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[发明专利]一种基于尺寸和形状控制的AlN晶体材料制备方法-CN202210793673.1有效
发明人：王充;刘博;常煜鹏;张童;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本公开属于半导体领域，具体而言涉及一种基于尺寸和形状控制的AlN晶体材料制备方法，所述方法使用AlN粉末在AlN晶体材料制备系统中制备AlN晶体，所述制备系统包括外坩埚和设置在外坩埚内的内坩埚，所述内坩埚包括，具有内部空间且沿竖直方向延伸的壳体；上盖，位于壳体上端，上盖包括沿水平方向延伸的第一表面；下盖，位于壳体下端，用于承载氮化铝粉末，下盖包括沿水平方向延伸的第二表面；柱，设置在内坩埚的内部空间中；柱的数量为多个，多个柱之间间隔预定距离地设置；每个柱均具有沿水平方向延伸的第三表面；通过装料步骤、升温步骤、生长步骤和冷却步骤，进行多次生长，在柱的第三表面得到粒径大于20mm的氮化铝籽晶。
一种基于尺寸形状控制 aln 晶体材料制备方法

[发明专利]一种均匀化的大尺寸钨坩埚的制备方法-CN202210114903.7有效
发明人：熊宁;王广达;章林;李星宇;曲选辉;刘国辉;秦明礼;陈刚;张百成;魏子晨;阙忠游;杨军军 -专利权人：安泰天龙钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司;北京科技大学
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明属于先进金属材料制备研究领域，涉及一种均匀化的大尺寸钨坩埚的制备方法。该方法步骤为对原料钨粉进行按照粒径大小依次分若干等级；将分级后钨粉按照设计排列顺序逐层依次装入组装后坩埚模具中，密封；先采用冷等静压进行压制，再长时间保压并分阶段卸压；将压制后的坯料进行多段氢气烧结，获得均匀化的大尺寸钨坩埚本发明的方法通过“长时保压+多阶段卸压”的成形技术，有效提高了大尺寸压坯的整体密度及均匀性，通过沿坩埚壁厚方向依次装入不同粒度的粉末，结合分阶段装料+分阶段烧结实现坩埚坯料在分阶段烧结过程中由内向外逐步致密化
一种均匀尺寸坩埚制备方法

[实用新型]镍及镍基合金真空感应炉装炉结构-CN201420510338.7有效
发明人：李新星;王国伟;孙力;张百顺;高欣 -专利权人：江阴南工锻造有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镍及镍基合金真空感应炉装炉结构，包括坩埚、绕设于坩埚外的感应线圈，还包括由镍制成的工装，工装包括与坩埚底部相适配的底部圆盘，底部圆盘相固定连接的侧板，侧板的上部、下部以及中部均设置有支撑环，上部支撑环上固定设置有四个吊耳，工装的尺寸小于坩埚的最小内径尺寸，吊耳的上方设置有与吊耳相配合的吊装机构，工装结构简单，经济实用，使用真空感应炉装炉工装可以省去装炉时加料过程，工装可以以根据订单在生产间隙将原料按照装料规则装入工装中，以备熔炼装炉使用，免去传统时间及高温装炉瓶颈，大大利用熔炼间隙时间短熔炼周期，增加坩埚寿命，大大提高生产效率，同时还节省能源材料。
合金真空感应炉结构

[实用新型]一种改进型多晶硅铸锭坩埚防护装置-CN201220501325.4有效
发明人：黄新明;明亮;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进型多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括护板组件，所述防护装置由上、下两层护板组件叠加组成，所述护板组件由多个护板围成，每个护板的底边上均设有溢流孔。采用这种改进型多晶硅铸锭坩埚护板装置，能根据坩埚高度及装料量的不同，可通过改变防护装置的使用方式来进行匹配调节，能轻松实现切换，灵活性大，节省大量成本；其次，两层护板组件能更好的和坩埚发生良性接触，减少坩埚在铸锭过程中由于热收缩性不良导致的溢流
一种改进型多晶铸锭坩埚防护装置

[实用新型]连续换热式真空加热炉-CN201220275819.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：王洪举;江苏晶和新能源有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： F27B14/04 文献下载
摘要：实用新型的目的是提供一种连续换热式真空加热炉，主要由真空室、真空机组、传动机构、坩埚、加热装置、截止阀门、装料卸料阀门组成。真空室内装有传动机构，传动机构上固定一定数量的坩埚，坩埚外围装有保温材料，起到保温作用，同时真空室内主要的加热装置，分为三个部分：上部、中部、下部分，坩埚采用镶入方式进入加热炉加热，使得坩埚受热均匀，物料反应彻底
连续换热式真空加热炉

[实用新型]PBN坩埚及其PBN塞子-CN202222894222.5有效
发明人：吴晓波;易明辉;罗小龙;李勤财;周铁军 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于晶体生长设备领域，涉及一种PBN坩埚及其PBN塞子。PBN坩埚包括晶体生长部、放肩部、籽晶井、PBN塞子。本实用新型的PBN塞子和PBN坩埚结构简单，在砷化镓装料过程中，PBN塞子的使用降低了PBN坩埚的损伤，提高了坩埚的使用寿命，同时使员工操作变得更加简单高效，大大的提升了生产效率。
pbn 坩埚及其塞子

[发明专利]一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器-CN201210360981.1有效
发明人：朱世富;赵北君;樊龙;杨辉;何知宇;陈宝军 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
一种磷硅镉单晶体生长方法容器

[发明专利]一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法-CN202110154587.1在审
发明人：王庆国;吴锋;徐军;唐慧丽;罗平;薛艳艳 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。
一种 ycob 晶体生长生长装置方法

[实用新型]一种YCOB晶体生长用生长装置-CN202120318679.4有效
发明人：王庆国;吴锋;徐军;唐慧丽;罗平;薛艳艳 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种YCOB晶体生长用生长装置，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。
一种 ycob 晶体生长生长装置

[发明专利]重复加料生长晶体的装置及其方法-CN03826606.7无效
发明人：袁建中 -专利权人：袁建中
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种重复加料生长晶体的装置及其方法，用加料管向熔料坩埚内重复加入生长原料。加料管的底部端口用与加入生长原料同种原料构成的底板盖住。装入生长原料后，将加料管放入熔料坩埚里的生长原料熔液里，底板熔化后，生长原料全部落入熔料坩埚里。拉制一根完整的晶体棒后，可以重复多次用加料管加料，从而拉制出多根晶体棒。而且提高了一次装料量。对于一个熔料坩埚能够多次重复地加入生长原料。提高了产品质量和利用率。提高了产量，减少了材料的损耗，节约了能源，大大降低了成本。
重复加料生长晶体装置及其方法

[实用新型]一种连续低熔点金属精炼炉-CN201821358872.5有效
发明人：左才坤 -专利权人：株洲智科远冶金装备有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C22B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续低熔点金属精炼炉，包括进料机构、炉体、出料机构和真空抽气系统，进料机构包括进料罐盖、进料罐体、电炉加热盘、进料高温阀和进料送气阀，炉体包括炉壳、进料管、发热体、坩埚、出料管、炉架和炉体送气阀，出料机构包括出料罐体、排料阀、加热圈、出料送气阀、出料高温阀、装料容器和小车，真空抽气系统包括真空泵、抽气管道、炉体真空阀、进料罐真空阀和出料罐真空阀，真空泵通过抽气管道连接炉体真空阀、进料罐真空阀和出料罐真空阀物料进入坩埚后便可再次装料，可减少整个工艺周期，炉内工艺气体与大气完全隔离，降低了炉内部件的损害，全自动控制降低了工人的劳动强度与危险系数。
真空阀炉体进料罐送气阀出料真空抽气系统低熔点金属抽气管道出料机构进料机构出料罐高温阀精炼炉真空泵罐体坩埚本实用新型全自动控制电炉加热工艺气体工艺周期连接炉体炉内部件完全隔离危险系数装料容器装料出料管发热体加热圈进料管排料阀炉架炉壳炉内小车损害

[实用新型]硅芯炉装料快速对中装置-CN201120278692.8有效
发明人：董培讲 -专利权人：六九硅业有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅芯炉装料快速对中装置，包括工作台面、托盘和设置于所述工作台面和所述托盘之间的若干撑板框架，还包括：设置于所述工作台面上的第一自动对中卡具；卡装于所述第一自动对中卡具上的下轴；设置于所述托盘上的第二自动对中卡具本实用新型依靠自动对中卡具的自对中功能实现硅棒与坩埚托快速、高精度对中的目的，在硅芯炉装料快速对中装置上完成调整之后再将硅棒和坩埚托放入炉膛内操作空间充裕、操作方便。
硅芯炉装料快速装置

[实用新型]一种陶瓷坩埚装料量具-CN201520812505.8有效
发明人：闫广宁;楚信博;赵立峰;王怡然;赵飞 -专利权人：宁晋松宫电子材料有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G01F17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷坩埚装料量具，包括高度位置计量校正架，高度位置计量校正架包括平行设置的左侧竖板和右侧竖板，左侧竖板和右侧竖板底部处于同一水平面，左侧竖板和右侧竖板底部通过硅料压触板固定连接在一起
一种陶瓷坩埚装料量具

[发明专利]自动坩埚以及试样装料系统和方法-CN03808254.3无效
发明人：戈登·C·福特 -专利权人：莱克公司
申请日： 2003-03-11 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚及试样操作系统和方法，本发明提供了一种坩埚保持筒盒(50)，其被预先进行了封装、从而保持着多个坩埚(30)。筒盒在被去掉一个端盖之后能露出至少一个出口孔，其被装载到一坩埚输送组件上，该组件将各个坩埚(30)从筒盒(50)内排送到一平台(92)上，在该平台上，一抓放臂(200)组件将坩埚(30)放入到一燃烧炉(各个试样被从堆叠着的试样保持传送盘(340－345)掉落到天平(25)上，在称重之后，利用气压作用将试样从天平抽吸到燃烧炉(40)和坩埚(30)中，以进行燃烧。
自动坩埚以及试样装料系统方法

[发明专利]一种低位错密度的G8高效硅锭的制备方法-CN201711155896.0在审
发明人：刘明权;路景刚 -专利权人：江苏高照新能源发展有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度的G8高效硅锭的制备方法，包括以下流程坩埚喷涂—装料—硅料熔化—长晶，该制备方法有效控制了侧壁形核和侧壁斜向长晶宽度，到达了控制位错形成和扩展控制，提高了整锭效率。
一种低位密度 g8 高效制备方法