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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种利用相位调制器件输出图像的方法-CN201210072546.9有效
发明人：刘劲松 -专利权人：无锡奥普顿光电子有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用相位调制器件输出图像的方法，包括：1)确定初始输入光场；2)对当前的输入光场进行傅立叶变换；3)用目标图像振幅替代步骤2)傅立叶变换的结果的振幅；所述目标图像是对原始目标图像进行柔和化处理后所得到的图像)的结果进行逆傅里叶变换；5)用步骤1)得出的输入光场的振幅分量替代步骤4)的结果的振幅，得到用于下一次迭代的新的输入光场；6)重复步骤2)至5)直至满足停止迭代的条件，从而得到为产生目标图像相位调制器件所需的调制相位；7)利用步骤6)所得出的调制相位输出重构图像。
一种利用相位调制器件输出图像方法

[发明专利]集成电路器件中的细长凸块-CN201310076688.7有效
发明人：林彦良;陈承先;郭庭豪;吴胜郁;林宗澍;黄昶嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路器件中的细长凸块，其中一种器件包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘、覆盖金属焊盘边缘部分的钝化层。第一横向尺寸比第二横向尺寸大约7μm以上。凸块下金属化层(UBM)包括位于第二开口中的第一部分和覆盖部分聚合物层的第二部分。
集成电路器件中的细长

[发明专利]表面贴装微波器件及其封装工艺-CN201210582730.8有效
发明人：吴永清;邵高强 -专利权人：成都泰格微电子研究所有限责任公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面贴装微波器件，盖板与中央介质材料层（3）之间均对称设置有铜箔层（4）和铜箔电路层（5），铜箔层（4）与铜箔电路层（5）之间设有介质材料层（6），铜箔电路层（5）与介质材料层（6）之间设有用于压合的压合胶膜层（7）。本发明以带线结构代替微带线，带状线内的铜箔电路线采用折叠和多层结构，提高了电路有效介电常数，大大缩小了微波器件体积；采用表面贴装的封装方法，无需在印制板和腔体上进行挖槽安装，而是直接安装印制板上，实现了表面贴装化
表面微波器件及其封装工艺

[发明专利]基于双PSD的激光空间角修正装置-CN201210313062.9有效
发明人：高艺;姜涛;丁红昌;曹国华;张桂林;王红平 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：在激光光束作为基准光束使用中，需要对激光光束与激光接收器件之间空间角进行修正，获取激光垂直入射点坐标。基于双PSD的激光空间角修正装置主要由滤光片1、装置外壳2、处理电路3、五棱镜4、二维PSD位置传感器5、通孔支座6、透镜7、空间角度校正PSD位置传感器8组成。实际使用过程中，激光进入装置后通过特制的五棱镜分成两束光束分别照射在两二维PSD位置传感器上，处理电路将两个二维PSD位置传感器信号送单片机处理后即可修正激光空间角，从而获得激光垂直入射到激光接收器件上的点的坐标
基于 psd 激光空间修正装置

[发明专利]一种抗高过载的MEMS陀螺-CN201310505577.3有效
发明人：陈璞;郭群英;黄斌;王鹏;陈博;王文婧;何凯旋;刘磊;徐栋;吕东锋;庄须叶 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。
一种过载 mems 陀螺

[发明专利]前照灯-CN201210163534.7有效
发明人： L.科滕布雷德 -专利权人： T－投资有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： F21S9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于两轮车、尤其用于自行车、电动自行车、电动车等的前照灯(1)，其带有：壳体(2)，在其中设置有控制LED(3)的电路板(4);带有容纳LED(3)的照明单元(5)，其具有在充分利用反射器(6)以及散光玻璃(7)的情况下与道路交通的或法律规定的要求相匹配的发射特性，其特征在于，壳体(2)形成为带有至少一个用于固定器件(9)的中央容纳部(8)的中央壳体(2)，即设置有用于容纳至少一个电气存储单元(11)的容纳框架(10)，且照明单元(5)和容纳框架(10)相应具有至少一个环形接板(12)，其借助于可引入中央容纳部(8)中的固定器件(9)能够可松开地与中央壳体(2)连接。
前照灯

[发明专利]纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法-CN201110282654.4有效
发明人：刘扬;杨帆;张佰君 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，该器件由下往上依次包括衬底（1）、n型GaN层（2），电子阻挡层（3）、非掺杂GaN层（4）及异质结构势垒层（5），由异质结构势垒层表面刻蚀凹槽至n型GaN层内，凹槽上二次生长p型GaN层实现栅极导电沟道（7），异质结构势垒层两端形成源极（9），栅极导电沟道和异质结构势垒层裸露的表面覆盖绝缘层（8），绝缘层上的沟道位置处覆盖栅极（11），衬底底面覆盖漏极
纵向 gan 常关型 misfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种GaN基垂直结构LED芯片结构及其制备方法-CN201110198340.6有效
发明人：李睿;齐胜利;郝茂盛;陶淳;潘尧波;张楠;朱广敏 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基垂直结构LED芯片结构，其包括设有第一Au层（9）的第一器件结构和表面蒸镀第二Au层（11）的支撑衬底（10）；第一金层（9）与第二金层（11）表面完全接触并紧密键合；所述第一器件结构包括GaN基LED外延片；所述p-GaN层（1）上设有ITO层（5）；所述ITO层（5）上依次设有阻挡层（6）、银层（7）、覆盖层（8）以及第一金层（9）。
一种 gan 垂直结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法-CN201210465969.7有效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强，机械性能好，微缺陷少等优点，是优质的外延衬底和器件衬底。
硼镓共掺单晶硅生长掺杂方法

[发明专利]一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法-CN201210463980.X有效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强，机械性能好，微缺陷少等优点，是优质的外延衬底和器件衬底。
一种硼镓共掺单晶硅生长掺杂方法

[发明专利]电力半导体器件-CN200310120906.9有效
发明人：山口正一;二宫英彰;大村一郎;井上智树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：提供一种维持低导通电压且开关特性良好的电力半导体器件。一种电力半导体器件包含：在离开第2导电类型的集电极层(3)的位置，设置用于划分主单元(MR)和伪单元(DR)的间隔来在第1导电类型的第1基极层(1)内设置的多个沟槽(4)。在主单元内设置第2导电类型的第2基极层(7)和第1导电类型的发射极层(8)，在伪单元内设置第2导电类型的缓冲层(9)。与主单元邻接的沟槽内隔着栅绝缘膜(5)设置栅电极(6)。
电力半导体器件

[发明专利]一种穹形屏幕放映物镜-CN201610930006.8有效
发明人：徐安成;饶丰 -专利权人：常州工学院
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种穹形屏幕放映物镜，包括由透镜L1组成的第一组大视场负透镜；由透镜L2组成的第二组大视场负透镜；由透镜L3、L4、L5依次排列组成的第三组三胶合透镜组；由透镜L6、L7、L8、L9依次排列组成的第四组透镜组；光阑；由透镜L10、L11、L12、L13、L14依次排列组成的第五透镜组；第六组部件为胶片或CCD成像器件位置。本发明的穹形屏幕放映物镜可以适应穹形屏幕显示，尺寸小、结构紧凑，没有用非球面设计，成本低且成像质量高；在胶片前设置分光器件，并光学系统略作优化，即可达到超广角投影镜头的效果。
一种屏幕放映物镜

[发明专利]用在甘蔗收割机上的浮动式根部切割器组件-CN201580013974.6有效
发明人： V·帕穆特 -专利权人：马切桑工具及农业机械股份公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： A01D45/10 文献下载
摘要：)，所述根部切割器组件(16)包括该组切割刀(9)相对于地面的距离的主调整，根部切割器组件(16)借助于一组活节连杆(2、5)安装在收割机主体上，根部切割器组件(16)包括用于读取地面表面的变化的读取器件，该读取器件(7、8)能够生成针对该组切割刀(9)相对于地面的距离的变化的电气信号。
甘蔗收割机浮动根部切割组件

[发明专利]导通状态阻抗降低的常闭型晶体管及其制造方法-CN201610350411.2有效
发明人： F·尤克拉诺;A·帕蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中，一种常闭型电子器件，包括：半导体本体(15)，包括在缓冲层(11)之上延伸的异质结构(7)；凹陷栅电极(14)，在与平面(XY)正交的方向(Z)上延伸；第一工作电极(16)和第二工作电极(18)，电阻区域(6)至少部分地在缓冲层中的有源区域中延伸，并且被设计为在器件处于截止状态下阻碍电流在第一和第二工作电极之间流动。
状态阻抗降低常闭型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件-CN201710316601.7有效
发明人：张彤;李丰;张晓阳;熊梦 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01S3/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件，由阵列化的激光腔室单元所组成，所述随机激光阵列器件的整体结构位置关系由下至上依次为泵浦光源(1)、基底(2)、底电极(31)、介质层(4)、由间隔层(5)所围成的激光腔室单元(6)、顶电极(32)；外围驱动电路(7)的两端分别连接底电极(31)和顶电极(32)，底电极(31)、介质层(4)、激光腔室单元(6)、顶电极(32)形成闭合回路。
一种基于二维材料离激元随机激光阵列器件

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