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[发明专利]一种利用酵母菌合成金属有机骨架中空结构胶囊的方法-CN201510147358.1有效
发明人：张国亮;李万斌;张宇藩 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用酵母菌合成金属有机骨架中空结构胶囊的方法，所述方法为：将金属盐或有机配体添加于细胞壁悬浮液中，50-140℃搅拌6-24h，获得含有金属离子的细胞壁或含有机配体的细胞壁；将含有金属离子的细胞壁分散于有机配体盐溶液中，或者将含有机配体的细胞壁分散于金属盐溶液中，50-140℃缓慢搅拌结晶，即获得金属有机骨架-细胞壁胶囊；本发明所合成的金属有机骨架-细胞壁胶囊的结构能根据合成的条件和过程进行控制，尺寸为数十纳米到数百纳米，可以通过控制浸泡配体和金属盐溶液的顺序控制金属有机骨架层是生长在细胞壁内表面和外表面，合成的金属有机骨架-细胞壁胶囊有很好的耐溶剂性能以及很好的机械强度。
一种利用酵母菌合成金属有机骨架中空结构胶囊方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201310737218.0有效
发明人：敖伟;朱少鹏;刘金强;罗志忠;习王锋 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明所述的一种薄膜晶体管，包括依次堆叠设置在衬底上的金属氧化物半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源/漏电极层，其中第一绝缘层和/或第二绝缘层为由金属层氧化后得到的金属氧化物层，该金属氧化物层具有绝缘性能金属层在氧化过程中会吸收金属氧化物半导体层中的部分氧离子，可降低金属氧化物半导体层中的氧含量，提高其导电性能，有效减少金属氧化物半导体层与源/漏极接触区的接触电阻。同时，本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法，通过金属层的氧化就可以有效降低金属氧化物半导体层与源/漏极接触区的接触电阻，不但工艺简单，而且大大降低了生产成本。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]降低管道站场接地电阻及延长接地体寿命的装置及方法-CN201410692861.0有效
发明人：彭晶;林森;付伟;杜庆山;张文伟;李国辉;董昭旸;王林玉;甄景君 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油管道局工程有限公司;中国石油管道局工程有限公司设计分公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：所述装置包括金属槽盒、降阻剂和水平接地体；金属槽盒是由金属侧板、金属顶板和金属底板构成的方形结构；水平接地体设置于金属槽盒内；降阻剂充填在水平接地体的周围，并且降阻剂和水平接地体共同封闭在金属槽盒内；金属顶板和金属侧板上均设置有孔本发明通过将水平接地体和降阻剂封闭在金属槽盒内，提高了油气管道站场接地系统的安全性、可靠性和稳定性，延长了油气管道站场的接地系统的使用寿命，降低了油气管道站场的运行成本以及对环境的破坏和污染。
降低管道接地电阻延长寿命装置方法

[发明专利]硅片表面金属元素的测量方法-CN201310188813.3有效
发明人：李晓丽;孙威 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面金属元素的测量方法，包括以下步骤：提供待检测的硅片，并采用腐蚀液对所述硅片的表面进行腐蚀得到样品液；将所述样品液气溶胶化，得到样品液的气溶胶；除去所述样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶；将所述金属元素的气溶胶电离形成金属元素的等离子体；检测所述金属元素的等离子体中金属元素的含量。上述硅片表面金属元素的测量方法，在得到样品液的气溶胶后，通过去除样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶，减少了溶剂元素相互结合或与等离子体结合形成多原子干扰的几率。相比于传统的金属含量测试的方法，上述硅片表面金属元素的测量方法分析速度快且稳定性好。
硅片表面金属元素测量方法

[发明专利]一种自动钓鱼器及控制方法-CN201410416637.9有效
发明人：石晶;梁辉 -专利权人：广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： A01K91/02 文献下载
摘要：自动钓鱼器包括上鱼检测模块、控制器和鱼线收放模块，上鱼检测模块包括鱼钩、原电池和信号放大单元，原电池的输出端接信号放大单元的输入端，信号放大单元接控制器，控制器控制鱼线收放；原电池包括电池正负极，负极包括金属弹片、活性金属坠和鱼线，鱼线包括导电鱼线和不导电鱼线；不导电鱼线套穿在活性金属坠中，不导电鱼线一端接鱼钩，另一端接金属弹片，金属弹片与活性金属坠用绝缘连接件连接，金属弹片发生形变后与活性金属坠相接触使导电鱼线、金属弹片、活性金属坠形成一条导电通路。
一种自动钓鱼控制方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极-CN201510413172.6有效
发明人：曾畅;黄云;王远声;廖雪阳;李汝冠;来萍;苏伟;陈义强;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极，包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层，以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层；所述应力缓冲层包括缓冲金属层，所述缓冲金属层的热膨胀系数与所述势垒层以及势垒金属层的热膨胀系数相差在预设范围内本发明充分考虑热失配对GaN基HEMT的影响，在GaN基HEMT栅电极势垒金属层和栅帽金属层间插入应力缓冲层，应力缓冲层在选材时应注重其热学特性参数，使应力缓冲层能够承受热失配导致的张应力，从而大幅度降低势垒层和势垒金属层中的张应力
氮化镓基高电子迁移率晶体管电极

[发明专利]一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用-CN201310214336.3有效
发明人：刘青;汤庆敏;沈燕;任忠祥;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层本发明所述的单质金属层的金属为可用于蒸镀欧姆接触电极金属，属于现有公知技术。本发明针对目前GaAs半导体激光器芯片制备，提出了一种新的欧姆接触电极的制作方法，具有粘附性好、金属层间应力小，能够有效的促进金属薄膜层间的相变以及高温下的互扩散，有利于金属系的混合层化以及抗热疲劳、耐冲击的能力
一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法应用

[发明专利]一种脱沥青油的加氢处理方法-CN201310144335.6有效
发明人：董凯;牛传峰;戴立顺;刘涛;邓中活;施瑢;邵志才;杨清河;胡大为;孙淑玲 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C10G65/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种脱沥青油的加氢处理方法，该方法在一种加氢处理装置中进行，所述加氢处理装置包括依次串联的加氢脱金属单元和加氢处理单元，所述加氢脱金属单元包括并联的主加氢脱金属反应器和备用加氢脱金属反应器，所述主加氢脱金属反应器的体积大于所述备用加氢脱金属反应器的体积；该方法包括：在加氢处理反应条件下，将脱沥青油和氢气引入所述加氢处理装置中，并与所述加氢处理装置中设置的多个加氢催化剂床层接触；在加氢处理过程中，主加氢脱金属反应器与备用加氢脱金属反应器交替使用，所述主加氢脱金属反应器的在线时间大于所述备用加氢脱金属反应器的在线时间。
一种沥青加氢处理方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201310145232.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属互联结构；对所述金属互联结构中金属材料和层间介质层的表面进行处理，所述处理方法包括以下子步骤（a）选用NH3等离子体进行处理本发明中为在制备金属互联结构时，填充金属铜并平坦化，然后对所述金属铜以及超低K材料的表面进行处理，通过所述处理能消除所述超低K材料层的空隙，形成比超低K材料层硬度大的表面，而对于金属铜表面的处理，则使所述金属铜表面更加光滑，降低其粗糙度，以消除金属铜和位于金属铜上的覆盖层之间的接缝（cap layer seam），提高器件的VBD性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体叠层封装方法-CN201510459158.X有效
发明人：石磊 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体叠层封装方法，其特征在于，包括：A:制作上封装体，B:制作封装有芯片的下封装体，C:将上封装体和下封装体叠层封装，步骤B包括：S101：提供制作下封装体的金属板；S102：在金属板上表面形成金属凸点；S103：将待装载的芯片连接在金属板的上表面；S104：用塑封底填料将芯片固定和封装于金属板上形成塑封体；S105：打磨塑封体；S106：去除金属板；S107：在步骤S106处理后的塑封体的上表面形成再布线金属层，在再布线金属层上形成第一焊球。本发明提供的封装方法在金属板上形成金属凸点以作为下封装体的电极，实现多个芯片在整个封装体中上下导通；并打磨塑封体减小封装厚度，提高封装密度。
半导体封装方法

[发明专利]模块化灯头-CN201410598329.2有效
发明人：陆小忠 -专利权人：陆小忠
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化灯头，包括灯帽模块，灯帽模块上连接有插座模块，插座模块上连接有电帽模块；所述灯帽模块包括灯帽，灯帽连接有绝缘部分，绝缘部分内设有接线处，接线处通过金属片与金属垫片连接；所述插座模块包括插座，插座内固定有插孔内导电片，插孔内导电片上连接有金属接触片；所述电帽模块包括金属导电帽，金属导电帽上设有连接卡口和连接螺纹，金属导电帽内还设有两个凸台，凸台底部位于金属导电帽外设有金属垫片，金属垫片通过弹簧与位于凸台内部的导电柱连接，其中一个导电柱上连接有导电片，另一个导电柱与金属导电帽连接，所述导电柱上还设有限位凸起。
模块化灯头

[发明专利]基于贴片结构的介质双模带通滤波器-CN201510469241.5有效
发明人：褚庆昕;黄庆涛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于贴片结构的介质双模带通滤波器，包括腔体，所述腔体的中心位置放置一个介质谐振器，所述介质谐振器的上、下两端与腔体相接；所述介质谐振器的外侧面上贴有第一金属贴片和第二金属贴片，所述第一金属贴片的横向中心线与第二金属贴片的横向中心线垂直，所述第一金属贴片和第二金属贴片用于控制介质谐振器两个谐振模式的谐振频率；所述介质谐振器在两个谐振模式的磁场分布交加处贴有第三金属贴片，所述第三金属贴片用于控制介质谐振器两个谐振模式之间的耦合强度。本发明的介质双模带通滤波器结构简单、实现方便，在一个介质谐振器的不同位置贴金属贴片，可以通过调节金属贴片的尺寸实现对谐振模式的频率控制。
基于结构介质双模带通滤波器

[发明专利]一种抑制电偶腐蚀的方法、接地线装置及接地系统-CN201410605678.2有效
发明人：骆红廷;王庆海;张兴海 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C23F13/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种抑制电偶腐蚀的方法、接地线装置及接地系统，涉及电子技术领域，解决了现有的抑制电偶腐蚀的方案成本过高或者效果差的问题，该接地线装置包括隔离保护模块，以及采用第一金属的第一金属设备或者采用第二金属的第二金属设备，该隔离保护模块的一端与该第一金属设备等电位相连，其另一端与该第二金属设备等电位相连；该第一金属设备与该第二金属设备之间的电位差小于预设的开关电压时，该隔离保护模块处于开路状态或者高阻抗状态；该第一金属设备与该第二金属设备之间的电位差大于或等于该开关电压时
一种抑制腐蚀方法接地线装置接地系统

[发明专利]一种PCB中金属化沉孔的制作方法-CN201410681671.9有效
发明人：黄力;汪广明;白会斌;王海燕 -专利权人：江门崇达电路技术有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及PCB制作技术领域，具体为一种PCB中金属化沉孔的制作方法。本发明通过将金属化沉孔分成两部分进行制作，然后再将这两部分压合在一起构成金属化沉孔，可保障金属化沉孔的孔壁和孔底电镀效果良好，不存在漏镀的问题，从而可避免因金属化沉孔底部电镀不良导致的开路问题。在金属化沉孔内灌注导电物质，可进一步确保金属化沉孔的导电性良好，并且因金属化沉孔内不存在漏镀或铜镀层过薄的问题，在高温等恶劣环境下导电物质仍能牢固的附着在金属化沉孔的底部，与金属化沉孔底部的电镀铜层紧密粘结
一种 pcb 金属化制作方法

[发明专利]多端口电源传输装置-CN201510292688.X有效
发明人：徐政村 -专利权人：易家居联网科技有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01R12/51 文献下载
摘要：此多端口电源传输装置包括印刷电路板、多个插座、多个开关模块、多条金属跨线、零线金属条及火线金属条。插座与开关模块可配置在印刷电路板的元件面。零线金属条及火线金属条可配置在印刷电路板的焊接面。火线金属条位于各插座在焊接面的正投影与零线金属条之间。各开关模块的电源输入接脚通过焊接面连接至火线金属条。各开关模块的电源输出接脚通过焊接面而连接至对应的插座的火线接脚。各金属跨线的两端通过焊接面而分别连接到对应的插座的零线接脚及零线金属条。本发明提供的多端口电源传输装置的布局结构简单且其散热效果佳，可增加用电上的安全性。
多端电源传输装置