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[发明专利]一种共面波导到带状线异层过渡结构-CN202110961663.X有效
发明人：王长胜;陈玉山;许露;孔庆龙;蒋凯 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二三研究所
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种共面波导到带状线异层过渡结构，该结构包括了同轴连接器、薄基片介质和金属结构件，同轴连接器输入端口阻抗为50欧，输出端为探针；薄基片介质包含薄基片共面波导、转换盲孔结构和带状线，薄基片共面波导结构两侧为地，使信号在中间为50欧的信号线传输；转换盲孔一端连接薄基片共面波导，另一端连接薄基片带状线；薄基片带状线由上下两层厚度相等的薄基片和中间50欧微带线组成；将整个薄基片介质用螺钉固定于金属结构件上，最后将同轴连接器输出端口探针焊接到薄基片共面波导信号传输线中心位置本发明适用于较薄基片，连接器与带状线异面，插入损耗较小，实现了对薄基片带状线的阻抗匹配馈电。
一种波导带状线过渡结构

[发明专利]薄基片大变形应力变形求解方法、装置、终端、存储介质-CN202310790171.8在审
发明人：刘海军;代明辉;韩江;夏链;田晓青;陈珊;黄晓勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及薄基片大变形应力变形求解方法、装置、终端、存储介质。本发明的求解方法通过薄基片的变形模型计算得到薄基片的变形。所述变形模型为：#imgabs0#式中，ω表征所述薄基片的变形，定义所述薄基片在空间直角坐标系中，所述薄基片变形前中间面的圆心为坐标原点，X轴和Y轴位于薄基片变形前中间面上，Z轴垂直于X轴和Y轴，x和y分别为所述薄基片在X轴方向和Y轴方向上的位置；a、b均为所述薄基片的变形系数。
薄基片大变形应力求解方法装置终端存储介质

[发明专利]一种基于厚薄带状线转换的同轴馈电毫米波天线-CN201711026995.9在审
发明人：张祖存;李汉林;许露;吴素云;李哲 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二三研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提出一种基于厚薄带状线转换的同轴馈电毫米波天线，从后向前依次为同轴连接器、厚基片带状线、薄基片带状线和薄基片带状线天线；厚基片带状线由四层基片压接而成，从下到上的顺序依次为第1层基片、第2层基片、第3层基片和第4层基片；薄基片带状线和薄基片带状线天线由第2层基片和第3层基片构成；厚基片带状线的宽传输线位于第2层基片的上表面；薄基片带状线的窄传输线位于第2层基片的上表面，在第1层基片和第4层基片的侧边设置有金属包边本发明解决了毫米薄基片带状线天线馈电结构无法工程实现或在实现过程中其性能会严重恶化的难题。
一种基于厚薄带状线转换同轴馈电毫米波天线

[发明专利]一种用于减薄半导体基片的装置及方法-CN201611224838.4在审
发明人：陈波;夏洋;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于减薄半导体基片的装置。所述装置包括：底盘，所述底盘上设有基片槽，用于放置待减薄的基片；上盖，所述上盖为中空的环状，所述中空的面积小于等于所述基片的面积；所述上盖与底盘固定连接，将所述基片夹持住；所述基片待减薄的一面通过所述上盖的中空位置暴露出来本发明还提供一种用于减薄半导体基片的方法。本发明利用湿法刻蚀对基片背面暴露出来的部分进行减薄处理，基片边缘保持原来的厚度，对整个基片起到支撑作用，减少了减薄基片的破损，使整个基片与现有生产线设备兼容，提高生产率，降低成本。
减薄上盖半导体基片底盘中空的半导体制造技术生产线设备基片背面基片边缘减薄处理湿法刻蚀支撑作用中空位置基片槽基片夹暴露破损兼容

[发明专利]一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法-CN200610047695.4无效
发明人：康仁科;王科;金洙吉;郭东明;董志刚 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明一种用于硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法，属于硬脆晶体薄基片超精密加工领域。粘片方法是分别采用低温和高温两种粘结剂对硬脆晶体薄基片两个表面与两块载物台进行粘结，采用低温粘结剂把硬脆晶体薄基片下表面粘结在第一块载物台上后，对硬脆晶体薄基片上表面研磨抛光达到要求后，不卸片；再用耐高温粘结剂把硬脆晶体薄基片的上表面粘结在第二块载物台上，加热第一块载物台后，把硬脆晶体薄基片下表面与第一块载物台分离，对硬脆晶体薄基片的下表面进行研磨抛光加工，达到质量要求。本发明可有效减小硬脆晶体薄基片研磨抛光加工后的翘曲变形，使其面形精度得到很大的提高。
一种晶体薄基片研磨抛光方法

[发明专利]一种消除重力影响的薄基片变形测量方法-CN201510496479.7有效
发明人：董志刚;康仁科;刘海军;高尚;朱祥龙;周平;陈修艺 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除重力影响的薄基片变形测量方法，所述薄基片由三个支撑球支撑，包括以下步骤：通过测量确定三个支撑球的位置；将待测的薄基片放置于三个支撑球上，确定薄基片的厚度和位置；将测得的三个支撑球的位置信息和薄基片的厚度、轮廓与位置信息输入至有限元分析软件中，进行重力附加变形仿真，计算重力附加变形；扫描测得薄基片的总变形，总变形减去计算的重力附加变形，得出薄基片真实变形。本发明无离子污染，不使用液体，不产生表面张力附加变形；对支撑球的位置没有要求，不要求支撑机构的装配精度；不需要额外定心机构来保证薄基片中心处于正反测量翻转轴上。
薄基片支撑球变形变形测量重力影响变形仿真定心机构分析软件离子污染正反测量支撑机构翻转轴减去装配测量扫描支撑保证

[发明专利]一种薄基片变形的测量方法与装置-CN201310187846.6有效
发明人：康仁科;董志刚;刘海军;佟宇;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄基片变形的测量方法与装置，属于物体变形的测量方法与装置领域，涉及对薄基片变形的测量方法与装置。该测量方法是将被测量的薄基片浸没于密度与之相近的液体中，采用固定销限定薄基片在液体中水平位置，在空气与液体交界处放置高平面度和平行度的透明平板，透明平板上表面在液体表面之上，透明平板下表面在液体表面之下采用光学位移传感器扫描测量薄基片的表面位移。测量装置中，光学位移传感器通过安装板固定在竖直平移台上，薄基片由三个锥形销支撑限位，整体固定于溶液中。本发明有效减少薄基片测量过程中重力附加变形的影响，可准确测量厚度较小而平面尺寸较大的薄基片变形，测量结果准确可靠。
一种薄基片变形测量方法装置

[发明专利]一种用于介质基片片内均匀减薄的方法-CN201711101430.2有效
发明人：董航荣;曹乾涛;赵海轮 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于介质基片片内均匀减薄的方法，步骤101：预先在基片待减薄面上粘贴感光胶膜；步骤102：用粘接剂石蜡将含有基片的临时键合体粘贴到载体上，采用重力方式进行加压粘片；步骤103：将基片周边的溢蜡、杂质等处理干净，然后将感光胶膜和基片脱离；步骤104：通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理；步骤105：物理或化学方法进行基片抛光；步骤106：基片同载体分离及后续处理。采用上述方案，适用性强，适用于99.6％的Al2O3陶瓷、蓝宝石、99.8％的氮化铝陶瓷、熔融石英、Si基片等材料介质基片的减薄和抛光
一种用于介质片片均匀方法

[发明专利]一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置-CN202010465671.0有效
发明人：刘海军;周静;韩江;夏链;田晓青;卢磊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置，属于薄基片变形测量技术领域。用于薄基片变形测量时，被测薄基片的密度和重液的密度相等；被测薄基片由三个球铰式负压吸嘴吸附，完全浸没于重液中，被测薄基片的重力与重液的浮力完全相等，被测薄基片的重力不对自身的实际变形有影响，通过激光三角位移传感器扫描测量即可得到被测薄基片的实际变形
一种完全消除重力影响薄基片变形测量装置

[发明专利]一种包括基片和薄结构的眼镜片-CN201180065736.1有效
发明人：克里斯汀·博韦;金-保尔·卡诺;罗曼·法约莱;安东尼·索盖伊 -专利权人：依视路国际集团(光学总公司)
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G02C9/00 文献下载
摘要：一种眼镜片，其包括通过中间垫片(30)彼此组装的基片(1)和薄结构(2)。垫片位于基片的外围边缘(12)，在佩戴者使用眼镜片过程中，由所述基片和所述薄结构之间的所述垫片决定的间隔空间含有气体介质。眼镜基片与薄结构的组装可以是永久的或者是可拆除的。
一种包括结构眼镜片

[实用新型]红外大功率EMC灯珠-CN201620217323.0有效
发明人：卢杨;张月强 -专利权人：福建天电光电有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种红外大功率EMC灯珠，目的在于在解决器件散热的同时，整个封装器件更薄。该灯珠包括金属基片和金属基片外围的EMC基材；金属基片包括用于固晶的第一基片和用于作为焊线电极的第二基片；第一基片和第二基片的边缘经过减薄处理，它们的中间存在凸起部；第一基片的凸起部上固定有红光芯片，连接在红光芯片的电极上的第一电极引线的外端部焊接在第二基片的凸起部上；在第一基片和第二基片之间有EMC基材，它们通过EMC基材连接在一起，且EMC基材覆盖在第一基片和第二基片的减薄的位置上。
红外大功率 emc 灯珠

[发明专利]EMC封装的红外器件的制造方法以及EMC连体支架-CN201610160829.7在审
发明人：卢杨;张月强 -专利权人：福建天电光电有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种EMC封装的红外器件的制造方法以及EMC连体支架，目的在于在解决器件散热的同时，整个封装器件更薄。本发明的制造方法包括：制作支架上的金属基片的步骤，基片包括第一基片和第二基片；图形化基片的步骤，在第一基片和第二基片需要作为电极的区域覆盖光刻胶，露出基片边缘，然后对基片边缘进行减薄刻蚀，再去除光刻胶，使基片中间部位相对于边缘部位凸起；制作封装支架的步骤，将第一基片和第二基片封装在EMC材料中，其中EMC材料连接所述第一基片和第二基片且覆盖在所述基片的减薄位置。本发明可以做到跟金属基片厚度基本一致，由于芯片的厚度很薄，所以整个封装器件可以做到很薄，同时也顾及到了器件的散热效果。
emc 封装红外器件制造方法以及连体支架

[实用新型]一种体外诊断检测试纸条-CN200920041855.3有效
发明人：欧卫军 -专利权人：南通市伊士生物技术有限责任公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G01N33/558 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种体外诊断检测试纸条，包括基片、反应膜、薄毡，基片上粘贴有反应膜、薄毡，反应膜的一端与薄毡互相搭接相连，且该反应膜为硝酸纤维素膜，基片为透明塑料，反应膜还与基片相粘贴的一面设有平行的检测线和质控线，薄毡上涂有胶体金溶液或彩色乳胶溶液，且此薄毡为玻纤毡或聚酯薄毡。本实用新型具有可以透过透明基片直接判断测试结果，可以防止液体的挥发和防止外带液体的渗透，灵敏度高，使测试变得更加精确，使用方便、快捷，且节约了成本。
一种体外诊断检测试纸

[发明专利]薄基片的基底的应力求解方法及求解装置与计算机终端-CN202310285259.4在审
发明人：刘海军;代明辉;韩江;夏链;田晓青;陈珊;黄晓勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于精密测量与分析技术领域，具体涉及薄基片的基底的应力求解方法及求解装置与计算机终端。该方法包括：获取薄基片的弹性模量E、泊松比μ、厚度h、直径D，薄膜的厚度t、薄膜应力σ，薄基片变形后的曲率系数a和b；根据E、μ、h、D、t、σ、a和b，通过设计好的径向应力计算模型得到径向应力σ式中，z为所述薄基片的本发明使用力学计算的方法，得到大变形薄基片基底中的应力状态，利用该方法可以方便快捷的求解不同材料和尺寸大变形薄基片基底中的应力。
薄基片基底应力求解方法装置计算机终端

[发明专利]一种求解薄基片应力的方法-CN202110358535.6有效
发明人：刘海军;杨涛;韩江;夏链;田晓青;卢磊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明属于精密测量与分析技术领域，具体涉及一种求解薄基片应力的方法，该方法包括如下步骤：S1：获取待分析应力的薄基片的基础参数；S2：建立薄基片的有限元模型；S3：依次向模型中的每个面施加单位应力载荷，对有限元模型进行求解，输出求解结果；S4：获取有限元模型中施加单位应力载荷的面的中心点坐标，进而构造包含各面之间中心点距离关系的矩阵L；S5：获取真实薄基片的面形，并绘制取舍曲线；S6：采用正则化方法求解线性方程，计算获得薄基片的真实应力分布。该方法解决了直接解方程组造成的薄基片应力分布不连续和波动大的问题，同时该方法在获取应力分布过程中不引入额外的物理损伤。
一种求解薄基片应力方法

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