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[发明专利]一种基于负拉阻材料的光遗传学自适应抑制心动过速系统-CN202110439137.7有效
发明人：刘景全;姜春蓬;洪雯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A61B5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种基于负拉阻材料的光遗传学自适应抑制心动过速系统，包括：柔性器件和后端电路；柔性器件包括柔性负拉阻应变传感器、柔性可延展电极和LED阵列，柔性应变传感器阵列在受到压力时具有阻值随压力的增大而减小的特性，用于检测心脏跳动时在舒张和收缩状态下的应变变化；LED阵列设置于柔性可延展电极上，通过LED阵列的光抑制已转染的心肌细胞之间的电信号传输，同时利用LED阵列电路中柔性负拉阻应变传感器来自适应地改变光强后端电路具有采集数据、数据分析和发送光刺激命令。本发明安全可靠、光照面积大，且具有全柔性、自适应的优点，可用于心率失常领域的研究。
一种基于负拉阻材料遗传学自适应抑制心动过速系统

[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN01139647.4有效
发明人：黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;张景旭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：接着，于顶盖层上形成一负光阻层，再图案化负光阻层以形成一开口。接着以负光阻层为罩幕，移除暴露的顶盖层与第二介电层以形成暴露第一介电层的沟渠，再移除负光阻层。
双重镶嵌结构制造方法

[发明专利]一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路-CN202310184029.9在审
发明人：耿庆典;梁燕;卢振洲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于局部有源忆阻器的无电感混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个S型局部有源忆阻器、一个电容C、一个电阻R和一个直流电压源VD组成。S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器都是一种整体无源局部有源忆阻器，前者在直流V‑I特性曲线中呈现S型负微分电阻，后者在直流V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对S型局部有源忆阻器、N型局部有源忆阻器和电容构成的并联电路，施加合适的直流偏置，同时令S型局部有源忆阻器和N型局部有源忆阻器分别工作在负微分电阻区域和负微分电导区域，并使电路产生混沌现象，弥补了现有技术中基于局部有源忆阻器实现无电感混沌电路研究的空白
一种基于局部有源忆阻器电感混沌电路

[发明专利]内置偏光片的制备方法及偏光片-CN202110140518.5有效
发明人：邵冬梅 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供内置偏光片的制备方法及偏光片，采用负性光阻搭配接触式曝光图案化制备出光阻柱，再采用钢材料作为金属掩膜板，沉积第二金属材料后，利用选择性腐蚀剂去除金属掩膜板，制备出200nm线宽的金属线栅层作为内置偏光
内置偏光制备方法

[发明专利]具有一体式黑色矩阵与光阻间隔物的液晶面板的制作方法及光罩-CN201710370734.2有效
发明人：于承忠 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种具有一体式黑色矩阵与光阻间隔物的液晶面板的制作方法及光罩。该方法利用负性光阻层受光照能量不同而发生不同程度交联反应的特性和粘流特性，使用包括第一完全透光区(11)、第二完全透光区(13)、第一完全遮光区(15)、部分透光区(17)、以及第二完全遮光区(19)的光罩(1)来对负性光阻层(5)进行曝光，再经显影、烘烤制程制作出液晶面板中的一体式黑色矩阵与光阻间隔物，其中副光阻间隔物(53)的膜厚小于主光阻间隔物(51)膜厚且大于黑色矩阵的挡墙(57)膜厚，能够减少光罩数量，节省一道黄光制程，降低生产成本，减少生产时间，并使得主光阻间隔物(51)与副光阻间隔物(53)的断差稳定，提高液晶面板产品的良率。
具有体式黑色矩阵间隔液晶面板制作方法

[发明专利]一种使用硅模具的光阻墙成型方法-CN201310666846.4无效
发明人：徐成;于大全;李昭强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用硅模具的光阻墙成型方法，其首先制作正面具有凸台阵列的硅模具，凸台之间的网格状凹槽形成模具型腔；将硅模具正面用模压的方法压在带热塑性材料的第一基板上；或者采用压注的方法将硅模具正面和第一基板之间填满热塑性材料；待热塑性材料填满模具型腔后，将硅模具与第一基板分模，在第一基板上形成光阻墙结构，再将第一基板进行清洗，去除第一基板和光阻墙结构上的残留物。其优点是：使用硅做模具可以大大降低模具制造成本，同时使用刻蚀方法可以方便灵活的制作不同图形的光阻墙结构。相比现有的光刻工艺，使用硅模具对光阻墙材料的要求具有更大的选择性。
一种使用模具光阻墙成型方法

[发明专利]一种负阻型压控振荡电路及压控振荡器-CN201910083068.3有效
发明人：潘权;朱俊桦;郭宇浩;邵理阳 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03B5/06 文献下载
摘要：一种负阻型压控振荡电路及压控振荡器，包括选频模块、负阻差分对模块以及阻抗模块。选频模块用于接收直流电信号、产生第一阻抗并确定环路的振荡频率；负阻差分对模块用于产生负阻；阻抗模块用于产生第二阻抗，以使第二阻抗与第一阻抗进行叠加后，增大环路的增益，以确保电路能够起振。上述的负阻型压控振荡电路及压控振荡器，通过增设阻抗模块，为电路提供第二阻抗，与选频模块提供的第一阻抗叠加后，再与负阻差分对模块提供的负阻进行增益运算，增大了环路的增益，确保电路能够起振，解决了传统的负阻型振荡电路存在的由于环路增益无法达到电路的起振条件而导致整个电路无法起振并输出具有目标振荡频率的交流电的问题
一种负阻型压控振荡电路压控振荡器

[发明专利]一种负光导晶体管器件及其制备方法-CN202310534145.9在审
发明人：黄丽珍;迟力峰;薛娣;王滋;龚伟杰;张莹莹 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K30/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种负光导晶体管器件及其制备方法。该负光导晶体管器件包括依次设置的基底、绝缘层、有机异质结构光敏层以及源漏电极，所述有机异质结构光敏层包括p型半导体光敏层和n型半导体光敏层。本发明提出了利用界面调控构建具有双极输运的异质结构来实现负光导效应的通用器件构型，在该器件构型中通过合适的异质结构材料组合可以在多个材料体系中可控地实现负光导效应。制备方法简单快速、具有普适性。
一种负光导晶体管器件及其制备方法

[实用新型]一种含量子点的LED芯片结构-CN201520978473.9有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，半导体上分别设置有金属电极，还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层，光阻层由光刻胶通过光刻工艺形成由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有量子点，可根据量子点所采用的材料对LED晶圆发出的光线进行调节，得到所需要的各种颜色的LED发光芯片。
一种量子 led 芯片结构

[发明专利]一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片-CN201510860112.9在审
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，其中半导体层上设置有金属电极，LED晶圆外设置有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成采用光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。
一种采用光刻保护层 led 白光芯片

[实用新型]一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片-CN201520983950.0有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，其中半导体层上设置有金属电极，LED晶圆外设置有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成采用光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。
一种采用光刻保护层 led 白光芯片

[发明专利]同面共享电极型差动压力传感探头及其研制方法-CN201710048408.X有效
发明人：王璐珩 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种同面共享电极型差动压力传感探头及其研制方法，属于测量技术领域。同面共享电极型差动压力传感探头包括由覆合有三条金属电极的绝缘薄膜构成的电极层、压阻材料层和高分子层。压阻材料层包括横跨在第一条边缘电极和中间电极之间负压阻系数敏感膜和横跨在第二条边缘电极和中间电极之间正压阻系数敏感膜。用本发明提出的方法研制的同面共享电极型差动压力传感探头可降低系统温漂并提高灵敏度，探头的所有电极都处于同一平面且中间电极由负压阻系数敏感膜和正压阻系数敏感膜共享，与传统的三明治探头相比，不但减少了电极数
共享电极差动压力传感探头及其研制方法

[发明专利]透镜的转印式制造方法及透镜转印层的制造方法-CN202010553295.0在审
发明人：林刘恭 -专利权人：光群雷射科技股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种透镜的转印式制造方法及透镜转印层的制造方法，所述透镜转印层的制造方法包含：于一透光层的板面涂布一负光阻层；将一光源所发出的光线穿过一光罩而形成一预定光形，进而穿过所述透光层并照射在所述负光阻层；将所述光源与所述光罩相对于所述透光层移动，以使邻近所述透光层的所述板面的所述负光阻层的一部位，其能够受到具备所述预定光形的所述光线照射而构成多个透镜转印区；以及去除未形成所述透镜转印区的所述负光阻层的另一部位
透镜转印式制造方法转印层

[发明专利]一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法-CN201310666703.3有效
发明人：林朝晖;宋广华;曾小燕;黄辉明 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电透明氧化物层；在所述导电透明氧化物层上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积种子层，其中导电透明氧化物层、阻挡层、种子层均绕镀到硅片的四周切面；在所述种子层外包覆上光阻材料层，其中光阻材料层包覆到硅片四周切面；将光阻材料层包覆到硅片四周切面的部分掩膜，正反两面进行曝光显影；刻蚀掉包覆到硅片四周切面的部分的光阻材料层；刻蚀掉绕镀到硅片四周切面的种子层、阻挡层和导电透明氧化物层；刻蚀掉正反两面的光阻材料层。
一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN201710696945.5有效
发明人：徐洪远 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，本发明在第三道光罩工艺中，对光阻表面进行疏水性处理，形成疏水性基团；而疏水性基团的存在，使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面，便于光阻的剥离，使得剥离效率以及制程效率提高；而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案，节省了一道光罩，降低了制作成本。
一种薄膜晶体管阵列制造方法