未来科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石温度测量装置，解决了红外测温仪测量金刚石温度准确性较低的技术问题。包括若干个周向均布于金刚石生长腔顶部的视窗，以及滑动安装于金刚石生长腔顶部的相机，相机能环绕金刚石生长腔顶部做周向圆周运动，相机在经过视窗时通过视窗拍摄金刚石生长腔内部情形。本发明利用相机对生长腔内金刚石生长过程进行拍照，对所得照片进行识别分析，再通过金刚石颜色与温度的映射关系计算出金刚石温度，通过对照片进行分析计算得到生长腔内大部分金刚石晶体的温度，相对于红外测温仪，提高了对生长腔内金刚石温度测量的准确性
一种金刚石温度测量装置

[发明专利]一种MPCVD单晶金刚石的生长方法-CN202211688360.6在审
发明人：顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MPCVD单晶金刚石的生长方法，本发明提供的MPCVD单晶金刚石的生长方法，通过控制单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度，保证碳原子快速沉积于单晶金刚石籽晶生长面上，配合循环控制的升温、保温、降温、保温的操作，在提升单晶金刚石生长速度的同时，也充分释放生长中单晶金刚石内部的应力，提升单晶金刚石的质量、降低杂质含量。
一种 mpcvd 金刚石生长方法

[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010226110.1有效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
金刚石生长基材制造方法

[发明专利]一种CVD金刚石生长在线检测方法和系统-CN201911214942.9有效
发明人：彭国令;黄翀 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石生长领域，尤其涉及一种CVD金刚石生长在线检测方法和系统。一种CVD金刚石生长在线检测方法，包括步骤：S1、检测装置实时检测金刚石生长厚度，生成并输送厚度数据到控制中心；S2、控制中心根据所述厚度数据生成实时生长曲线，所述控制中心读取当前金刚石生长环境数据，并根据所述环境数据将所述实时生长曲线与相同的环境数据的对比数据进行比对；S3、根据比对结果控制金刚石生长的相关操作。相较于现有技术，本发明提供的一种CVD金刚石生长在线检测方法，实现了一下技术效果：可以测量单颗金刚石、多颗金刚石、多晶金刚石膜的生长厚度，并进行实时监控，记录数据。
一种 cvd 金刚石生长在线检测方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条