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[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910201052.4有效
发明人：任红茹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
沟槽隔离制作方法

[发明专利]具有氧化物去除区的金属板坯和组件-CN202110275487.4在审
发明人：詹姆斯·J.·伊万格丽斯塔;小迈克尔·特伦科;露丝·M.·西拉 -专利权人：格鲁帕冲裁有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：一种焊接坯组件(10)，包括通过摩擦搅拌焊缝(16)连接的铝基金属板坯(12、14)和在至少一个所述坯的表面(26、28、30)上的氧化物去除区(24)。所述氧化物去除区中的氧化物层(22)的平均厚度小于沿所述表面的其它地方。所述焊缝至少一部分位于所述氧化物去除区中，并且基本上没有氧化物残余物(18)。一种制造焊接坯组件的方法，包括去除铝基金属板坯上的氧化物层的至少一部分以形成所述氧化物去除区，然后在所述氧化物去除区用焊缝将所述坯连接在一起。通过在氧化物去除后的预定时间内进行焊接、控制氧化物去除和焊接之间的所述局部环境和/或使用氧化物抑制剂，可以最小化和/或抑制所述氧化物去除区中的氧化物生长。
具有氧化物去除金属板组件

[发明专利]一种去除电解镍表面氧化物的方法-CN202210803657.6在审
发明人：姚力军;潘杰;黄东长;王学泽 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除电解镍表面氧化物的方法，所述去除电解镍表面氧化物的方法包括如下步骤：将待处理的电解镍依次经过酸洗、水洗以及干燥后得到去除表面氧化物的电解镍；所述酸洗中使用的酸洗剂包括硝酸和/或盐酸。本发明提供的去除电解镍表面氧化物的方法采用浓度较低的酸液就可以完全去除电解镍表面的氧化物，安全系数更高；没有使用浓硝酸和/或氢氟酸，相对来说对环境更加友好。
一种去除电解表面氧化物方法

[发明专利]一种镀锡铜线表面氧化物去除设备-CN202310434814.5在审
发明人：李浩迪 -专利权人：江西中线博达科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23G3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种镀锡铜线表面氧化物去除设备，涉及氧化物去除设备领域。该镀锡铜线表面氧化物去除设备，包括抖落机构，设置于中间腔上侧，用于作用第三支撑轮和第四支撑轮之间铜线，将铜线表面酸洗液抖落，一级清理机构，设置于清水腔内上侧，用于对铜线表面氧化物进行一级去除，二级清理机构，二级清理机构通过驱动组件在支撑架之间旋转对铜线表面氧化物进行二级去除，循环清洗机构，用于使用清水腔内液体对位于二级清理机构之间铜线进行喷洗，且喷洗液通过二级清理机构流入清水腔内。本发明通过利用酸性化学试剂以及机械打磨结合对镀锌铜线表面氧化物进行去除，能够对铜线表面充分的清洁，提高铜线表面氧化物去除效果。
一种镀锡铜线表面氧化物去除设备

[发明专利]一种镀锡铜线表面氧化物去除设备-CN202210657732.2在审
发明人：唐仕洪 -专利权人：江西辰镶金属制品有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物去除设备，尤其涉及一种镀锡铜线表面氧化物去除设备。提供一种能够一次对大量铜线进行氧化物去除工作，效率高且去除效果好的镀锡铜线表面氧化物去除设备。本发明通过以下技术途径实现：一种镀锡铜线表面氧化物去除设备，包括有反应容器、支撑架、底座、连接块等，底座顶部左右两侧均前后对称安装有支撑架，支撑架下部之间连接有用于装反应溶液的反应容器，支撑架顶部之间连接有连接块通过过滤器还可一次放置大量的铜线进行氧化物去除工作，如此即可提高工作效率，避免在对大量的铜线进行处理时所需工作时间过长。
一种镀锡铜线表面氧化物去除设备

[实用新型]一种去除金属表面氧化物的装置-CN201120347031.6有效
发明人：陈学明 -专利权人：常州日月机械有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种去除金属表面氧化物的装置，分为上、下两部分，上部分为对铝杆表面氧化物去除的装置，下部分为对铜皮表面氧化物去除的装置，所述的对铝杆表面氧化物去除的装置由铝杆进料开始依次设有调直铝杆的垂直滚轮、横向滚轮、皮带轮和安装在两个旋转头上的钢丝轮所组成；所述的对铜皮表面氧化物去除的装置由铜皮调正导轮、清洗槽、清洗槽中的导轮和钢刷轮所构成。本实用新型分上、下两部分，可同时清理铝杆和铜皮的氧化物，互不影响。本实用新型结构简单，使用方便。
一种去除金属表面氧化物装置

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片-CN202310032176.4在审
发明人：庄琼阳;卢金德;贾晓峰;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
沟槽隔离结构及其制备方法半导体芯片

[发明专利]半导体装置-CN201610569671.9有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置，氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型(本征)的氧化物半导体膜
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180016101.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型（本征）的氧化物半导体膜
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN200610001285.6有效
发明人：阿希马·B·查克拉瓦蒂;安东尼·艾·乔;古川俊治;史蒂文·J·霍姆斯;韦斯利·C·纳特兹莱 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种在半导体制造工艺中选择性地形成锗结构的方法，以化学氧化物去除(COR)工艺从氮化物表面去除自然氧化物，然后将加热的氮化物和氧化物表面暴露到加热的含锗的气体中，以选择性地只在氮化物表面上而不在氧化物表面上形成锗
半导体结构及其制造方法

[发明专利]氧化物的原子层蚀刻的方法-CN201910388280.0在审
发明人：索南·谢尔帕;阿洛科·兰詹 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一个示例性实施方案中，本文中描述了一种用于蚀刻氧化物的ALE处理。在一个实施方案中，氧化物是硅氧化物。ALE改性步骤包括基于四氟化碳(CF₄)的等离子体的使用。该改性步骤优先从硅氧化物的表面去除氧，从而提供富硅表面。ALE去除步骤包括基于氢(H₂)的等离子体的使用。该去除步骤去除在改性步骤中形成的富硅单层。利用CF₄和H₂步骤的硅氧化物蚀刻ALE处理可以用于广泛范围的基底处理步骤。例如，ALE处理可以用于但不限于自对准接触蚀刻步骤、硅鳍片露出步骤、氧化物芯模抽除步骤、氧化物间隔物修整以及氧化物衬料蚀刻。
蚀刻硅氧化物改性去除等离子体富硅氧化物间隔物蚀刻氧化物氧化物衬料自对准接触表面去除基底处理四氟化碳氧化物芯硅鳍片氧化物单层修整

[发明专利]半导体基板表面制备方法-CN200980105054.1无效
发明人：拉德万·哈里德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备半导体基板的表面的方法，该方法包括以下步骤：使半导体基板的表面氧化，由此将自然氧化物转变为人工氧化物；并且去除人工氧化物，特别地为获得无氧化物基板表面。
半导体表面制备方法

[发明专利]用于半导体装置制造的衬底处理方法-CN201810626640.1有效
发明人：拉马·I·赫格德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种去除氧化物层的方法。金属层沉积在形成于锗衬底的顶表面处的氧化物层上。金属氧化物层沉积在所述金属层上。所述金属氧化物层包括与所述金属层相同的金属材料。所述金属层和所述氧化物层反应并且与所述金属氧化物层组合以在退火处理期间形成介电层。在所述退火处理期间，所述氧化物层与所述金属层反应并且被去除。
用于半导体装置制造衬底处理方法

[发明专利]用于制造微机电系统的方法-CN201880033258.8在审
发明人：马丁·赫勒;乔纳·德沃尔;安德鲁·霍金;克莉丝汀·林奇;桑蒂·帕克 -专利权人：凯奥尼克公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法部分地包括在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层，在该氧化物层上形成绝缘材料层，图案化并蚀刻该绝缘材料和第一氧化物层，以形成多种氧化物‑绝缘体结构，并进一步暴露半导体衬底的表面，在半导体衬底的暴露表面上生长第二氧化物层，并去除第二氧化物层，从而形成在其中形成有MEMS器件的腔。可以重复在腔的暴露表面中生长氧化物并去除该氧化物的过程，直到腔深度达到预定值。可选地，在腔中形成多个缓冲块。
氧化物层衬底半导体暴露表面氧化物去除蚀刻半导体器件绝缘材料层绝缘体结构生长氧化物绝缘材料缓冲块图案化生长可选暴露重复制造

[发明专利]消除浅沟槽隔离凹坑的方法-CN201410443664.5在审
发明人：宋振伟;徐友峰;陈晋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：对浅沟槽进行填充，并平坦化；对浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；去除衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；在硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行干法刻蚀，在浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；沉积掩模氧化物层；进行离子植入，定义有源区；湿法刻蚀去除掩模氧化物层；湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙。本发明通过在浅沟槽隔离氧化物之两侧与有源区的边界处设置多晶硅侧墙，使得在湿法刻蚀去除掩模氧化物层时，保护了所述浅沟槽隔离氧化物与所述有源区的边界处之浅沟槽隔离氧化物不被刻蚀，避免了凹坑的形成。
消除沟槽隔离方法

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