专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]地下气化污染物的控制方法-CN201310697521.2有效
  • 刘淑琴;李金刚 - 新奥气化采煤有限公司
  • 2013-12-18 - 2017-02-15 - E21B43/295
  • 本发明提供了一种地下气化污染物的控制方法,包括如下步骤(S1)确定地下气化区的污染物的分配系数、地下气化区的气化压力、通过设置观测井监测获得的地下气化区的污染物的浓度差以及观测井距地下气化区的距离;(S2)根据上述确定的所有物理量,建立地下气化污染物迁移速率与地下气化压力的函数关系;(S3)以污染物临界迁移速率作为函数的输入值,获得临界气化压力;(S4)通过使地下气化区的气化压力不超过临界气化压力,以将污染物的扩散范围保持在地下气化区外的规定范围内本发明的目的在于提供一种地下气化污染物的控制方法,以实现对地下气化污染物迁移速率进行监控,同时通过调节气化压力对污染物的迁移速率进行控制。
  • 地下气化污染物控制方法
  • [发明专利]一种通信领域过程类知识事件抽取方法-CN202111045480.X在审
  • 李飞;周源;万飞;王德玄;夏献军 - 科大国创云网科技有限公司
  • 2021-09-07 - 2021-12-10 - G06F40/289
  • 对通信领域事件抽取问题进行定义,并选择抽取方法;S2:对通信领域过程类知识的数据预处理;S3:构建分层序列标注任务;S4:使用预训练模型和图卷积神经网络获取增强语义表征;S5:使用门控神经单元获取语义表征的长距离语义依赖信息;S6:使用条件随机场对步骤S5中存在的标签偏差问题进行解决;S7:利用基于模型迁移学习和图卷积神经网络的通信领域过程类知识事件抽取模型对事件进行抽取。本发明使用基于模型迁移学习和图卷积神经网络的融合模型实现语义表征提取,且使用门控神经单元获取语义表征的长距离依赖信息,同时使用条件随机场克服标签偏差问题。
  • 一种通信领域过程知识事件抽取方法
  • [发明专利]一种高电子迁移率晶体管制备方法-CN202210690986.4在审
  • 刘波亭;时明明;陈利杰;刘志远;孙希国 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2022-06-17 - 2022-08-30 - H01L29/06
  • 本申请提供一种高电子迁移率晶体管制备方法,涉及半导体技术领域,方法包括:制备预制结构,预制结构包括衬底以及衬底上的异质结,异质结的第一表面具有多个V形坑;在预设气氛中退火,以扩大V形坑形成分布于异质结第一表面的多个凹坑,由于在异质结的第一表面形成了多个深浅不一的凹坑,故,在第一表面蒸镀栅极金属时,对应会使得栅极金属的底部填充于分布于栅极区域的多个深浅不一的凹坑内,由此,在同一栅极金属下不同区域距离二维电子气的距离不同,使得栅下不同区域具有不同的关断电压,从而实现跨导的平坦化,提高高电子迁移率晶体管的线性度。
  • 一种电子迁移率晶体管制备方法
  • [发明专利]移动边缘计算中一种根据用户移动模式计算卸载的方法-CN202210170844.5在审
  • 李云;陈治涵 - 重庆邮电大学
  • 2022-02-23 - 2022-05-31 - G06F9/445
  • ,具体涉及移动边缘计算中一种根据用户移动模式计算卸载的方法;所述方法包括建立异构网络中系统的通信模型;根据用户在目前时隙以及上一时隙分别与用户关联的MEC服务器位置坐标;计算出这两个MEC服务器坐标的距离;并确定出用户是否需要进行任务迁移;根据用户关联前后的MEC服务器坐标之间的距离,分别计算出用户体验质量和用户在移动模式下的延迟成本;将用户体验质量和在移动模式下的延迟成本之间的差值作为奖励,利用改进后的深度强化学习DQN算法优化用户体验质量总成本;本发明能够在事先不清楚用户的运动模式的情况下,对用户的任务做出迁移卸载决策,具有很强的泛化能力。
  • 移动边缘计算一种根据用户模式卸载方法
  • [发明专利]降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构-CN201010144213.3有效
  • 邓武锋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-04-02 - 2011-10-12 - H01L21/768
  • 一种降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构,该铜互连结构包括基底以及位于基底上的低介电常数材料层,该低介电常数材料层具有沟槽,该沟槽的底壁、侧壁以及低介电常数材料层上覆盖有阻挡层,所述沟槽内填充有金属铜,溢出所述沟槽的金属铜形成块铜,该方法包括:对所述金属铜和阻挡层进行化学机械抛光至所述铜表面与沟槽底壁之间的距离小于或等于阻挡层表面与沟槽底壁之间的距离,在抛光过程中,铜的抛光速率大于阻挡层的抛光速率。由于本发明金属铜表面低于阻挡层的表面,这样,铜离子无法通过阻挡层高于金属铜表面的部分,所述阻挡层可以阻止位于相邻沟槽内的铜离子的电迁移
  • 降低互连结构迁移方法

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