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[发明专利]一种高发射、高吸收镍-铈复合黑色薄膜及其制备方法-CN202110245543.X有效
发明人：杨雨萌;晋通正;蒋馨怡;朱本峰;卫国英;杜小青;刘姣;张昭 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高发射、高吸收镍‑铈复合黑色薄膜及其制备方法，属于黑镍薄膜制备技术领域。本发明采用三电极体系在钢基材上通过恒电位沉积制备镍‑铈复合薄膜，反应制得的膜层薄且均匀，克服了传统制备方法直接将CeO2纳米颗粒掺入镀液中使得CeO2无法在电极表面参与化学反应，无法对CeO2颗粒的结构与组成进行有效调控从而造成膜层不均匀的技术难题。本发明制备工艺简单、条件温和、易于操控，制备得到的薄膜膜层厚度薄且均匀，薄膜具有高发射率和高吸收率的效果，扩展了黑镍薄膜在航空航天等领域的应用。
一种发射吸收复合黑色薄膜及其制备方法

[发明专利]图案化有机薄膜的制备方法-CN201510061759.5有效
发明人：杨小牛;叶峰;赵晓礼;张通;吴凡;吕红英 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化有机薄膜的制备方法，属于有机薄膜图案化技术领域。解决了现有技术中有机薄膜图案化的方法对待加工层进行激光刻蚀时，容易对与待加工层相邻的非加工层造成热损伤的技术问题。该方法首先在基底的上表面上制备图案化衬底薄膜层，然后在图案化衬底薄膜层和裸露的基底的上表面上制备单层或复合有机薄膜层，之后通过红外激光源逐点扫描单层或复合有机薄膜层，利用有机薄膜材料和衬底薄膜材料对红外光的吸收率的不同，使图案化衬底薄膜层吸收热量，将其上的单层或复合有机薄膜层的烧掉，裸露的基底的上表面上的单层或复合有机薄膜层被保留，得到图案化有机薄膜。
图案有机薄膜制备方法

[发明专利]一种降解型薄膜颗粒的制备方法-CN202110894558.9在审
发明人：江思佶;金江平;张祖俊 -专利权人：安庆市季彤工贸有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明属于薄膜颗粒技术领域，尤其是一种降解型薄膜颗粒的制备方法，步骤一、原材料准备，按重量份制备原料。该降解型薄膜颗粒的制备方法，通过设置聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯纤维、甲壳素纤维、聚乙烯醇纤维和聚己内酯制备降解型薄膜颗粒，不仅确保生产的薄膜能够被降解，同时增加了薄膜使用过程中的强度、韧性、耐磨和耐腐蚀性，延长薄膜的使用寿命，并且，在造粒成型时，通过造粒装置，在造粒过程中对液态原料进行再次充分搅拌，确保制备的薄膜颗粒内部的物质均匀，从而解决了现有的薄膜颗粒生产工序较多，易出现生产的薄膜颗粒内部物质不均匀，影响后续制备的薄膜质量的问题。
一种降解薄膜颗粒制备方法

[发明专利]无机盐原料液相化学法制备SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜-CN03100039.8无效
发明人：季惠明;徐廷献;徐明霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2003-01-07 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明特别涉及的是无机盐原料液相化学法制备SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜，本发明的技术是这样实现的：可溶性无机盐原料的制备，SrBi2Ta2O9溶液的制备，SrBi2Ta2O9溶胶的制备，SrBi2Ta2O9薄膜的制备。SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜的制备目前国内外在液相化学法方面采用的原料都是金属有机盐类化合物。本发明首次以无机物为原料，采用络合剂螯合技术，利用无机盐溶液液相化学法成功地制备出了SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜。此方法对利用我国资源优势制备SrBi2Ta2O9薄膜，发展信息产业技术有重要现实意义。
无机盐原料化学法制 srbi2ta2o9 陶瓷薄膜

[发明专利]一种脉冲极化偏压下制备CdTe薄膜及其太阳电池工艺-CN202111087702.4在审
发明人：宋慧瑾;鄢强 -专利权人：成都大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明设计新能源材料与器件领域，特别是一种改善CdTe薄膜性能的方法。采用脉冲激光沉积技术极化偏压下在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜，不同沉积温度下制备CdTe薄膜。在最佳退火温度下，使用脉冲激光沉积技术在沉积薄膜的过程中引入极化脉冲偏压制备CdTe薄膜并应用到电池器件中，本发明的积极效果：相对于不加脉冲偏压制备的CdTe薄膜太阳电池，加入极化偏压后所制备的太阳电池的性能参数均得到有效提升，随着脉冲偏压的升高CdTe薄膜的结晶度提升。在适当的衬底温度以及脉冲偏压条件下，沉积出来的CdTe薄膜表面更加致密，结晶性更好。
一种脉冲极化偏压制备 cdte 薄膜及其太阳电池工艺

[发明专利]一种高透明聚酯薄膜及其制备方法-CN201110366393.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宁波长阳科技有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B32B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高透明薄膜及其制备方法，尤其是一种高光透过率、低雾度的高透明聚酯薄膜及其制备方法。本发明所要解决的技术问题是薄膜制备过程中抗粘连粒子的添加降低了基膜原有的光学性能。本发明提供一种高透明聚酯薄膜，包括聚酯薄膜基材和高透明有机填充粒子。所述高透明有机填充粒子的光折射率为1.5-1.7，粒径为1μm-4μm。所述高透明聚酯薄膜的厚度为12-250μm。与现有技术相比，本发明提供的高透明聚酯薄膜具有较好的光学性能，较好的抗粘连性和机械性能。本发明提供的高透明聚酯薄膜的制备方法，采用现有的拉伸工艺，操作简单易行。
一种透明聚酯薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用-CN202310735718.4在审
发明人：李辉;李丛梦;古宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，具体涉及一种钛酸钡铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明采用的磁控溅射与半导体微电子技术相兼容，实现了钛酸钡铁电薄膜的低温制备，制备出薄膜晶粒尺寸较大，致密，具有量子尺寸效应的钛酸钡铁电薄膜材料，使其具有显著的铁电性能，使得钛酸钡铁电薄膜的应用空间得到了更好的发展，尤其在与薄膜太阳电池与铁电材料相结合的应用上，可以引入大剩余极化强度的铁电退极化场。
一种钛酸钡薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种高品质稀土掺杂的硫系薄膜的制备方法-CN202010019527.4在审
发明人：张斌;吴家越;李朝晖;杨泽林;曾平羊;张涛;张鸣杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C03C3/32 文献下载
摘要：本发明属于硫系薄膜技术领域，更具体地，涉及一种高品质稀土掺杂的硫系薄膜的制备方法。以配制所得的玻璃溶液为原材料、惰性耐高温磁子为搅拌元件，配合超声机与磁力搅拌器使薄膜均匀、离心机使杂质沉淀，对密闭容器中的玻璃溶液进行搅拌、离心后，经旋涂和退火制备得高品质稀土掺杂得硫系薄膜。利用旋涂法制备稀土掺杂的硫系薄膜，可有效避免其他制备方法过程中的高温导致薄膜产生析晶现象。同时，旋涂法的整个制备过程在手套箱中低温进行，可有效避免制备过程中高温引起的杂质对薄膜造成污染，在保证纯度的同时，可制备出高品质的稀土掺杂硫系薄膜。
一种品质稀土掺杂薄膜制备方法

[发明专利]一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法-CN201510631552.7有效
发明人：张志萍;刘红飞;杨露;潘坤旻;曾祥华;陈小兵 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法。属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
一种热膨胀材料 sc sub mo 12 薄膜制备方法

[发明专利]一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法-CN201610369755.8有效
发明人：张甲;白学林;周丽杰;王振龙;石琳 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物，加热蒸发进行气相反应，在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜，同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控；本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。
一种尺寸单晶钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]图案化固体薄膜表面有机润滑剂自组装薄膜的制备方法-CN200710308588.7无效
发明人：石雷;刘维民 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C10M177/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化固体薄膜表面有机润滑剂自组装薄膜的制备方法。以有机润滑剂为原料，采用微接触印刷技术首先在单晶硅或载玻片上制备图案化的固体薄膜，以此为基底在其表面组装稳定的有机润滑剂薄膜。有机润滑剂薄膜与固体薄膜具有很好的结合性能，在微型机械和信息技术领域具有潜在的应用价值。
图案固体薄膜表面有机润滑剂组装制备方法

[发明专利]一种低雾度聚酯薄膜的制备方法-CN201410374212.6在审
发明人：金国华;黄强;杨乐;施燕;陈胜利;周明;许修安;叶建明;韩州;朱霆 -专利权人：苏州袭麟光电科技产业有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明属于聚酯薄膜技术领域，具体涉及一种低雾度聚酯薄膜的制备方法。所述低雾度聚酯薄膜的制备方法，包括如下步骤：配置涂布液；聚酯薄膜纵向拉伸；涂布液涂布；聚酯薄膜横向拉伸。本发明提供的技术方案将硅溶胶加入涂布液中，对聚酯表面进行涂布改性，提高薄膜爽滑性能的特性，解决了未添加填料的低雾度薄膜难以加工的问题，方法简单易行，适于推广。
一种低雾度聚酯薄膜制备方法

[发明专利]一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法-CN201410210984.6有效
发明人：单福凯;刘国侠;刘奥;谭惠月 -专利权人：青岛大学
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄膜样品；然后将含有GTO介电层的薄膜样品放入离子束溅射室内清洗薄膜样品的表面，得到清洗后的薄膜样品；再在清洗后的薄膜样品的GTO介电层上沉积ITZO半导体沟道层，得到沟道层薄膜样品；最后在沟道层薄膜样品上面制备源、漏金属电极，得到多层复合氧化物GTO高k介电层的ITZO薄膜晶体管；其工艺简单，原理可靠，成本低，产品性能好，制备环境友好，应用前景好。
一种多层复合氧化物介质薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件-CN202011119349.9有效
发明人：王金翠;张秀全;张涛;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开的一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，包括：在薄膜基体顶表面制备图案保护层，薄膜基体顶表面的裸露区形成的图案与目标薄膜图案相同；向薄膜基体内进行离子注入，由于图案保护层的保护作用，只在薄膜基体内形成与目标薄膜图案相同的薄膜层；去除图案保护层，在薄膜基体顶表面形成非离子注入区，并对所述非离子注入区表面粗糙处理；利用键合分离方法，在基底层上直接形成具有与目标薄膜图案相同的薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的薄膜层，并且制备工艺简单，不需要对薄膜层进行刻蚀处理，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
一种具有图案薄膜合体制备方法电子器件

[发明专利]一种全固态薄膜锂电池-CN200810017622.X无效
发明人：刘文元 -专利权人：刘文元
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01M6/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种全固态薄膜锂电池，解决了现有全固态薄膜锂电池的比容量低、制备成本高的技术问题。包括基片、设置在基片上的阳极薄膜、设置在阳极薄膜上的电解质薄膜以及设置在电解质薄膜上的阴极薄膜，阳极薄膜为氮化钴薄膜，电解质薄膜为氮化的磷酸锂薄膜，阴极薄膜为金属锂薄膜。具有结构简单，制备过程简单，比容量高，充放电循环性能良好的优点。
一种固态薄膜锂电池