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[发明专利]胃蛋白酶检测薄膜及其制备方法、应用和胃蛋白酶检测试剂盒-CN202010725947.4在审
发明人：张书鹏;段晓东 -专利权人：上海安翰医疗技术有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C12Q1/37 文献下载
摘要：本发明提供了一种胃蛋白酶检测薄膜及其制备方法、应用和胃蛋白酶检测试剂盒，涉及胃蛋白酶检测技术领域。该胃蛋白酶检测薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供聚合物薄膜基材；将所述聚合物薄膜基材浸入染料中，使染料附着于聚合物薄膜基材，得到胃蛋白酶检测薄膜。本发明的制备方法操作简单，成本低，技术门槛低，对检测和操作人员要求低，本发明能够缓解现有技术中胃蛋白酶检测存在的技术难度大、测试复杂、高成本等问题。
胃蛋白酶检测薄膜及其制备方法应用试剂盒

[发明专利]静电纺制备纤维素基耐热纳米复合纤维薄膜的方法-CN201510415614.0有效
发明人：宦思琪;韩广萍;程万里;白龙;李超;刘国相 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： D04H1/4382 文献下载
摘要：静电纺制备纤维素基耐热纳米复合纤维薄膜的方法，它涉及一种复合纤维薄膜的制备方法。本发明的是为了解决现有方法制备的PVA薄膜脆性较大成膜难、孔隙率低的技术问题。本方法一、制备CNCs溶液；二、制备电纺液；三、将电纺液装于注射器中，纺丝，得到纤维素基耐热纳米复合纤维薄膜。本发明采用环保高效的静电纺技术解决了PVA成膜难、性能不易控制的问题；制备出表面光滑、直径均匀的超细PVA/CNC纳米复合纤维，赋予了电纺PVA薄膜更优异的使用性能。本发明属于复合纤维薄膜的制备领域。
静电制备纤维素耐热纳米复合纤维薄膜方法

[实用新型]用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器-CN95224595.7无效
发明人：周岳亮;吕惠宾;崔大复;陈正豪;熊旭明;李春苓 -专利权人：中科院物理研究所
申请日： 1995-10-27 - 公布日： 1997-10-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜制备技术，特别是涉及一种薄膜制备中用加热器制造技术领域。本实用新型为了制备均匀厚度的大面积双面超导薄膜，从而提供一种由单晶硅加工成凹型的加热板，它通过金属夹板把电极固定在辐射屏蔽架子上构成单晶硅辐射基片加热器。该加热器使用温度达1000℃，恒温区可达70×70mm2，它不仅可适于制备单面薄膜，而且适于制备双面薄膜。
用于制备薄膜单晶硅辐射加热器

[发明专利]氧化物半导体薄膜的制备方法和薄膜晶体管的制备方法-CN201510520915.X在审
发明人：孔祥永 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜的制备方法和薄膜晶体管的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的氧化物薄膜晶体管制备工艺难度大的问题。本发明的氧化物半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：在基底上形成诱导层薄膜；在完成上述步骤的基底上，形成氧化物半导体薄膜，并进行退火工艺，以使氧化物半导体薄膜晶化。
氧化物半导体薄膜制备方法薄膜晶体管

[发明专利]一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法-CN202011262292.8在审
发明人：郑泽渔;赵雪梅 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法，包括：在蓝宝石或YAG晶体上依次制备自缓冲层AlN薄膜、金属电极层、AlN压电薄膜。自缓冲层AlN薄膜诱导金属电极层取向，实现在电极层上制备高度C轴择优取向AlN薄膜。蓝宝石或YAG晶体与高纯溅射靶成45°，有效调控溅射原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于生长缓冲层和AlN压电薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数。本发明方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向AlN薄膜，得到的AlN薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数。
一种垂直择优取向 aln 压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种激光薄膜及其制备方法和应用-CN201711177793.4有效
发明人：卫耀伟;许乔;张清华;王建;王震;吴倩;张飞;潘峰 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种激光薄膜及其制备方法和应用，涉及光学薄膜技术领域。一种激光薄膜的制备方法，包括：以HfCl
一种激光薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种固体装配型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法-CN202110674896.1在审
发明人：陈益钢;孙盈 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体装配型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法，利用自顶而下的方法制备固体装配型薄膜体声波谐振器，它主要包括自顶而下的制备工艺和薄膜键合技术以及牺牲衬底去除技术。与传统的方法相比，由于压电薄膜直接生长在光滑的单晶表面，因而减少了薄膜内应力和粗糙度对薄膜质量的影响，有利于提高压电薄膜的c轴择优取向性。通过层转移技术以及牺牲衬底去除技术最终得到固体装配型薄膜体声波谐振器结构，从而得到性能良好的SMR‑FBAR器件，可以提高器件的品质因子和机电耦合系数。本发明提供了一种制备高性能压电薄膜器件的思路。
一种固体装配压电薄膜声波谐振器及其制造方法

[发明专利]过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜-CN202210190914.3在审
发明人：姚建可;唐杰;汤皎宁 -专利权人：惠州市中德纳微科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明涉及显示材料技术领域，且公开了一种过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜，过滤阴极电弧法具有高沉积速率和高离子能量的优点，可以制备高结晶质量、高致密度、优异光电性能和化学稳定性的透明导电薄膜，本发明公开了用FCAD制备高性能ZnO和SnO2基透明导电薄膜和薄膜晶体管的技术。首先，公开了一种高性能ZnOTFT的制备方法，其有源层和电极层分别采用以FCAD在低温制备的ZnO和AlZnO薄膜；其次，公开了几种SnO2基TFTs的制备工艺，其有源层可分别采用FCAD在低温制备的高阻SnO2、Sb或Ta或W掺杂的SnO2薄膜，其电极层可分别采用FCAD在低温制备的低阻Sb或Ta或W掺杂的SnO2薄膜。
过滤阴极电弧法制性能透明导电薄膜

[发明专利]一种低毒性溶媒的聚芳醚砜薄膜制备方法-CN202310934802.9在审
发明人：夏婉莹;杨楠 -专利权人：大连中科聚合新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种低毒性溶媒的聚芳醚砜薄膜制备方法，属于薄膜制备技术领域。解决现有聚芳醚砜薄膜在制备过程中大量使用有毒、有害溶媒，存在致癌风险或对人、环境有害的技术问题。本发明的制备方法采用适合配方的低毒性溶媒，用于可溶性聚芳醚砜薄膜的制备，该方法先采用低毒性溶媒，实现聚芳醚砜薄膜的制备，通过溶媒的复配、铸膜液配方调整和成型工艺匹配，得到聚合物薄膜平整度好，透明度更高，在保持高耐热的同时，最大程度降低有机溶剂对人体和环境的危害，并可方便的实现连续化宽幅制备。实验结果表明：本发明制备得到的薄膜其拉伸强度为75～100Mpa，弹性模量为1.7GPa～3.2GPa，断裂伸长率为10％～120％，溶剂残留低于0.5％。
一种毒性溶媒聚芳醚砜薄膜制备方法

[发明专利]一种高透疏水防尘薄膜及其制备方法-CN202111061544.5有效
发明人：卢松涛;李杨;吴晓宏;郭宝;李晓春 -专利权人：哈尔滨工业大学;哈尔滨工业大学重庆研究院;深圳市仁发航天技术有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透疏水防尘薄膜及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有疏水自清洁薄膜制备成本高、工艺复杂且薄膜结合力差的技术问题。本发明利用原子层沉积系统在玻璃基底表面制备一层ZnO薄膜，然后将有机硅树脂和疏水型纳米二氧化硅相结合，旋涂于试片表面，得到具有良好的除尘效果的薄膜。本发明制备的疏水自清洁薄膜最高光透过率达到98.12％，疏水角为127°。此外，还具有耐摩擦，附着力强，使用寿命长等优点。
一种疏水防尘薄膜及其制备方法

[发明专利]一种尖晶石型铁氧体薄膜及其制备方法-CN201810392411.8有效
发明人：杨洋;余快;汪国平;丁军;肖文 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种尖晶石型铁氧体薄膜的制备方法，包括：将原料和衬底混合后进行升温处理再进行冷却，得到尖晶石型铁氧体薄膜；所述原料包括金属源、表面活性剂和溶剂。与现有技术相比，本发明采用化学方法制备得到尖晶石型铁氧体薄膜，本发明提供的方法制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜的晶体结构质量高、无杂相，可制备得到厚度在几纳米至几百纳米的尖晶石型铁氧体薄膜，制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜具有优异的磁性能本发明还提供了一种由上述技术方案所述的方法制备得到的尖晶石型铁氧体薄膜。
一种尖晶石铁氧体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜/硅复合材料的制备方法及其应用-CN202011329976.5有效
发明人：王立勇 -专利权人：中北大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯薄膜/硅复合材料的制备方法，涉及涉及离子储能材料技术领域。石墨烯薄膜的制备：以天然鳞片石墨为原料，采用电化学非氧化层离的方法制备多层石墨烯浆体，并在基板上经刮涂、干燥后，依次进行炭化、石墨化，即得石墨烯薄膜；石墨烯薄膜/硅复合材料的制备：以制备的石墨烯薄膜作为基底，采用磁控溅射的方法依次在基底材料上交替生长粘结材料和硅材料，并使硅材料处于粘结材料的层状包裹结构中，即得石墨烯薄膜/硅复合材料。本发明以天然鳞片石墨为原料，采用磁控溅射技术，将硅、镍材料与高导电石墨烯薄膜基底材料结合，制备硅基复合材料。
一种石墨薄膜复合材料制备方法及其应用

[发明专利]硅碳薄膜负极材料及其制备方法-CN201810521651.3在审
发明人：杨宇;童领;王盼;陈安然;邱锋;王荣飞 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于复合薄膜材料制备技术领域，特别是涉及一种锂离子电池用的硅碳薄膜负极材料及其制备方法。本发明在室温条件下采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术，在集流体上制备了硅薄膜和碳薄膜交替堆叠的结构，交替堆叠结构的层数为2~4层，硅薄膜先沉积在集流体上，与集流体直接接触。本发明通过工艺简单的磁控溅射沉积技术在集流体上一步法直接溅射生长活性物质硅碳薄膜，省去了传统电极制备过程中粘结剂的使用，以及辊压、涂覆、烘干等步骤，减少了制作工序和成本，此外，碳薄膜作为填充物质和导电剂，有效地解决了纯硅薄膜电极循环性能差的不足，提高了电极的循环稳定性。
集流体硅碳制备薄膜负极材料交替堆叠硅薄膜碳薄膜磁控溅射沉积复合薄膜材料射频磁控溅射直流磁控溅射制备技术领域锂离子电池用循环稳定性薄膜电极传统电极活性物质室温条件填充物质循环性能制备过程导电剂有效地粘结剂电极烘干沉积纯硅辊压溅射涂覆薄膜生长制作

[发明专利]钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片-CN202211408734.4有效
发明人：邓昊;张晓航 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：制备初始钽金属薄膜；将初始钽金属薄膜冷却至预定极低温度后，由预定极低温度上升至常温，得到目标钽金属薄膜。本发明解决了相关技术中，在制备钽金属薄膜后，对钽金属薄膜的后处理技术，对提高钽基超导量子器件在能量耗散的正面作用有限的技术问题。
金属薄膜处理方法量子器件芯片

[发明专利]一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法-CN201710234816.4在审
发明人：单福凯;聂生斌;刘奥;朱慧慧;刘国侠 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法，用于三元p型金属氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管制备场合；解决传统TFT器件载流子迁移率低，制备成本昂贵，反应条件苛刻的难题，实现低成本制备高性能低能耗的三元p型金属氧化物薄膜晶体管，制得的产物为Ni/CuCrO2/SiO2/Si结构的薄膜晶体管；用低阻硅作为衬底，用致密的SiO2作为栅介电层，采用“两步退火”技术和溶胶凝胶技术制备三元p型CuCrO2半导体薄膜作为沟道层；其工艺简单，原理可靠，节能环保，制备成本低廉，产品性能好，能够用于工业化生产，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。
一种溶液法制三元金属氧化物薄膜晶体管方法