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[实用新型]一种采用低温镀膜TCO作为阴极的OLED膜层-CN201620772563.7有效
发明人：黄信二 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用低温镀膜TCO作为阴极的OLED膜层，衬底、阳极金属导电层、阳极高功函数氧化物透明导电层、有机发光材料层、低功函数阴极金属半透明膜层、低温溅镀氧化物透明导电层和阴极阻隔保护层从下到上依次连接，本实用新型提高阴极电极的电性及耐候性
一种采用低温镀膜 tco 作为阴极 oled

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池-CN202011578413.X在审
发明人：倪志春;符欣;魏青竹 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：A、在硅片上制备本征非晶硅层，在本征非晶硅层上制备掺杂非晶硅层；B、在掺杂非晶硅层上制备透明导电氧化物薄膜；C、在透明导电氧化物薄膜上制备金属电极制得基础电池片；在制备本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜之前，预先在硅片表面的需进行划片的位置上放置掩膜，从而在本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜中形成有隔离沟道，隔离沟道自硅片的表面依次贯穿本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜本发明能够避免在划片分切时损伤非晶硅层和导电薄膜层。
异质结太阳能电池及其制备方法基础

[发明专利]一种复合透明导电薄膜及其制备方法-CN202210000728.9在审
发明人：廖珺晨;陈冬;罗国平;朱伟玲 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、衬底前处理：对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质并进行烘干；S2、第一氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在衬底上沉积第一氧化物层；S3、金属层制备：使用直流磁控溅射法在第一氧化物层上沉积金属层；S4、第二氧化物层制备：使用射频磁控溅射法在金属层上沉积第二氧化物层。本发明的复合透明导电薄膜及其制备方法具有制备工艺简单、光电性能优异、成本低廉和应用广泛的特点。
一种复合透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜的制备方法-CN201310134986.7无效
发明人：郭晓阳;刘星元 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜的制备方法。其特征在于将金属纳米线溶液和金属氧化物溶液以不同比例混合制成金属纳米线和金属氧化物混合溶液，然后采用溶液加工方法在刚性或柔性平面基板上制备金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜。与单独采用金属纳米线溶液制备的金属纳米线透明导电薄膜相比，本发明的金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜具有表面平整度高、附着力和环境稳定性好等优点，有效地解决了金属纳米线透明导电薄膜的表面粗糙度、附着力及环境稳定性均较差的问题本发明的金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜具有在薄膜太阳能电池及有机发光二极管等光电器件领域应用的潜质。
金属纳米氧化物复合透明导电薄膜制备方法

[发明专利]用于形成光学透明的导电金属或金属合金薄膜的方法以及由其制成的膜-CN201080034438.1有效
发明人：克拉克·I·布莱特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了形成光学透明的导电金属或金属合金薄膜的工艺，所述工艺包括：在多晶晶种层上沉积所述导电金属或金属合金薄膜，所述多晶晶种层已直接沉积在金属氧化物成核层上，所述金属氧化物成核层包含氧化锌。本发明还提供了通过所述工艺制成的导电膜。在一些实施例中，所述金属合金薄膜包含银/金合金。
用于形成光学透明导电金属合金薄膜方法以及制成

[发明专利]透明电极、透明电极的制造方法和电子器件-CN202080060839.8在审
发明人：信田直美;内藤胜之;齐田穣 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻、制造简单、稳定的图案化的透明电极及其制造方法、以及使用其的电子器件。[解决手段]实施方式的透明电极是具备透明基材和配置在其表面上且被高电阻区域相互分离的多个导电性区域的透明电极，所述导电性区域具有从所述基材侧依次层叠第1透明导电性金属氧化物层、金属层、第2透明导电性金属氧化物层和含石墨烯层的结构，在所述高电阻区域中不存在具有石墨烯骨架的化合物，该透明电极可以通过在形成含石墨烯层后进行图案化来制造。
透明电极制造方法电子器件

[发明专利]一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法-CN201610369963.8有效
发明人：刘芳洋;陈鑫;蒋良兴 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化锑/硅叠层太阳电池及其制备方法，硫化锑/硅叠层太阳电池包括晶硅底电池、硫化锑薄膜顶电池以及中间复合连接结构层；所述复合连接结构层由下至上包括二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层和高功函数过渡金属氧化物层，二氧化硅钝化层中包含金属纳米颗粒阵列。其制备方法是，先在晶硅太阳电池表面依次制备金属纳米颗粒阵列、二氧化硅钝化层、透明导电氧化物TCO层及过渡金属氧化物层；再在所述过渡金属氧化物层表面制备硫化锑薄膜太阳电池，该方法材耗少，成本低，且可利用现有成熟工艺及设备进生产
一种硫化锑硅叠层太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备-CN201910168488.1在审
发明人：石建华;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备，方法包括依次形成堆叠设置的第一透明导电氧化物缓冲层及第一透明导电氧化物主导层；依次形成堆叠设置的第二透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物主导层；其中，第一透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物缓冲层采用射频磁控溅射源制备，第一透明导电氧化物主导层及第二透明导电氧化物主导层采用直流磁控溅射源制备；所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。
硅基异质结太阳电池制备方法镀膜设备

[发明专利]电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法-CN202010896429.9有效
发明人：周钧;程银兵;庄志杰 -专利权人：基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：电致变色膜系的制备方法包括如下步骤：采用气相沉积技术在第一透明保护层上形成第一导电薄膜层，第一导电薄膜层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在第一导电薄膜层上形成离子储存层，离子储存层的材质为锂合金或者锂金属氧化物；采用气相沉积技术在离子储存层上形成离子传导输送层，离子传导输送层的材质为含锂的聚阴离子化合物；采用气相沉积技术在离子传导输送层上形成离子变色层，离子变色层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在离子变色层上形成第二导电薄膜层，第二导电薄膜层的材质为金属氧化物；以及采用气相沉积技术在第二导电薄膜层上形成第二透明保护层。
变色制备方法器件

[发明专利]导电性基板-CN201780008071.8有效
发明人：下地匠;志贺大树 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种导电性基板，其包括透明基材、形成在该透明基材的至少一个面上的金属层、形成在该金属层上的黑化层，该黑化层包含单质镍、镍氧化物、镍氢氧化物及铜。
导电性

[实用新型]一种快速变色的电致变色玻璃、夹胶玻璃及中空玻璃-CN201821498832.0有效
发明人：米赛;武利铭;苏永顺 -专利权人：合肥威迪变色玻璃有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本实用新型提供一种快速变色的电致变色玻璃、夹胶玻璃及中空玻璃，包括依次叠置的玻璃基板、离子阻挡层、第一透明导电氧化物层、电致变色复合层和第二透明导电氧化物层，所述离子阻挡层上垂直贯穿分布有多个线槽，该线槽的上表面与离子阻挡层远离玻璃基板的第一表面齐平，线槽的下表面穿过离子阻挡层、并进入玻璃基板，所述多个线槽内填充有彼此并联连接的第一低阻导电丝，所述第二透明导电氧化物层远离电致变色复合层的表面设置有第二低阻导电丝。本实用新型通过设置低阻导电丝和金属导电浆料用以提高两个透明导电氧化物层的导电性，可以很好地降低电致变色器件中两个导电层的方阻，进而加速其变色过程。
透明导电氧化物层离子阻挡层线槽玻璃基板导电丝低阻电致变色玻璃本实用新型电致变色夹胶玻璃中空玻璃复合层变色电致变色器件金属导电浆料导电性变色过程表面设置并联连接垂直贯穿第一表面导电层上表面下表面叠置方阻齐平填充穿过

[实用新型]一种低方阻的复合透明导电薄膜及全固态电致变色器件-CN201821498819.5有效
发明人：裴世铀;米赛 -专利权人：合肥威迪变色玻璃有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低方阻的复合透明导电薄膜及全固态电致变色器件，复合透明导电薄膜包括透明导电氧化物层，以及设置在透明导电氧化物层表面的多个平行排布或互相交叉呈网状排布的金属线，多个金属线并联连接，所述全固态电致变色器件包括电致变色玻璃层以及设置在该电致变色玻璃层上的复合透明导电薄膜本实用新型为提高传统透明导电薄膜的导电性，在透明导电薄膜上设置金属线，并将该种复合透明导电膜应用到全固态电致变色器件中，可以很好地降低电致变色器件中两个导电层的方阻，进而加速其变色过程。
全固态电致变色器件复合透明导电薄膜金属线方阻透明导电氧化物层电致变色玻璃透明导电薄膜本实用新型复合透明导电膜电致变色器件导电性变色过程并联连接互相交叉平行排布网状排布导电层应用

[发明专利]透明倒置OLED器件及其制备方法-CN201611262701.8有效
发明人：于倩倩;谢静;朱映光 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种透明倒置OLED器件及其制备方法，所述OLED器件包括顺次设置的透明基板、透明阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层和透明阳极，所述空穴传输层的材料为主动结晶类材料，厚度为10‑100 nm，所述透明阳极的材料为金属氧化物、金属掺杂的金属氧化物、金属膜与金属氧化物膜交替堆叠中的一种。本发明利用主动结晶的空穴传输层诱导透明金属阳极结晶，解决阳极导电性差的问题，能够显著提高透明OLED器件的光电性能且制备工艺简单，可省去透明阳极热处理结晶的步骤，从而减小热处理对OLED有机发光层的影响
透明倒置 oled 器件及其制备方法

[发明专利]氮化物基发光装置及其制造方法-CN200410100599.2有效
发明人：宋俊午;成泰连 -专利权人：三星电子株式会社;光州科学技术院
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种氮化物基发光装置和制造该装置的方法，该装置包括比氧化铟锡具有更高的功函数的透明导电氧化物制成的透明电极。氮化物基发光装置具有由衬底、n－型复合层、活性层、P－型复合层以及电阻性接触层依次层叠的结构。电阻性接触层作为透明导电氧化物制成的薄膜，具有比氧化铟锡或掺有金属掺杂剂的透明导电氧化物制成的薄膜更高的功函数。因此，带有P－型复合层的电阻性接触特性得到提高，从而确保了优秀的电流－电压特性。此外，透明电极高的光透射率能够增加装置的发射效率。
氮化物发光装置及其制造方法

[实用新型]一种高效晶硅/非晶硅异质结电池结构-CN201721704101.2有效
发明人：黄金;李高非;王继磊;易治凯;王广为;白焱辉;鲍少娟;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度，采用上述的结构后，实现了HJT电池的优化，提升了HJT电池的转换效率，不但使透过性和导电性均实现了最优化，而且改善了与银金属电极的接触电阻，改善了膜层对光的吸收，使透光率得到明显改善，也使电池片的FF性能得到极大的提高。
透明导电薄膜铟锡氧化物本征非晶硅薄膜背面金属电极正面金属电极异质结电池非晶硅背面电池导电性本实用新型基底背面接触电阻依次设置转换效率电池片透光率透过性银金属最优化电极晶硅膜层种晶吸收优化

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