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[发明专利]低电压达林顿放大器-CN201410361774.7有效
发明人：刘成鹏;王国强;何峥嵘;邹伟;蒲颜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H03F3/345 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极性转换单元。本发明电路将达林顿放大单元的交流与直流地分离，并将交流地钳位到地；本发明电路将达林顿放大器的直流参考地钳位到负的参考电平上，提高了电源电压到直流参考地之间的电势差。传统达林顿放大器电源电压一般大于5～7V，本发明的低电压达林顿放大器电源电压可低至3～4V。本发明广泛应用于微波单片IC中的各类达林顿结构电路中。
电压达林顿放大器

[发明专利]使用双极达林顿器件作为功率开关器件的开关变换器-CN201310553749.4无效
发明人：谢潮声;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：科域半导体有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关变换器电路，包括作为主开关元件的具有达林顿结构的双极器件。开关控制电路向第一基极端子提供电流驱动以导通所述达林顿双极器件。开关控制电路向所述第一基极端子和内基极端子提供弛张电路关断所述达林顿双极器件。本发明还公开了使用达林顿结构相关的开关控制器IC。
使用双极达林顿器件作为功率开关变换器

[发明专利]一种基于三极管堆叠技术的达林顿分布式功率放大器-CN201810818279.2在审
发明人：林倩;邬海峰;朱琳;张晓明;刘林盛;周杨;严杰 -专利权人：青海民族大学;成都菁茂蓉创科技有限公司;天津城建大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三极管堆叠技术的达林顿分布式功率放大器，包括分布式堆叠型达林顿管放大网络、堆叠型达林顿管输入分配网络、堆叠型达林顿管输出合成网络，本发明核心架构采用分布式堆叠型达林顿管放大网络，该放大网络至少由三个基于堆叠技术的分布式堆叠型达林顿管组成，同时，本发明考虑了二晶体管堆叠结构的堆叠型达林顿管对于人工传输线的等效电容的影响，大大提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力，提高电路的稳定性与可靠性
达林顿管堆叠功率放大器堆叠技术放大网络达林顿三极管电路传输线等效电容电路设计堆叠结构功率增益核心架构宽带功率输出合成输出能力输入分配晶体管调试

[发明专利]静电保护器件-CN202010717110.5在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护器件，包括：达林顿结构，形成于衬底内，达林顿结构的第一端接第一电压，达林顿结构的第二端接第二电压；二极管串，形成于衬底内，包括若干个串联的二极管；二极管串的阳极接达林顿结构的第三端当静电保护器件处于静电环境中时，进入到静电保护器件内部的瞬时高压会触发静电保护器件内的达林顿结构，从而将静电电流泄出去，可以通过调整二极管串中二极管的个数来调节静电保护器件的泄放静电电流的触发电压，以使其可以与半导体器件本身相适配，触发电压低且触发电压可调，且达林顿结构与二极管串面积都较小，使得静电保护器件在具有较强的静电保护能力的同时具有面积小的优点。
静电保护器件

[发明专利]一种达林顿管高保真音频功率放大器-CN202111198717.8有效
发明人：冉柠恺;吴华斌;刘伟;邓加欣 -专利权人：深圳市昂佳科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请涉及音频播放的技术领域，特别涉及一种达林顿管高保真音频功率放大器，包括输入模块、电压放大模块、输出模块以及电源电压VCC，电源电压VCC用于为输入模块、电压放大模块和输出模块供电，输入模块与电压放大模块电性连接，电压放大模块与输出模块电性连接，输入模块接入信号源，输入模块将信号源输入至电压放大模块，并经电压放大模块进行放大，放大后的信号传送至输出模块；输出模块包括达林顿管Q3和达林顿管Q4，达林顿管Q3和达林顿管Q4之间连接有晶体管，且晶体管为电压放大模块的负载，晶体管的放大倍数大于达林顿管Q3、达林顿管Q4的放大倍数。本申请电路结构简单且能提高达林顿管工作状态的热稳定性。
一种达林顿管高保真音频功率放大器

[发明专利]一种改进达林顿结构宽带低噪声放大器-CN202010709917.4在审
发明人：罗孝均;李怀明 -专利权人：成都华光瑞芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进达林顿结构宽带低噪声放大器，该放大器包括达林顿管、有源偏置电路、反馈电路、输入耦合电路和输出耦合电路；输入耦合电路的一端为放大器信号输入端，其另一端与达林顿管的栅极连接；有源偏置电路和反馈电路的一端均与达林顿管的栅极连接，其另一端均与达林顿管的漏极连接；输出耦合电路的一端与达林顿管的漏极连接，其另一端为放大器信号输出端。本发明采用有源偏置电路为放大管提供电压，可以保证偏置电压在温度变化时的稳定性，并且采用分离反馈电路和有源偏置电路的方式，可以有效减小放大器的噪声，同时在达林顿管间加入峰化电感进一步拓宽放大增益带宽。
一种改进达林顿结构宽带低噪声放大器

[实用新型]一种基于三极管堆叠技术的达林顿分布式功率放大器-CN201821174540.1有效
发明人：林倩;邬海峰;朱琳;张晓明;刘林盛;周杨;严杰 -专利权人：青海民族大学;成都菁茂蓉创科技有限公司;天津城建大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于三极管堆叠技术的达林顿分布式功率放大器，包括分布式堆叠型达林顿管放大网络、堆叠型达林顿管输入分配网络、堆叠型达林顿管输出合成网络，本实用新型核心架构采用分布式堆叠型达林顿管放大网络，该放大网络至少由三个基于堆叠技术的分布式堆叠型达林顿管组成，同时，本实用新型考虑了二晶体管堆叠结构的堆叠型达林顿管对于人工传输线的等效电容的影响，大大提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，
达林顿管堆叠本实用新型功率放大器堆叠技术放大网络达林顿三极管电路传输线等效电容电路设计堆叠结构功率增益核心架构宽带功率输出合成输出能力输入分配晶体管调试

[发明专利]一种具有CMOS输出驱动的芯片静电保护电路-CN200710172939.6有效
发明人：单毅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的提供了一种具有CMOS输出驱动的芯片静电保护电路，它除了包括双NPN型触发管和放大管组成的达林顿结构的复合晶体管，双PNP型触发管和放大管组成的达林顿结构的复合晶体管，它还包括应用于CMOS中NMOS短沟道的MOS管的栅极与厚氧化层管的栅极连接后与芯片上输出焊盘进行耦合连接，短沟道MOS管的漏极与输出焊盘连接，短沟道MOS管的源极与所述达林顿结构的触发管和放大管的基极连接，厚氧化层管源极和漏极分别与达林顿结构中触发管的射极和集电极连接采用该保护电路可有效降低具有达林顿结构放电单元的保护电路触发电压，改善静电放电时电流的均匀性。
一种具有 cmos 输出驱动芯片静电保护电路

[发明专利]开关变换器-CN201210491492.X无效
发明人：谢潮声;陈安邦 -专利权人：科域半导体有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明提供一种开关变换器，其包括作为主开关元件的达林顿结构的双极器件。将电流驱动提供给第一基极端子以使达林顿双极器件导通。连接至第一基极端子和内基极端子的基极弛张电路使达林顿双极器件关断。
开关变换器

[发明专利]一种运行稳定可靠的大电流低压降单向导电电路-CN201010288277.0有效
发明人：王景民;杜文广;王建廷;焦海清;兰建克;王庆元;马海涛 -专利权人：石家庄国耀电子科技有限公司;深圳市国耀电子科技有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：它由内部带有寄生二极管的MOSFET、达林顿三极管和电阻组成，第一达林顿三极管的发射极经第一电阻接MOSFET的源极，第一达林顿三极管的集电极接MOSFET的栅极；第二达林顿三极管的集电极接MOSFET的漏极，第一达林顿三极管的基极、第二达林顿三极管的基极与第二达林顿三极管的发射极先短接在一起，再通过第二电阻接驱动电源正极，所述MOSFET的栅极经第三电阻接驱动电源正极。同传统控制电路相比，本发明以两个达林顿三极管取代了四个运算放大器，不仅具有结构简单，成本低廉的优点，而且反应速度快，反应时间为纳秒级，无反灌电流的现象，工作稳定可靠。
一种运行稳定可靠电流低压单向导电电路

[实用新型]一种实现大电流低压降的单向导电电路-CN201020535809.1无效
发明人：王景民;杜文广;王建廷;焦海清;马海涛;王庆元;兰建克 -专利权人：石家庄国耀电子科技有限公司;深圳市国耀电子科技有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：它由内部带有寄生二极管的MOSFET、达林顿三极管和电阻组成，第一达林顿三极管的发射极经第一电阻接MOSFET的源极，第一达林顿三极管的集电极接MOSFET的栅极；第二达林顿三极管的集电极接MOSFET的漏极，第一达林顿三极管的基极、第二达林顿三极管的基极与第二达林顿三极管的发射极先短接在一起，再通过第二电阻接驱动电源正极，所述MOSFET的栅极经第三电阻接驱动电源正极。同传统控制电路相比，本实用新型以两个达林顿三极管取代了四个运算放大器，不仅具有结构简单，成本低廉的优点，而且反应速度快，反应时间为纳秒级，无反灌电流的现象，工作稳定可靠。
一种实现电流低压单向导电电路

[实用新型]一种ESD保护电路-CN201721470177.3有效
发明人：张军亮;陈利 -专利权人：福建晋润半导体技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种ESD保护电路，包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流；与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比，GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点；本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快，且GCNMOS在多指（multi‑fingers）结构下能够均匀开启，具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径，对受保护器件的ESD保护更有效。
一种 esd 保护电路

[发明专利]达林顿管放大器电路-CN200910202073.8无效
发明人：陈俊 -专利权人：锐迪科科技有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种达林顿管放大器电路，包括一个达林顿管，所述达林顿管中包括两个晶体管，前一个晶体管的信号输出端连接后一个晶体管的信号输入端，所述前一个晶体管的信号输出端与后一个晶体管的信号输入端之间还连接有一个隔离电容本发明通过在达林顿管的两个晶体管中间增加隔离电容，同时为两个晶体管设置独立的偏置电路，扩大了达林顿电路结构偏置电压的可调范围，并且增大了达林顿电路的电压适用范围。
达林顿管放大器电路

[实用新型]基于电流传变隔离技术的继电器驱动电路-CN201020662696.1有效
发明人：周华良;夏雨;马玉龙;邹志杨;刘宏博;郑玉平 -专利权人：国网电力科学研究院
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01H47/00 文献下载
摘要：基于电流传变隔离技术的继电器驱动电路，包括达林顿光耦，达林顿光耦源边红外发光二极管的阴极与控制器的控制信号输出端连接，红外发光二极管的阳极串联限流电阻后与控制电源相连，所述达林顿光耦副边光电三极管的集电极串联继电器线圈后与继电器驱动电源相连本技术方案是以达林顿光耦为核心，将微控制器或其他控制器件的控制信号在达林顿光耦源边转化为光信号，通过控制光电流的大小，控制达林顿光耦副边的输出电流，达到驱动继电器线圈的目的。本实用新型的电路结构简单，成本低；实现光电隔离，有效控制外界干扰；能有效控制驱动电流，保护继电器电路。
基于流传隔离技术继电器驱动电路

[实用新型]一种无刷直流电机的风机控制器-CN201820678021.2有效
发明人：郑捷 -专利权人：上海洞彻智能科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H02P6/08 文献下载
摘要：一种无刷直流电机的风机控制器，包括：控制芯片和驱动风机的H桥驱动电路；风机包括U控制端和V控制端，H桥驱动电路包括供电端VDD、接地端GND和四个达林顿晶体管；第一达林顿晶体管和第三达林顿晶体管的集电极分别与风机的U控制端连接，第一达林顿晶体管的发射极与供电端VDD连接，第一达林顿晶体管的基极通过电阻R2与供电端VDD连接，第三达林顿晶体管的发射极与接地端GND连接；第二达林顿晶体管和第四达林顿晶体管的集电极分别与风机的V控制端连接，第二达林顿晶体管的发射极与供电端VDD连接，第二达林顿晶体管的基极通过电阻R3与供电端VDD连接，第四达林顿晶体管的发射极与接地端GND连接。
达林顿晶体管供电端发射极控制端接地端风机无刷直流电机风机控制器集电极电阻控制芯片驱动风机高效性

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