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[发明专利]一种基于电子自旋的高灵敏核自旋进动检测方法-CN201811209041.6在审
发明人：秦杰;万双爱;孙晓光;刘建丰;汤恩琼 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G01R23/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于电子自旋的高灵敏核自旋进动检测方法，它包括下述步骤：步骤一：核自旋进动产生磁场；步骤二：电子自旋构造原子磁强计检测核自旋进动磁场；步骤三：反演核自旋进动信息。本发明的有益效果在于：一种基于电子自旋的高灵敏核自旋进动检测方法，其主要优势在于核自旋进动产生磁场，能够被电子自旋感受而引起电子自旋进动。因此，可以通过电子自旋构造原子磁强计，测量核自旋的进动磁场从而得到核自旋的进动频率信息。同时，在核磁共振陀螺中，电子自旋与核自旋被混合于同一个原子气室内，电子自旋与核自旋的耦合会使电子自旋感受到的核自旋进动磁场增强，从而提高对核自旋进动频率信息的检测能力。
一种基于电子自旋灵敏检测方法

[发明专利]一种基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构-CN202011200847.6有效
发明人：钟智勇;郑磊;金立川;张岱南;唐晓莉;文天龙;廖宇龙;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01P1/19 文献下载
摘要：本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波，铁磁层的长宽比为(1～5)：1，铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度，铁磁层与相移自旋波波导的间距为100～200nm，使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差，进而实现自旋波的异或逻辑门功能，无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导，可简化器件结构，利于器件的小型化。
一种基于磁偶极作用自旋逻辑结构

[发明专利]自旋劈裂-铁磁性耦合材料及其应用-CN202111452012.4在审
发明人：李鑫;李卫民;贺宇;吴挺俊;朱雷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋劈裂‑铁磁性耦合材料及其应用，通过对自旋劈裂材料进行掺杂获得包括自旋劈裂材料及掺杂元素的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料，自旋劈裂‑铁磁性耦合材料同时具有能带自旋劈裂及铁磁性，其中，能带自旋劈裂的特性在于自旋劈裂材料本发明提供的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料可实现全电学式自旋轨道力矩驱动控制，以消除传统自旋轨道力矩下自旋劈裂材料及铁磁材料形成的异质结构，从而简化后续制备的器件结构，且可降低能量损耗。
自旋劈裂铁磁性耦合材料及其应用

[发明专利]基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器-CN200710169692.2有效
发明人：菅原聪;田中雅明 -专利权人：科学技术振兴机构
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种自旋晶体管包括自旋注入器和自旋分析器，所述自旋注入器用于把载流子作为热载流子从第一非磁性电极注入第二非磁性电极层，所述载流子的自旋平行于构成第一铁磁阻挡层的能带边缘的自旋能带，所述自旋分析器用于通过第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋分裂，当注入第二非磁性电极的自旋偏振热载流子的自旋方向平行于第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋能带的自旋方向时，把热载流子导通到第三非磁性电极，并且当所述自旋偏振热载流子的自旋方向与注入所述第二磁性电极的自旋方向反平行时还提供一种利用所述自旋晶体管的存储装置。
基于自旋滤波器效应晶体管利用非易失存储器

[发明专利]基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器-CN03822480.1无效
发明人：菅原聪;田中雅明 -专利权人：科学技术振兴机构
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：一种自旋晶体管包括自旋注入器和自旋分析器，所述自旋注入器用于把载流子作为热载流子从第一非磁性电极注入第二非磁性电极层，所述载流子的自旋平行于构成第一铁磁阻挡层的能带边缘的自旋能带，所述自旋分析器用于通过第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋分裂，当注入第二非磁性电极的自旋偏振热载流子的自旋方向平行于第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋能带的自旋方向时，把热载流子导通到第三非磁性电极，并且当所述自旋偏振热载流子的自旋方向与注入所述第二磁性电极的自旋方向反平行时还提供一种利用所述自旋晶体管的存储装置。
基于自旋滤波器效应晶体管利用非易失存储器

[发明专利]一种外壳自旋化解移动迎面阻力的运载装置-CN202111023254.1在审
发明人：贾立进 -专利权人：贾立进
申请日： 2021-08-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B62D35/00 文献下载
摘要：一种外壳自旋化解移动迎面阻力的运载装置属移动出行、节能减排、低碳、环保领域，包括地面、水面、水下及空中的交通运载工具，是对现有出行工具单一运动规律的升级，出行运载装置的外壳自旋与移动组成出行运载装置复合运动，化解出行工具移动方位迎面阻力，实现降低出行运载装置能耗的目的，它由电子控制单元11、自旋驱动装置12、自旋传动装置14、自旋执行装置16、自旋外壳18、移动驱动装置13、移动传动装置15、移动执行装置17组成，它的自旋外壳18绕自旋轴线3按自旋方向2自旋，同时沿移动方向4移动，且移动方向4与旋轴线3垂直，故移动过程中的迎面阻力、压力就可以通过自旋外壳18自旋化解掉，移动速度越快，自旋外壳18自旋速度越快，移动速度越慢，自旋外壳18自旋速度越慢。
一种外壳自旋化解移动迎面阻力运载装置

[发明专利]自旋锁的获取方法、装置、设备及存储介质-CN202211664341.X在审
发明人：彭元志 -专利权人：科东（广州）软件科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋锁的获取方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：当前处理器申请自旋锁时，所述处理器获取预先分配的本地锁结构；所述本地锁结构包括本地自旋变量；处理器获取自旋锁的占用状态，若未被占用，则直接获取自旋锁；否则，配置本地自旋变量为第一值，并将本处理器挂接到自旋锁申请链末端的处理器上，自旋等待本地自旋变量为第二值时，获取自旋锁。本实施例，通过基于链表结构的自旋锁以及在根据处理器的自旋锁的占用状态进行自旋锁分配的过程中，作为锁申请者的处理器仅在本地自旋等待自旋锁的方式，极大地减少了不必要的处理器缓存同步的次数，降低了总线和内存的开销，提高了自旋锁的性能，也极大提高了内核的性能。
自旋获取方法装置设备存储介质

[发明专利]产生强自旋波的方法和使用自旋波进行超高速信息处理的自旋装置-CN200680035748.9有效
发明人：金相国;李祺锡;崔相国 -专利权人：财团法人首尔大学校产学协力财团
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供一种产生强自旋波的方法，一种同时产生自旋波和电磁波的方法，一种使用自旋波的逻辑运算装置，多种使用自旋波的自旋波装置，以及一种控制自旋波的相位的方法。在产生自旋波的方法中，通过将各种形状的能量供应到磁性材料来产生强自旋波，其中磁涡旋和磁反涡旋自旋结构单独或一起存在。当将能量施加到图案化磁性材料，使磁涡旋或磁反涡旋可产生时，在涡心中产生强转矩，使强自旋波可从涡心产生。如此产生的自旋波具有大振幅、短波长和高频率。在使用自旋波的逻辑运算装置和使用自旋波的自旋波装置中，通过产生自旋波的方法而控制产生的自旋波的频率、波长、振幅和相位等波因数，且使用如反射、折射、透射、隧穿、叠加、干涉和衍射的波特征。可使用自旋波来重构能执行超高速信息处理的逻辑运算自旋波装置、和使用光学波的各种形状的光学装置。
产生自旋方法使用进行超高速信息处理装置

[发明专利]自旋阀元件-CN201380057553.4在审
发明人：广畑贵文 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;约克大学
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：自旋阀元件(10)，具有：由强磁性体构成的自旋注入元件(12)；由强磁性体构成的自旋检测元件(16)；及由非磁性体构成的通道部(14)，自旋检测元件(16)配置在与自旋注入元件(12)分离的位置，通道部(14)直接或经由绝缘层连接于自旋注入元件(12)及自旋检测元件(16)，在通道部(14)形成有在与自旋流正交的方向的剖面积被扩大的自旋扩散部(30)～(34)。
自旋元件

[实用新型]软管接头自旋盖防脱结构-CN201520290062.0有效
发明人：叶锦杰 -专利权人：厦门立霖卫浴有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： F16L33/04 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种软管接头自旋盖防脱结构，包括有软管、自旋芯，连接螺母、密封垫和自旋盖，自旋芯一端与软管固定连接，另一端凸出软管外，连接螺母松动的套置在软管和自旋芯的外部，所述密封垫和自旋盖设置在自旋芯的另一端上，自旋盖压紧在密封垫上，该自旋盖与连接螺母内壁为过盈配合，该自旋盖的侧壁上设有凹凸起伏结构。
软管接头自旋盖防脱结构

[发明专利]一种AGV车自旋角的标定方法及自旋运动控制方法-CN201910196097.0在审
发明人：戴燕玲;郭兆琴 -专利权人：智久（厦门）机器人科技有限公司上海分公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：一种AGV车自旋角的标定方法及自旋运动控制方法，所述AGV车自旋角的标定方法，包括：所述AGV车获取给定速度、给定航向角、若干不同的给定自旋角；所述AGV车自旋，记录所述给定速度、所述给定航向角、若干不同的所述给定自旋角对应的不同的自旋信息；根据第一预设条件确定所述给定速度、所述给定航向角对应的最优的自旋角。本发明考虑了实际的AGV车身对AGV车自旋控制的影响，在控制AGV车自旋时能够减少自旋误差，满足AGV车在一定空间内的原地掉头、原地调整姿态等需求。
自旋航向角标定自旋运动预设条件原地调整车身掉头记录

[发明专利]内容可寻址存储器-CN201210043857.2有效
发明人：丸亀孝生;井口智明;杉山英行;石川瑞恵;齐藤好昭;木下敦宽;辰村光介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G11C15/00 文献下载
摘要：一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
内容寻址存储器

[实用新型]一种便携式样品自旋测试装置-CN201520561158.6有效
发明人：周偃;田军利 -专利权人：上海精谱科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式样品自旋测试装置，包括上盖、测试平台、自旋装置、安装架和支架，所述上盖铰接在所述测试平台的一侧，所述支架铰接在所述测试平台的两端；所述自旋装置包括自旋轴承、自旋电机和自旋电机电源，所述自旋电机电源与自旋电机安装在所述测试平台底部，所述自旋电机电源通过电线与自旋电机相连接，所述自旋电机的输出轴与自旋轴承相连接；所述样品放置平台安装在自旋轴承上；所述安装架安装在所述测试平台底部。
一种便携式样品自旋测试装置

[发明专利]一种同轴自旋注入器件-CN201610580174.9有效
发明人：林晓阳;粟傈;斯志仲;赵巍胜;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种同轴自旋注入器件，包括在一维材料上间排布的n个同轴自旋注入电极以及与同轴自旋注入电极互连的n个固定电极，以及负载以上结构的基底；所述的同轴自旋注入电极包括在一维圆柱形自旋沟道外依次环绕的同轴隧穿层本发明采用了同轴环绕一维材料自旋沟道的自旋注入电极，避免了自旋注入电极覆盖区域自旋沟道和基底的直接接触，降低了接触面带来的电子散射问题，有效地提高了自旋注入效率。本发明提出同轴环绕一维自旋沟道的自旋注入电极，避免了由于一维材料特殊的中空圆柱形结构而导致的传统注入电极/自旋沟道接触面存在孔洞的问题，提高了自旋注入器件的可控性和可靠性。
一种同轴自旋注入器件

[发明专利]一种基于非铁磁材料的超低功耗自旋逻辑器件-CN201611071657.2有效
发明人：赵巍胜;朱道乾;林晓阳;粟傈;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非铁磁材料的超低功耗自旋逻辑器件，其特征在于：利用自旋轨道耦合效应及自旋流实现超低功耗逻辑运算，其结构包括非铁磁自旋注入端、自旋输运沟道、自旋放大部分、自旋流‑电流转换结构及输出端。在输入端向两种非铁磁材料的界面处通入电流以实现自旋注入；非铁磁材料之间可加入隔离层；在自旋输运沟道中以纯自旋流进行运算；为解决自旋流的衰减问题，可对自旋流进行放大或将其转化为电流进行输运；在输出端利用磁隧道结对数据进行存储本发明尽可能少地使用铁磁材料，克服了自旋注入时的高功耗问题，实现了低功耗设计；并且通过自旋流‑电流转换可实现信号的长距离传输，也方便拓展材料体系。
一种基于非铁磁材料功耗自旋逻辑器件

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