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[发明专利]一种恒温型微波连续流反应器-CN201710430370.2有效
发明人：杨晓庆;吴诗月;曹锴源;袁建平;李立欣;李旭;朱占霞;明正峰 -专利权人：四川大学;西北工业大学;西安电子科技大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明所述恒温型微波连续流反应器，结构包括矩形脊波导和位于矩形脊波导腔体内的石英套管换热器，所述矩形脊波导由矩形波导和设置在矩形波导腔体内上下壁面中心位置、与矩形波导为一体结构、结构相互对称的两个带弧形顶面的梯形体金属脊构成，所述石英套管换热器由两个直径不等、末端带水平尾段的同心U形圆管嵌套而成，所述水平尾段穿过矩形脊波导两侧壁上设置的安装孔，延伸至矩形脊波导腔体外，实现石英套管换热器在矩形脊波导腔体内的安装，并使U形圆管所在平面与矩形脊波导的上下平面平行且位于两金属脊之间的空间内
一种恒温微波连续流反应器

[实用新型]具有三角形脊部的建筑模块-CN201420014038.X有效
发明人：张外文 -专利权人：张外文
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： E04C1/00 文献下载
摘要：一种具有三角形脊部的建筑模块。建筑模块的两侧延伸出一对三角形脊部，三角形脊部具有中心受力轴线，将建筑模块的受力中心向两侧分散，三角形脊部与建筑模块中央部形成中央托架，位于中央托架下部的矩形凸起的基座将建筑结构垫高，便于建筑模块精密封入建筑间隙处或其他结构中
具有三角形建筑模块

[发明专利]一种半导体激光器及其载流子注入方法-CN201910917248.7在审
发明人：王俊;赵智德;谭少阳;程洋 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其载流子注入方法，其中方法包括：在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；在脊形结构上制备介质薄膜；将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理通过控制脊面上介质薄膜的形状，实现电流沿脊形纵向的非均匀注入，抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。
半导体激光器介质薄膜制备载流子脊形结构晶圆片外延结构薄膜腔非均匀解理薄膜非均匀分布光输出功率腔面反射率形状分布纵向分布均匀性电极长腔衬底脊形刻蚀抵消

[发明专利]一种半导体激光器-CN202310711690.0在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;邱若生;杜明伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底，外延结构和欧姆接触层，而外延层又包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，P型半导体层远离有源层的一端具有向上凸起的脊形部。其中，脊形部靠近欧姆接触层一侧的上表面含有Sn原子。本申请通过将Sn原子引入至脊形部，并利用Sn原子与脊形部内的其他金属原子之间可以共价结合多出空穴，使脊形部内靠近上表面一侧的空穴载流子浓度得到进一步提高，进而在半导体激光器正向导通时，使脊形部内能够拥有更多的空穴载流子参与导电，有利于降低欧姆接触层与脊形部之间的接触电阻，改善半导体激光器的电流传输效率的作用，提高半导体激光器的光电转换效率。
一种半导体激光器

[发明专利]一种仿古建筑马头墙压脊构件-CN201911410381.X在审
发明人：肖姣君;林晓珺;胡晓轶;尹小琴;陈建华;曹武华;栾正云 -专利权人：花王生态工程股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： E04D1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿古建筑马头墙压脊构件，包括若干阵列设置于弧形瓦片上的U形压脊片，所述的U形压脊片的空腔内通过连杆连接有呈V形的导流板，所述导流板的两侧均设有倒扣形的固定扣，所述的固定扣包括上端的内折弯段、中部的贴合段和下端倒钩段，所述的固定扣卡设于弧形瓦片的两侧；导流板的上表面开设有呈V形的导流槽；所述U形压脊片的两侧底端均开设有排水缝，所述的排水缝位置与导流槽的末端相对。本发明中的压脊构件通过中空的结构可以使压脊构件的整体质量减轻，从而减少屋脊的承重压力；通过设置于内部的V形导流板和设于V形导流板上的导流槽，将从缝隙中溢入的水流通过U形压脊片两端开设的排水缝中导出，避免雨水渗入
一种仿古建筑马头墙压脊构件

[实用新型]一种仿古建筑马头墙压脊构件-CN201922478126.0有效
发明人：肖姣君;林晓珺;胡晓轶;尹小琴;陈建华;曹武华;栾正云 -专利权人：花王生态工程股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： E04D1/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种仿古建筑马头墙压脊构件，包括若干阵列设置于弧形瓦片上的U形压脊片，所述的U形压脊片的空腔内通过连杆连接有呈V形的导流板，所述导流板的两侧均设有倒扣形的固定扣，所述的固定扣包括上端的内折弯段、中部的贴合段和下端倒钩段，所述的固定扣卡设于弧形瓦片的两侧；导流板的上表面开设有呈V形的导流槽；所述U形压脊片的两侧底端均开设有排水缝，所述的排水缝位置与导流槽的末端相对。本实用新型中的压脊构件通过中空的结构可以使压脊构件的整体质量减轻，从而减少屋脊的承重压力；通过设置于内部的V形导流板和设于V形导流板上的导流槽，将从缝隙中溢入的水流通过U形压脊片两端开设的排水缝中导出，
一种仿古建筑马头墙压脊构件

[发明专利]半导体射频器件及其制备方法-CN202310089651.1在审
发明人：李成果;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体射频器件及其制备方法，半导体射频器件包括：从下到上依次设置的衬底、n型源极掺杂层；n型源极掺杂层上，设置有处于中间位置的脊形沟道结构、设置于脊形沟道结构一侧的第一异质结构层、以及设置于脊形沟道结构另一侧的第二异质结构层；脊形沟道结构上设置有漏电极；第一异质结构层和第二异质结构层上设置有栅介质和栅电极；衬底远离n型源极掺杂层一侧设置有背孔结构，暴露出n型源极掺杂层；衬底的背孔结构中设置有源电极；第一异质结构层在脊形沟道结构的侧壁上具有二维电子气上述器件为垂直结构设计，相比水平结构可以有更高的器件密度，栅长及沟道尺寸可通过膜厚控制，对光刻设备的精度要求低，制造难度小。
半导体射频器件及其制备方法

[发明专利]一种硅光子芯片光耦合结构及其制造方法-CN202210414793.6在审
发明人：郑煜;徐良;冯晋荃;彭艳亮;李昌勋;刘建哲 -专利权人：黄山博蓝特半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光子芯片光耦合结构及其制造方法，该硅光子芯片光耦合结构包括硅衬底；所述硅衬底的器件层上设置有硅光子芯片功能结构区域，所述硅光子芯片功能结构区域上设置有光波导区域和光耦合区；所述光耦合区上设置有倒脊形沟槽，光耦合区从硅衬底的端面向光波导区域延伸；沿所述倒脊形沟槽内壁设置有一层隔离层，所述倒脊形沟槽内且位于隔离层的上方设置有倒脊形光波导，所述倒脊形光波导层的端面与光纤对接，另一端与器件层光波导区域对接。通过本发明的结构和方法获得的硅光子芯片光耦合结构可实现硅光子芯片与单模光纤或激光器芯片的低损耗、无畸变高效率耦合，且传输损耗低。
一种光子芯片耦合结构及其制造方法

[发明专利]一种电光调制器及其制造方法、芯片-CN202080080540.9在审
发明人：陈宏民;孙梦蝶 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：112)和输出波导(113)(S101)，在介质层(100)表面上键合电光晶体膜层(120)，电光晶体的电光调制效率高于输入波导(112)和输出波导(113)的电光调制效率，电光晶体膜层(120)包括脊形结构(121)(S102)，脊形结构(121)可以包括输入耦合部分和输出耦合部分，输入耦合部分用于将和输入波导(112)对准中的信号耦合至脊形结构(121)，输出耦合部分和部分用于将脊形结构(121)中的信号耦合至输出波导(113)对准，在脊形结构(121)两侧形成金属电极(130)(S103)。
一种电光调制器及其制造方法芯片

[发明专利]提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用-CN201110064346.4有效
发明人：王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成，每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；该凸起脊的两端面为曲面，其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率
提高 gan 外延材料质量纳米结构及其应用

[发明专利]基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器-CN201310095986.0有效
发明人：渠红伟;郑婉华;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
基于正交周期结构调谐半导体激光器

[外观设计]脊瓦（花形方脊）-CN201630652869.4有效
发明人：张坦勋 -专利权人：郏县苗老三陶瓷有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： 25-01 文献下载
摘要：1、外观设计产品的名称脊瓦（花形方脊）。2、外观设计产品的用途用于房屋建造。3、外观设计的设计要点在于产品的形状和图案的结合。4、最能表明设计要点的图片或照片立体图。
脊瓦花形方脊

[发明专利]一种玻璃基悬浮脊形硅波导的制备方法-CN202010316675.2有效
发明人：尚金堂;汪子及 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开一种玻璃基悬浮脊形硅波导的制备方法，包括如下步骤：步骤1，制备带沟道的玻璃基底；步骤2，通过阳极键合工艺在玻璃基底上形成硅器件层；步骤3，在硅器件层上旋涂光刻胶，并进行光刻，在硅器件层上留下与波导脊形图案一致的条形光刻胶，再进行干法刻蚀，得到脊形硅波导芯层。此种方法可有效增强悬浮脊形硅波导芯层的结构强度及稳定性。
一种玻璃悬浮脊形硅波导制备方法

[实用新型]太阳能水箱节能房-CN201220088711.5有效
发明人：黄灏 -专利权人：天津市港田石油工程技术开发有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： E04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能水箱节能房，包括脊形屋顶、墙壁、立柱和顶棚支架，脊形屋顶设于墙壁顶部，立柱与顶棚支架设在脊形屋顶与墙壁形成的空间内，顶棚支架设在立柱顶部，所述脊形屋顶一侧为保温板，另一侧为透光层本实用新型的有益效果是：结构简单，成本较低，节能环保，尤其适用于活动房、彩钢房等蓄热(蓄冷)能力差的轻型建筑。
太阳能水箱节能

[发明专利]一种超宽带四脊波导-CN202211290647.3在审
发明人：王清源;李冠楠 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01P3/123 文献下载
摘要：本发明公布了一种超宽带四脊波导的设计方案。通过将所述金属脊的横截面形状设计成等腰直角三角形与矩形的构成的五边形，任意一根金属脊的顶端与相邻金属脊的顶端之间的距离都相等。这种设计，大大展宽了所述超宽带四脊波导的工作带宽。该超宽带四脊波导具有结构紧凑的特点，可以广泛用于设计超宽带正交模转接器，用于多波段卫星通信系统中。
一种宽带波导