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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201610490311.X有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成功函数金属层；在所述功函数金属层上形成扩散阻挡层，其中，所述扩散阻挡层自下而上包括第一扩散阻挡层、金属氧化物阻挡层和第二扩散阻挡层组成的叠层
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201610490291.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：包括：提供半导体衬底，并分别在第一器件类型区域和第二器件类型区域的半导体衬底上形成第一栅极沟槽和第二栅极沟槽；在第一栅极沟槽和第二栅极沟槽的底部和侧壁上形成高k介电层；在第二栅极沟槽内填充牺牲材料层；在所述第一栅极沟槽的底部和侧壁上形成第一功函数层
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于基于RF功率的衬底支撑件前馈温度控制的系统与方法-CN201710521370.3有效
发明人：张涛;田思源;埃里克·A·佩普;乔治·约瑟·扎尼诺维赫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于基于RF功率的衬底支撑件前馈温度控制的系统与方法。提供了温度控制器，其包括接口、补偿控制器、加法器和第二控制器。接口接收偏置功率信号和等离子体信号。另一个接口接收指示衬底支撑件的温度的温度信号。补偿控制器基于偏置前馈传递函数和偏置RF功率电平产生补偿值，并且基于等离子体前馈传递函数和等离子体RF功率电平产生另一补偿值。
用于基于 rf 功率衬底支撑件前馈温度控制系统方法

[发明专利]一种华夫饼型小岛式二极管触发可控硅静电防护器件-CN201710724652.3有效
发明人：金湘亮;郑亦菲;汪洋 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种华夫饼型小岛式二极管触发可控硅静电防护器件，包括P型衬底、P型衬底内的BN埋层，BN埋层上设有高压N阱；高压N阱上从左到右依次设有第一P阱、第一P‑base注入层、第二P+注入区、第三N
一种华夫饼型小岛二极管触发可控硅静电防护器件

[发明专利]一种横向双扩散MOS器件-CN201710726660.1有效
发明人：任敏;林育赐;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散MOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区内部上表面还具有至少两个多晶硅岛，多晶硅岛存储着均匀分布的电荷；从第一导电类型半导体体区到第二导电类型半导体漏极区的方向，多晶硅岛的底部到第一导电类型半导体衬底的距离依次增加；
一种横向扩散 mos 器件

[发明专利]一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法-CN201710709847.0有效
发明人：祝元坤;刘德帅;王现英;康云龙;王丁 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法，其中，快速响应的半导体异质结紫外光探测器，用于对紫外光信号进行快速探测，具有这样的特征，包括：绝缘衬底；二维结构半导体薄膜，设置在绝缘衬底的上端面上
一种快速响应半导体异质结紫外光探测器及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示面板-CN201510563151.2有效
发明人：孙宏达;宋泳锡;方金钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，所述薄膜晶体管包括金属电极，形成所述金属电极的步骤包括在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配与现有技术相比，本发明中金属电极的边缘突出并附着于衬底基板上，不会出现边缘内凹的情况，能够减少各种显示不良情况的发生。
薄膜晶体管及其制作方法显示面板

[发明专利]基于PANI@花状WO₃敏感材料的柔性NH₃传感器及其应用-CN201710759566.6有效
发明人：卢革宇;李思琦;刘方猛;孙鹏;梁喜双;高原;刘凤敏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：由上表面蒸镀80～120nm厚的两条相互独立的叉指金电极的PET衬底、原位生长在PET衬底上表面和叉指金电极上的PANI@花状WO₃纳米敏感材料组成。
一种基于 pani 花状 wo3 纳米敏感材料柔性平面 nh3 气体传感器及其应用

[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置-CN201610561428.2有效
发明人：王彦;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有牺牲层和掩膜层；图案化所述掩膜层和所述牺牲层，以在所述掩膜层和所述牺牲层中形成相互间隔的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽的横向尺寸小于所述第二凹槽的横向尺寸
一种半导体器件制备方法电子装置

[发明专利]一种刻蚀磁性隧道结及其底电极的方法-CN201610554542.2有效
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀磁性隧道结及其底电极的方法，步骤如下：S1.提供包括底层介电质和导电插塞的衬底；S2.在衬底上依次形成底电极膜层、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层，磁性隧道结多层膜为第一膜层、第二膜层和第三膜层的依次向上叠加
一种刻蚀磁性隧道及其电极方法

[发明专利]有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法-CN201510166048.4有效
发明人：王亚丽;王金凤;李秀贞;刘贤豪;侯丽新;李丽;程媛 -专利权人：中国乐凯集团有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法，本发明的电池包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电子传输层、超薄定向层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极。
有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种立体磨料及其制备方法-CN201710945470.9有效
发明人：刘利军;崔福兴 -专利权人：河北思瑞恩新材料科技有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B24B37/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种立体磨料，包括：衬底；复合在所述衬底上的胶层；复合在所述胶层上的基材；复合在所述基材上的底胶层；设置在所述底胶层上的若干磨块，所述相邻磨块之间具有间隙；所述磨块由混合物固化形成，所述混合物包括
一种立体磨料及其制备方法

[发明专利]用于制造氮化物化合物半导体器件的方法-CN201680025612.3有效
发明人：约阿希姆·赫特功;洛伦佐·齐尼;亚历山大·弗里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；‑沉积掩模层(11)；‑在掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层((3a)；‑生长第四氮化物化合物半导体层(4)，使得所述第四氮化物化合物半导体层具有基本上平坦的表面；‑生长氮化物化合物半导体器件的功能层序列(8)；‑将功能层序列(8)与载体(13)连接；‑剥离生长衬底
用于制造氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]半导体器件安全认证方法-CN201610094474.6有效
发明人：呼翔;彭坤;施平;罗学辉;赵连国;李强;王海莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件安全认证方法，提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，电路元件包括底层抗反射层，电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异
半导体器件安全认证方法

[发明专利]存储器件-CN201710092603.2有效
发明人：寺井真之;高宽协;姜大焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层
存储器件

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