“膜成膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1688103个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]成膜装置和成膜处理方法-CN201911364275.2有效
发明人：神尾卓史;齐藤哲也;盐野海 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气
装置处理方法

[发明专利]氮化膜成膜方法-CN201780086342.1有效
发明人：西村真一;渡边谦资;山田义人;寺本章伸;诹访智之;志波良信 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。
氮化膜成膜方法

[实用新型]多孔膜成膜装置-CN201220623345.9有效
发明人：曾凯;李成章;江林 -专利权人：云南云天化股份有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B05C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多孔膜成膜装置，包括箱体和位于箱体内并用于涂布成膜材料的台面，箱体内设有加湿空间和通过台面的热传导加热成膜材料的加热空间，加湿空间至少包覆于台面上部，所述加热空间与加湿空间相互独立；本实用新型采用相对独立的加湿空间和加热空间，通过加湿空间和加热空间控制湿度和温度，并使独立且精确的控制温度和湿度成为可能，在成孔过程中能够较精确控制孔结构和孔径，并且结构及控制过程简单，成本较低，更适用于实验室使用
多孔膜成膜装置

[实用新型]医用膜成膜箱-CN03232758.7无效
发明人：周学华 -专利权人：成都博联医疗信息产业有限责任公司
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： B29C51/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种医用膜成膜箱，主要由一端开有门(2)的箱体(1)构成，箱体(1)为二层，外层为金属层(11)，内层为不锈钢层(12)，箱体(1)内可用不锈钢板(13)分隔成多层。的一端设置有接氮气的微压气压表(3)及扇形进气口(10)，门(2)的一侧设置有真空表(4)，可调试排气孔(5)，温控仪(6)，电源开关(7)，真空开关(8)，排气孔(9)与溶剂回收装置连通，其结构简单、操作方便、成膜厚度均匀、产品合格率高，还可用作医用膜以外的其他膜的成膜设备。
医用膜成膜箱

[发明专利]硼系膜的成膜方法和成膜装置-CN201910242435.X在审
发明人：渡部佳优;冈正浩;李金望;山本勇生;上田博一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C16/28 文献下载
摘要：本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置，能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，包括以下工序：第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体CVD来形成硼系膜；第二工序，向腔室内供给含有含硼气体的处理气体；第三工序，施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力；以及第四工序，利用高频电力生成处理气体的等离子体，来在基板上形成硼系膜，其中，通过第三工序的高频电力的功率来调整硼系膜的膜应力。
硼系成膜装置高频电力成膜基板电容耦合等离子体等离子体等离子体CVD 室内处理气体含硼气体生成处理膜应力硬掩膜搬入施加

[发明专利]金属被膜的成膜装置和成膜方法-CN202110856960.8在审
发明人：加藤彰;近藤春树;东小园创真 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提供能够以均匀的膜厚形成金属被膜的金属被膜的成膜装置和成膜方法。本发明的金属被膜的成膜装置，具备阳极、设置于上述阳极与成为阴极的基材之间的固体电解质膜、对上述阳极与上述阴极之间施加电压的电源部、在上述阳极与上述固体电解质膜之间收纳包含金属离子的溶液的溶液收纳部、以及通过上述溶液的液压将上述固体电解质膜向上述阴极侧加压的加压部，利用上述固体电解质膜对上述基材的表面加压，并且通过施加上述电压而使上述固体电解质膜的内部所含有的上述金属离子析出，由此在上述基材的表面形成金属被膜，其特征在于，还具备以包围上述阳极的外周面的方式设置的遮蔽电力线的遮蔽部件
金属装置方法

[发明专利]金属被膜的成膜装置和成膜方法-CN202111374943.7在审
发明人：加藤彰;近藤春树;东小园创真 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：提供能够以均匀的膜厚形成金属被膜的金属被膜的成膜装置和成膜方法。本发明的金属被膜的成膜装置，其特征在于，具备：阳极；设置于所述阳极与成为阴极的基材之间的固体电解质膜；向所述阳极和所述阴极之间施加电压的电源部；在所述阳极与所述固体电解质膜之间收纳包含金属离子的溶液的溶液收纳部；和利用所述溶液的液压将所述固体电解质膜向所述阴极侧加压的加压部，一边由所述固体电解质膜对所述基材的表面的成膜区域进行加压，一边通过施加所述电压而使在所述固体电解质膜的内部含有的所述金属离子析出，由此在所述成膜区域形成金属被膜，所述成膜装置还具备辅助阴极，所述辅助阴极设置于俯视所述基材的表面的情况下的所述成膜区域的周围，且电位比所述阳极低。
金属装置方法

[发明专利]金属覆膜的成膜装置及其成膜方法-CN202211256867.4在审
发明人：近藤春树;稻垣功二;黑田圭児;冈本和昭 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属覆膜的成膜装置及其成膜方法，抑制在金属覆膜(F)的表面产生凹凸，谋求成膜品质的提高。成膜装置(1)具备：阳极(11)；固体电解质膜(13)，配置于阳极与基材(B)之间；电源部(14)，将基材作为阴极，对阳极与基材之间施加电压；及液收纳体(15)，以分离的状态保持阳极和固体电解质膜，在阳极与固体电解质膜之间收纳包含金属离子的电解液成膜装置具备拉膜机构(18)，在液收纳体中收纳有加热后的电解液的状态下，该拉膜机构从中央部朝向外缘部对中央部施加拉伸力，使固体电解质膜的中央部伸长。
金属装置及其方法

[发明专利]含硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201610465904.0有效
发明人：佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
含硅膜方法以及装置

[发明专利]氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN200510084288.6有效
发明人：长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种成膜方法，在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域之内，利用CVD在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。
氧化方法以及装置

[发明专利]成膜用涂布液及其膜以及成膜方法-CN200610095620.3有效
发明人：谷好浩;元山贤一 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：提供了一种成膜用涂布液，该涂布液可以通过最高70℃的低温热处理充分固化形成具有优良耐磨性的固化膜，该涂布液具有优良的贮存稳定性，还提供了由成膜用涂布液制得的膜，以及成膜的方法。一种成膜用涂布液，该涂布液包含式(1)的硅化合物作为主要组分缩聚制得的聚硅氧烷(A)，以及式(2)的化合物(B)。
成膜用涂布液及其以及方法

[发明专利]金属被膜的成膜装置和成膜方法-CN201480017989.5在审
发明人：佐藤祐规;平冈基记;柳本博 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供能够在多个基材的表面连续地形成期望的膜厚的金属被膜、并且能够抑制金属被膜的异常并提高成膜速度的、金属被膜的成膜装置及其成膜方法。一种成膜装置(1A)，至少具备：阳极(11)；固体电解质膜(13)，其在阳极与成为阴极的基材(B)之间被配置成金属离子溶液(L)接触其阳极(11)侧；和对阳极(11)与所述基材(B)之间施加电压的电源部通过对阳极(11)与基材(B)之间施加电压，由固体电解质膜(13)的内部所含有的金属离子在基材(B)的表面析出金属，从而形成由金属离子的金属构成的金属被膜(F)。阳极(11)，在相对于金属离子溶液(L)为不溶性的基底材料(11a)上被覆有由与金属被膜(F)相同的金属构成的金属镀膜(11c)。
金属装置方法

[发明专利]金属被膜的成膜装置和成膜方法-CN201380004430.4有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规;吉冈孝恭 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C25D17/12 文献下载
摘要：本发明提供能够在多个基材的表面连续形成期望膜厚的金属被膜的金属被膜的成膜装置及其成膜方法。成膜装置(1A)至少具备阳极(11)、阴极(12)、在上述阳极与成为阴极的基材之间配置于阳极(12)的表面的固体电解质膜(13)、成膜装置(1A)和在阳极(11)与基材(B)之间施加电压的电源部(E)。通过在阳极(11)与基材(B)之间施加电压，由固体电解质膜(13)的内部所含有的金属离子在基材的表面析出金属，从而形成由金属构成的金属被膜(F)。
金属装置方法

[发明专利]透明导电膜的成膜方法和成膜装置-CN200880122587.6有效
发明人：高桥明久;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电膜的成膜方法，使用含有氧化锌类材料的靶，通过溅射在基板上形成氧化锌类透明导电膜，在含有选自氢气、氧气和水蒸气中的两种或三种的反应性气体气氛中进行上述溅射。
透明导电方法装置

[发明专利]金属被膜的成膜装置及其成膜方法-CN201480057154.2有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供一种不管阳极的表面状态如何，都能够稳定地形成膜厚均匀的均质金属被膜的金属被膜的成膜装置及其成膜方法。成膜装置(1A)具备阳极(11)；配置于阳极(11)与成为阴极的基材(B)之间的固体电解质膜(13)；和对阳极(11)与基材(B)之间施加电压的电源部(14)。一种装置，使固体电解质膜(13)接触基材(B)的表面，对阳极(11)与基材(B)之间施加电压，由固体电解质膜(13)的内部所含有的金属离子在基材(B)的表面析出金属，由此形成包含金属的金属被膜(F)。成膜装置(1A)具备载置基材(B)的载置台(21)，载置台(21)具有吸引部(22)，吸引部(22)在形成金属被膜(F)时，从基材(B)侧吸引固体电解质膜(13)，使得固体电解质膜(13)贴合在基材(B
金属装置及其方法