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[实用新型]衬底及外延片-CN201621144619.0有效
发明人：顾广安 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衬底及外延片。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延片包括外延层及衬底。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延层铺设在所述本征硅层的上表面。本实用新型衬底通过在衬底本体的上表面设置本征硅层，可将衬底本体与外延层隔开，从而避免衬底本体与外延层之间产生自掺杂问题。因而，所述衬底能够防止衬底本体中的掺杂剂进入外延层，可提高外延层平坦区以改善电阻率均匀性。
衬底外延

[发明专利]一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法-CN201710312966.2在审
发明人：刘闯;刘文彬 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明创造提供了一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，选取经过处理的硅作为衬底硅，配置1号液清洗衬底硅，去除衬底硅表面的金属离子及有机沾污；配置2号液清洗上述衬底硅，去除自然氧化层和前序工艺产生的氧化层；配置3号液对上述衬底硅表面进行亲水性处理，旋转甩干处理后的衬底硅，通过蒸发或者溅射的方式将金属与衬底硅结合得到肖特基势垒层，本发明创造所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，衬底硅经过清洗后表面表现为亲水性，能有效去除衬底硅表面的杂质，保证了清洗工艺的效果，提高势垒的均匀性，进而减小隧穿电流，减少漏电流，提高肖特基势垒器件的质量。
一种改善肖特基势垒层均匀清洗方法

[发明专利]硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法-CN201210345304.2在审
发明人：金峻渊;金在均;蔡秀熙;洪贤基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
衬底及其制造方法外延结构

[发明专利]一种硅衬底GaN的加工工艺-CN202111021771.5在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋;文锺 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硅衬底GaN的加工工艺，具体包括以下步骤：S1、通过MOCVD在硅衬底上外延得到GaN，机械研磨使GaN表面平坦化；S2、在硅衬底表面沉积氧化层；S3、将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上；S4、完成GaN的正面晶圆制程；S5、将GaN正面键合玻璃载板；S6、蚀刻除去硅衬底表面氧化层使硅衬底与Si基载板解键合；S7、再通过机械研磨减薄除去硅衬底；S8、完成GaN的背面晶圆制程。本发明在硅衬底表面沉积SiO2层，利用SiO2层与Si能够形成永久键结将硅衬底键合在大尺寸Si基载板上，从而实现利用现行的硅片加工设备进行小尺寸的GaN加工，同时还解决了硅衬底外延GaN的应力问题。
一种衬底 gan 加工工艺

[发明专利]绝缘体上锗硅的形成方法-CN201210287340.8无效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种绝缘体上锗硅的形成方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；去除所述第二衬底；去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底的残留物。所述绝缘体上锗硅的形成方法不仅能够提高所述锗硅层中锗的含量，从而提高载流子迁移率。并且采用所述绝缘体上锗硅的形成方法形成的绝缘体上锗硅的上表面的具有更好的平坦度，从而不影响半导体器件的性能。
绝缘体上锗硅形成方法

[发明专利]一种具有边缘隔离结构的硅衬底-CN201310640318.1无效
发明人：王立;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有边缘隔离结构的硅衬底，包括硅衬底本体，特征是：在硅衬底边缘设有将硅衬底内部完全封闭的隔离带，隔离区为隔离带和硅衬底边界线之间的区域，隔离带和隔离区构成隔离结构。本发明通过在硅衬底边缘设置隔离带，隔离带将硅衬底上生长的氮化物薄膜被分离成相互独立的两部分，使得始发于氮化物薄膜边缘的裂纹不能传递到硅衬底内部，从而有效保障了被隔离带硅包围的衬底内部的氮化物薄膜的质量，本发明将隔离带和硅衬底边界线之间的隔离区进行图形化，使隔离区成为图形化的隔离区，这样可以进一步减少隔离区内裂纹的产生、限制裂纹的传递，增强本发明的效果。
一种具有边缘隔离结构衬底

[发明专利]改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法-CN200610030625.8无效
发明人：李泽逵;宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成硅化镍层及PMOS晶体管的方法，首先提供包括栅极结构的n型硅衬底；在n型硅衬底上进行非晶化锗注入；在栅极结构的两侧n型硅衬底中形成源极和漏极，并对源极和漏极进行退火；在n型硅衬底和栅极结构上沉积覆盖层；在覆盖层上形成镍层；退火，使镍层与源极和漏极表面的硅反应形成硅化镍层；去除未反应的镍层和覆盖层；经过后续内连线过程，形成PMOS晶体管。在上述形成源极和漏极之前先非晶化锗注入n型硅衬底中，将n型硅衬底的单晶硅非晶化为多晶硅，然后将锗掺杂入多晶硅间，使后续镍层与硅衬底反应形成硅化镍的同时不会生成二硅化镍，进而在硅衬底中也不会产生尖峰现象而导致漏电流
改善硅化镍层性能方法形成 pmos 晶体管

[发明专利]一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法-CN201210514093.0有效
发明人：徐骏;曹蕴清;绪欣;李淑鑫;芮云军;李伟;徐岭;陈坤基;孙胜华;张晓伟;陆鹏;许杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。
一种渐变量子多层太阳电池制备方法

[发明专利]穿透硅通孔结构制作方法-CN201310169431.6有效
发明人：王坚;贾照伟;金一诺;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿透硅通孔结构制作方法，包括如下步骤：提供一硅衬底，硅衬底具有正面和与正面相对的背面，硅衬底的正面形成有通孔，通孔向硅衬底的背面延伸，在通孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层，然后向通孔内填充金属；对硅衬底的背面进行初步减薄；对硅衬底的背面进行湿法刻蚀，并在通孔底部处的介质层被暴露出来之前停止湿法刻蚀；对硅衬底的背面进行干法气相刻蚀，直至通孔底部处沉积的一部分的金属、阻挡层和介质层从硅衬底的背面凸起，其中通孔底部处的介质层被暴露出来；在硅衬底的背面除通孔底部外的部分沉积钝化层；去除通孔底部处的介质层；及采用干法气相刻蚀法去除通孔底部处的阻挡层，通孔底部处的金属从硅衬底的背面露出。本发明通过采用干法气相刻蚀减薄硅衬底的背面及去除通孔底部处的阻挡层，提高了穿透硅通孔结构制作良率。
穿透硅通孔结构制作方法

[发明专利]一种制造黑硅材料的方法-CN201310694318.X无效
发明人：李世彬;张婷;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成掩膜层；在掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列；对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；从硅衬底上去除掩膜层；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。
一种制造材料方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99111393.4无效
发明人：岩根正晃;中川克己;西田彰志;浮世典孝;岩崎由希子;水谷匡希 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-07-02 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时，硅材料溶入高温的熔融液中，然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后，其温度逐渐降低，由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个处延中，主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程，该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]一种一次可编程器件的制造方法-CN202010693357.8有效
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种一次可编程器件的制造方法，主要包括：提供一硅衬底，并在硅衬底上形成分立的浅栅隔离沟槽结构；对硅衬底进行离子注入以形成阱区；形成一护层，护层至少覆盖硅衬底的露出部分；对硅衬底执行退火以激活注入的离子；去除护层；在相邻浅栅隔离沟槽结构间的硅衬底上形成分立的控制栅结构和浮栅结构。通过在对硅衬底进行离子注入后、退火前在硅衬底的表面形成护层，使得在退火时退火气氛中的氧化氮气体无法接触到硅衬底，从而不会使之附着在器件的硅表面，避免了在形成氧化层时由于氧化氮的粘附而在硅表面产生氮氧化硅
一种一次可编程器件制造方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法-CN201911334363.8有效
发明人：顾学强;王玮;李梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器结构及制造方法，CMOS图像传感器结构包括位于硅衬底上的像素单元阵列区域和位于像素单元阵列区域周围的外围电路区域，像素单元阵列区域的硅衬底中设有第一埋氧层，外围电路区域的硅衬底中设有第二埋氧层，第一埋氧层距离硅衬底正面的深度大于第二埋氧层距离硅衬底正面的深度，第一埋氧层与硅衬底正面表面之间的硅衬底中设有硅外延层，硅外延层中设有像素单元阵列的多个感光部，第二埋氧层与硅衬底正面表面之间的硅衬底上设有外围电路
一种 cmos 图像传感器结构制造方法

[实用新型]一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底-CN201420374396.1有效
发明人：王晓靁;刘伯彦;钟其龙 -专利权人：厦门润晶光电有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底，是一种硅-蓝宝石-硅衬底，即顶层为硅主动层，中间层为蓝宝石薄层，底层为硅衬底。制备方法步骤如下：第一步，采用衬底切割技术将抛光蓝宝石薄层均匀切下；第二步，将切下的蓝宝石薄层与硅衬底进行热处理键结；第三步，完成顶层的硅主动层。采用硅当作衬底主体时更有以下优点：（1）与现有以硅衬底为主流的IC工艺及设备高度整合，有效增进生产效能；（2）作为高频组件衬底散热能力将影响组件设计与效能，由于硅的热传效率显著优于蓝宝石，硅作为衬底主体将有效改进组件散热效能
一种蓝宝石绝缘层上覆硅衬底