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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法-CN202111132499.8在审
发明人：余晨辉;秦嘉怡;沈倪明;陈红富;陆炎;成田恬;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法，利用氮化镓‑石墨烯衬底，通过改变给石墨烯层外加的栅极偏压，来控制外延生长模式的选择。若在石墨烯层栅极上外加正向偏压，那么石墨烯中的主要载流子类型为电子，抑制氮化镓的极性，外延生长模式选择的是传统的范德瓦耳斯外延，在石墨烯上只能生长二维范德瓦耳斯氮化镓单晶之外的薄膜。反之，若不对石墨烯层栅极施加外电压或者外加反向偏压，那么就选择远程外延，在石墨烯上将生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜。
一种控制范德瓦耳斯外延远程生长模式装置方法

[发明专利]一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法-CN202111076688.8有效
发明人：黄青松 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法。该非二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构，所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案。本发明首次在二维非范德瓦耳斯晶体材料——二氧化钼表面制备摩尔超晶格结构的制备工艺。在其表面制备出不同扭转扭转错位角度的摩尔超晶格结构。二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构；其可以改变二维非范德瓦尔斯晶体表面的润湿性。
一种二维非范德瓦尔晶体及其制备方法

[发明专利]一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器-CN201910744036.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海盟希传感技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：外尔半金属层的上方设置有第一电极层；半导体层的右部分上方设置有掩膜层；第一电极层与外尔半金属层为欧姆接触，所述外尔半金属层与半导体层为欧姆接触；该基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，在外尔半金属与半导体复合结构之间形成范德瓦耳斯结，当环境温度温度改变，会对范德瓦耳斯结造成影响，使得的范德瓦耳斯结产生的光生电流的强度变化，通过检测光生电流的变化，实现温度的检测；相比于现有的温度检测器不仅结构简单，而且灵敏度更高，具有更高的测量精度和稳定性
一种基于外尔半金属半导体复合结构温度传感器

[发明专利]减小外部范德瓦耳斯力和静电力的气浮设计-CN03158153.6无效
发明人：罗伯特·迈克尔·科恩;戈登·詹姆士·史密斯;邓荣曾 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：该气浮表面包括一个或多个内部凹陷，以减小把该滑块吸引到该盘的范德瓦耳斯力和静电力。
减小外部范德瓦耳斯力和静电力设计

[发明专利]一种可弯曲柔性二维材料异质结光电探测器及其制备方法-CN202211178049.7在审
发明人：杨志远;赵莉莉;刘洋;郑名扬;周飞;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：在铜箔衬底上镀镍形成复合金属，然后高温加热使其表面变成铜镍合金，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，降温时制备出大尺寸高品质石墨烯；再利用CVD法制备出较大面积的过渡金属硫族化合物，形成范德瓦耳斯异质结本发明的制备过渡金属硫族化合物/石墨烯异质结方法能够得到质量更好的范德瓦耳斯异质结，制备出宽探测范围及高响应度的柔性光电探测器，光电探测器探测范围超过180°，弯曲度最大为270°。
一种弯曲柔性二维材料异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法-CN201611206251.0在审
发明人：何家琪;何大伟;张璐;赵思淇;王永生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：范德瓦尔斯异质结以其原子层级界面，突出的机械柔性和极高的化学稳定性等特点将功能型异质结的研究带向了一个新的纪元。本发明意在提供一种工艺流程简单，对衬底和不同材料间晶格匹配要求低，不需要进行材料掺杂等工艺，而是利用范德瓦耳斯力将二种不同的二维晶体组成异质结结构，再利用该异质结结构作为导电沟道材料制备场效应晶体管及其制备方法
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法-CN201910561872.8有效
发明人：杨志远;赵莉莉;张飒飒;赵显;左致远;李志强;程秀凤 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法，该方法在半导体衬底上镀复合金属，然后合金化，通入碳源气体，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，制备出大尺寸高品质石墨烯，再利用CVD法制备出较大面积的碲化物，形成范德瓦耳斯异质结本发明的制备方法可以避免传统CVD方法转移过程中对二维材料的破坏，能够得到质量更好的范德瓦耳斯异质结，从而使得近红外光电探测器质量更好、更稳定，并且得到的器件具有显著的光响应，具有较高的比探测率、响应率以及快的探测速度
一种尺寸石墨二维碲化物异质结红外光电探测器制备方法

[发明专利]一种氧化锌/石墨炔复合材料电容特性的仿真方法-CN201810225478.2有效
发明人：王科云;贠江妮;张艳妮;杨芷;张志勇;赵武;闫军锋;王雪文 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理，首先分别构建并优化单层氧化锌和β相石墨炔的晶胞模型，再建立二者范德瓦尔斯力结合的高对称复合模型，最后研究了复合体系在外加电场作用下的相关特性。本发明首次构建出氧化锌与石墨炔范德瓦耳斯力结合的复合模型，阐述了形成复合体系前后能带的变化；揭示了外加电场作用下，复合体系能带与结合能的变化规律；并计算了复合体系的比电容值，为开发新型纳米电容器奠定了理论基础
一种氧化锌石墨复合材料电容特性仿真方法

[发明专利]瞬态电子器件的制备方法-CN202110635671.5有效
发明人：黄显;霍文星 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种瞬态电子器件的制备方法，包括：在衬底上制备范德瓦尔斯薄膜；其中，所述范德瓦尔斯薄膜为二维材料；将所述范德瓦尔斯薄膜进行光脉冲烧结处理，得到分层后的范德瓦尔斯薄膜样品；在分层后的范德瓦尔斯薄膜样品表面滴涂水溶性聚合物的溶液，低温固化，形成水溶性聚合物薄膜；将与所述水溶性聚合物薄膜紧密贴合的所述分层后的范德瓦尔斯薄膜样品自所述衬底揭下，制得所述瞬态电子器件。本公开实现了瞬态电子器件的大面积加工，能够通过改变光脉冲的参数调节范德瓦尔斯薄膜的厚度和性能，所采用的工艺流程对环境友好，并与印刷电子技术的制造工艺兼容。
瞬态电子器件制备方法

[发明专利]闪烁体核辐射探测器及其制备方法-CN202211546827.3在审
发明人：张浩;刘文上 -专利权人：深圳通感微电子有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪烁体核辐射探测器及其制备方法，闪烁体核辐射探测器包括闪烁体、过渡金属硫族化合物层、电极层、第一可见光反射层以及第二可见光反射层；过渡金属硫族化合物层通过范德瓦耳斯力紧密结合在闪烁体的第一表面上本发明的闪烁体核辐射探测器，TMDCs层与闪烁体通过范德瓦耳斯力直接结合，避免了界面处光的全反射，提高了光学耦合效率的同时简化了探测器的结构。
闪烁核辐射探测器及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米纤维纸及其制备方法-CN201210531111.6有效
发明人：肖辉;刘超;刘铸;孙力 -专利权人：肖辉
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： D21H13/50 文献下载
摘要：本发明的碳纳米纤维纸是采用纳米级碳纤维制备，碳纳米纤维之间依靠氢键和范德瓦耳斯力结合。本发明的碳纳米纤维纸制备方法包括碳纤维表面修饰、分散、絮凝、过滤、压榨烘干工序。
一种纳米纤维及其制备方法

[发明专利]电解型双电层电容器-CN92113775.3无效
发明人：伊万·I·格里戈特切克;科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克;扎哈·D·科瓦里尤克;伊万·D·科茨米克;博丹·P·巴马蒂尤克 -专利权人：伊万·I·格里戈特切克;科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克;扎哈·D·科瓦里尤克;伊万·D·科茨米克;博丹·P·巴马蒂尤克
申请日： 1992-10-29 - 公布日： 1993-07-28 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：一种双电层电解电容器，包括每个都与公用的电解液相接触的两个电极，至少有一个电极包括具有范德瓦尔斯沟道的晶体材料，这些范德瓦尔斯沟道适宜于在沟道中接纳电解液，因而当在两个电极之间加上电压之后，在范德瓦尔斯沟道与电解液的界面上形成双电荷层
电解型双电层电容器

[发明专利]一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源-CN201910525464.7有效
发明人：徐新龙;姚泽瀚;张隆辉;黄媛媛;朱礼鹏;杜婉怡 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜与三维半导体材料所构成的范德瓦尔斯异质结、泵浦光源和电极；本发明通过使用二维材料薄膜如石墨烯或过渡金属硫族化合物与三维半导体材料构建范德瓦尔斯异质结，以增强半导体材料中的太赫兹辐射；本发明通过构建范德瓦尔斯异质结，在偏压的作用下有效提高了三维半导体表界面的太赫兹波产生强度，在未来集成化、一体化的太赫兹系统中有广泛的应用前景。
一种基于瓦尔斯异质结赫兹辐射源

[发明专利]麦克斯韦妖热源与制冷与空调新概念-CN200810165878.5无效
发明人：赵玉天 -专利权人：赵玉天
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： F03G7/10 文献下载
摘要：本发明麦克斯韦妖热源是系统的，彻底的推翻能量守恒定律创造永动机的发明。根据对1871年麦克斯韦著《热理论》一书中著名的理想实验-“麦克斯韦妖”实验的讨论，证明了范德瓦耳斯真实气体的状态方程能量不守恒，从而证明吉布斯函数能量不守恒，自由能函数能量不守恒，克拉贝龙方程不但能量不守恒而且是创造相变潜能的理论表述本发明就是按克拉贝龙方程创造了麦克斯韦妖热源-永动机，解决了人类正在面临的能源危机。
麦克斯韦热源制冷空调新概念

[发明专利]氧化石墨烯-纳米粒子复合膜及其制备方法与应用-CN202180057491.1在审
发明人：伊桑·赛凡纳;贝赫纳姆·戈哈雷;黄国集 -专利权人：株式会社无忧
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本发明涉及包含氧化石墨烯片和仅通过静电相互作用和/或范德瓦耳斯相互作用结合在氧化石墨烯片的表面的纳米粒子的多孔复合膜。
氧化石墨纳米粒子复合及其制备方法应用

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