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[实用新型]介电质膜高反射镜-CN202222874482.6有效
发明人：吴茂;杨建文 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学薄膜技术领域，具体公开了一种介电质膜高反射镜，包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全介电质低折射率膜层和若干全介电质高折射率膜层的反射膜，全介电质低折射率膜层的折射率小于1.55，全介电质高折射率膜层的折射率大于2，单个全介电质低折射率膜层和单个全介电质高折射率膜层的厚度分别为2‑200nm，反射膜的厚度为1300‑3000nm。上述介电质膜高反射镜采用介电质低折射率膜层和介电质高折射率膜层交替堆叠设置，光束在各膜层界面反射回前表层的光产生相长干涉，反射率提高；各膜层均由全介电质材料成型，不含单质金属层，避免了氧化和受潮问题，延长了介电质膜高反射镜的使用寿命
质膜反射

[发明专利]集成电路-CN202011276805.0在审
发明人：吴沛勳;韩铭鸿;陈柏年;林志勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：此输入/输出装置包括第一栅极结构，其具有界面层；第一高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第一高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。核心装置包括包括第二栅极结构，其具有界面层；第二高介电常数介电质堆叠，其位于界面层上；以及导电层，其位于第二高介电常数介电质堆叠上并与之物理接触。第一高介电常数介电质堆叠包括第二高介电常数介电质堆叠及第三介电层。
集成电路

[发明专利]具有薄化介电材料的结构-CN201610054742.1有效
发明人： R·鲍;T·安多;A·达斯古普塔;K·赵;U·权;S·A·克里希南 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明是涉及具有薄化介电材料的结构，是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于具有薄化介电材料的结构及制造方法。本方法包括在基板上沉积高k介电质。本方法更包括直接在该高k介电质上沉积氮化钛膜，并同时蚀刻该高k介电质。
具有薄化介电材料结构

[发明专利]用于高密度沟槽电容器的薄膜方案-CN201910554517.8在审
发明人：郑新立;林均颖;杨锦煌;许庭祯;徐英杰;陈彦文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请案的各种实施例涉及一种具有高电容密度的沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，所述沟槽电容器上覆于衬底且填充通过所述衬底界定的沟槽。所述沟槽电容器包括下电容器电极、电容器介电质层和上电容器电极。所述电容器介电质层上覆于所述下电容器电极且加衬里于所述沟槽。所述上电容器电极上覆于所述电容器介电质层且在所述电容器介电质层上方加衬里于所述沟槽。所述电容器介电质层包括高介电系数材料。通过针对所述介电质层使用高介电系数材料，所述沟槽电容器可具有适用于配合高性能移动装置使用的高电容密度。
用于高密度沟槽电容器薄膜方案

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110148791.2在审
发明人：赖德洋;彭峻彦;张志宇;杨柏峰;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：栅极介电堆叠包括铁电栅极介电层。依序沉积非晶的高介电常数的介电层与掺质源层，接着进行沉积后退火。沉积后退火可将非晶的高介电常数的介电层转换成多晶的高介电常数膜，其具有掺质所稳定的结晶晶粒于结晶相中，其中高介电常数的介电层为高介电常数的铁电介电层。在沉积后退火之后，可移除残留的掺质源层。形成栅极于残留的掺质源层(若存在)与多晶的高介电常数膜上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110540304.7在审
发明人：摩尔·沙哈吉·B;萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：形成具有受控掺杂的栅极介电层的半导体装置的方法包括形成栅极介电层于鳍状结构上、形成扩散阻障层于栅极介电层上，以及形成掺质来源层于扩散阻障层上。栅极介电层包括在鳍状结构上的界面层及在界面层上的高k值介电层。掺质来源层的掺质扩散至栅极介电层内。此方法还包括以掺质掺杂界面层的一部分及移除掺质来源层。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种聚电解质复合介电层材料及其制备的有机薄膜晶体管-CN201810319777.2有效
发明人：郑庆东;尹志刚;柳子杨 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C08L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚电解质复合介电材料，以及应用该介电层材料制备的有机薄膜晶体管(OTFT)。所述聚电解质复合介电材料包含聚丙烯酸类电解质和含有羟基的聚合物。本发明的聚电解质复合介电材料及其柔性OTFT的制备方法简便、成本低。所述聚电解质复合介电材料电容大、具有弹性、柔性高；介电薄膜及OTFT的电学性能好，在低操作电压、低功耗柔性可穿戴电子设备等领域具有广泛的应用前景。
一种电解质复合介电层材料及其制备有机薄膜晶体管

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
发明人：潘谊纹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]多孔质介电性颗粒、锂离子二次电池用电极、及锂离子二次电池-CN202110244644.5在审
发明人：西面和希;中川嵩士;永地佑华;藤野健 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明所要解决的问题在于，提供一种多孔质介电性颗粒、包含所述多孔质介电性颗粒的锂离子二次电池用电极、及使用了所述锂离子二次电池用电极而得的锂离子二次电池，所述多孔质介电性颗粒能够实现一种锂离子二次电池，所述锂离子二次电池的体积能量密度高，为高输出，且即使进行反覆充放电，输出特性的降低仍较少。为了解决上述问题，使用多孔质的介电性氧化物，并将其分散配置于电极的活性物质颗粒间的间隙。具体来说，作为掺合于具备电解液的锂离子二次电池的电极中的颗粒，使用一种多孔质介电性颗粒，其多孔质的核心颗粒的至少一部分表面被介电性氧化物覆盖。
多孔质介电性颗粒锂离子二次电池用电

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN200410058065.8有效
发明人：林俊杰;李文钦;杨育佳;胡正明;陈尚志;杨富量;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，该集成电路的不同芯片区具有不同的闸介电质。该集成电路包括基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管在第一闸极和基底之间具有第一闸介电质，该第一闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第一等效氧化硅厚度；第二晶体管在第二闸极和基底之间具有第二闸介电质，该第二闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第二等效氧化硅厚度，且该第二等效氧化硅厚度可以与第一等效氧化硅厚度不同。
集成电路及其制造方法

[实用新型]集成电路-CN200420087626.2无效
发明人：林俊杰;李文钦;杨育佳;胡正明;陈尚志;杨富量;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路，该集成电路的不同芯片区具有不同的闸介电质。该集成电路包括基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管在第一闸极和基底之间具有第一闸介电质，该第一闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第一等效氧化硅厚度；第二晶体管在第二闸极和基底之间具有第二闸介电质，该第二闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第二等效氧化硅厚度，且该第二等效氧化硅厚度可以与第一等效氧化硅厚度不同。
集成电路

[实用新型]一种低臭氧介电质放电反应器-CN201120098761.7有效
发明人：洪昆喨 -专利权人：富科海科技（苏州）有限公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：一种低臭氧介电质放电反应器，该反应器由滤网模组1、介电质模组和绝缘外壳4所组成；介电质模组固定在上下有通气孔7、3的筒状绝缘外壳4内腔两侧，滤网模组斜放固定在带高介质板的正负电极板之间的空间。所述介电质模组由两块高介电质板分别与带电极发射针9的正电极板6和负电极板5组成，正、负电极板一面均匀布设有与板面垂直的电极发射针，正、负电极板板面平行，发射针针锋相对；正、负电极板的另一面紧贴在绝缘外壳内壁，在正负极板电极发射针前分别固定放置一块高介电质板2；所述滤网模组由滤网11和绝缘外壳框架及加强筋12所组成。
一种臭氧介电质放电反应器

[实用新型]一种用parylene作为介电质层的积层式电容器-CN201920045489.2有效
发明人：王斌斌;李攀 -专利权人：东莞市容奥电子有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本实用新型为一种用parylene作为介电质层的积层式电容器，包括电容器本体，所述电容器本体包括陶瓷外壳以及两端的镍锡外电极，所述陶瓷外壳内部设置有内电极组、parylene介电质层，其中利用parylene替代传统陶瓷作为介电质层，由于parylene为高绝缘介电材料，可在内电极片处于常温下进行真空沉积，可避免传统烧结工艺产生的烧结应力，使介电质层与内电极片不易产生间隙、开裂等不良情况；另外所述陶瓷外壳与parylene介电质层之间设置有EVA热熔胶膜层，可在外部应力作用时给予缓冲，保护内电极片不易损坏；所述陶瓷外壳底面外沿设置有向下凸起的端脚垫圈，其中端脚垫圈可吸收由于介电质层的电致伸缩效应而产生的振动
介电质层陶瓷外壳电容器电容器本体内电极片积层式垫圈端脚传统烧结工艺电致伸缩效应外部应力作用本实用新型传统陶瓷介电材料内部设置内电极组向下凸起真空沉积烧结常温下电极片高绝缘可吸收外电极缓冲底面膜层镍锡外沿噪音替代

[发明专利]一种L频段宽带吸波器-CN201910986581.3有效
发明人：高迪;曹振新;全鑫;韩蔚峰 -专利权人：扬州步微科技有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明涉及超材料吸波器领域，公开了一种L频段宽带吸波器，包括：第一介质板材，具有设定的介电常数和电损耗正切角；第二介质板材，具有设定的介电常数和电损耗正切角；高损电磁材料基板，位于所述第一介质板材与第二介质板材之间；周期性结构层，成型在所述第一介质板材上，以产生电抗效用于增强所述高损电磁材料基板的吸波率；以及反射层，成型在所述第二介质板材上。
一种频段宽带吸波器

[发明专利]半导体存储器元件及其制备方法-CN201910964409.8在审
发明人：许平 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体存储器元件具有基底、栅极结构、第一介电质、第二介电质、插塞、储存节点着陆垫、位元线、第三介电质及储存节点。基底具有漏极以及源极。栅极结构配置在基底上，在漏极与源极之间。第一介电质配置在基底上，覆盖栅极结构。第二介电质配置在第一介电质上。插塞具有第一部位及第二部位，第一部位在第一介电质中，第二部位在第二介电质中，第一部位接触基底的源极。储存节点着陆垫覆盖插塞的第二部位，第二介电质覆盖储存节点着陆垫。位元线配置在第二介电质与第三介电质之间，且连接基底的漏极。第三介电质配置在位元线上。储存节点配置在第三介电质上，并穿经第二介电质与第三介电质接触储存节点着陆垫。
半导体存储器元件及其制备方法

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